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公开(公告)号：CN110574290A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880025872.X
申请日：2018-02-20
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种弹性波元件，是将压电性材料基板与支撑基板借助接合层而接合的弹性波元件，其结构能够进一步改善弹性波的传播损失及频率的温度特性。弹性波元件具备：压电性材料基板2A、压电性材料基板2A上的电极4、支撑基板3、以及将压电性材料基板2A与支撑基板3接合的接合层1A。接合层1A包含水晶。
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公开(公告)号：CN108781064B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201780017368.0
申请日：2017-02-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08 , H01L41/313 , H01L41/337 , H01L41/39 , H03H9/25
Abstract: 在压电性材料基板1上形成接合层3，接合层3包含选自由氮化硅、氮化铝、氧化铝、五氧化钽、莫来石、五氧化铌和氧化钛构成的组中的一种以上的材质。通过对接合层的表面4和支撑基板的表面照射中性束A，将接合层的表面和支撑基板的表面活化。将接合层的表面5与支撑基板的表面直接键合。
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公开(公告)号：CN105074868B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201480009140.3
申请日：2014-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H03H3/08 , H03H9/145 , H03H9/25
Abstract: 复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成，半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。
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公开(公告)号：CN102468385B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110370293.9
申请日：2011-11-10
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L21/02002 , H01L21/2654 , H01L21/76254 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H01S5/0206 , H01S5/32341 , H01L2924/00
Abstract: 针对于粘接由第13族氮化物构成的第1基板和由陶瓷构成的第2基板而成的复合基板，在改善放热性的同时简化其制造时的制造时工序。包括(c)在陶瓷构成的第2基板(12)的表面(12a)形成金属膜(23)，(d)介由该金属膜(23)接合由第13族氮化物构成的第1基板(21)和第2基板(12)。由于一般金属膜(23)相比于氧化膜，其热传导率高，因此，相比于介由氧化膜接合第1基板(21)和第2基板(12)的情况，其可以得到放热性好的复合基板(10)。此外，由于不使用氧化膜，故不需要向外扩散的工序，进而简化工序。
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公开(公告)号：CN103765773A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201380002488.5
申请日：2013-07-12
Applicant: 日本碍子株式会社
CPC classification number: H03H9/64 , C04B37/02 , H01L41/312 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/02574 , H03H9/02622 , H03H9/02866 , H03H9/0538 , H03H9/059 , H03H9/0595 , H03H9/145 , H03H9/25
Abstract: 复合基板(10)中，压电基板(20)的接合面(21)成为部分平坦化凹凸面。该部分平坦化凹凸面的多个凸部(23)的顶端具有平坦部(25)，通过该平坦部(25)，压电基板(20)与支持基板(30)直接键合。因此，将接合面(21)做成凹凸面(粗糙面)且具有平坦部(25)，由此能充分确保压电基板(20)与支持基板(30)的接触面积。由此，在接合压电基板(20)与支持基板(30)的复合基板中，能够将接合面(21)粗糙化并进行直接键合。此外，能得到如下的弹性表面波器件：通过实施不使用粘结剂的直接键合来提高耐热性，且通过粗糙化接合面从而散射体声波，提高特性。
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公开(公告)号：CN103703542A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201380002366.6
申请日：2013-07-16
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L29/06 , H01L21/02002 , H01L21/2007 , H01L21/762 , H01L21/76251 , H01L21/76254
Abstract: 复合晶片（10）是使支承基板（12）和半导体基板（14）通过直接键合来贴合而成的复合晶片。支承基板（12）是氧化铝纯度在99%以上的透光性氧化铝基板。该支承基板（12）的可见光区域的直线透过率在40%以下。又，支承基板（12）在波长200～250nm下的前方全光线透过率在60%以上。支承基板（12）的平均结晶颗粒直径为10μm～35μm。半导体基板（14）为单结晶硅基板。这样的复合晶片(10）具有与SOS晶片同等的绝缘性及热传导性，能够以低成本进行制作，并能够较容易地制得大直径晶片。
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公开(公告)号：CN111937306B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201980016922.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板(1)与压电性单晶基板(4、4A)之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x高于：接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部处的氧比率x以及接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部处的氧比率x。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x为0.013以上0.666以下。
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公开(公告)号：CN112955811A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980061122.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明公开一种电光元件用的复合基板。复合基板具备：电光结晶基板，其具有电光效应；低折射率层，其与电光结晶基板接触，且折射率比电光结晶基板的折射率低；以及支撑基板，其至少经由接合层而接合于低折射率层。该复合基板中，在低折射率层与支撑基板之间所存在的多个界面中的至少一个为粗糙度比电光结晶基板与低折射率层之间的界面的粗糙度大的界面。
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公开(公告)号：CN112612149A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011031274.9
申请日：2020-09-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光调制器用接合体、光调制器及光调制器用接合体的制造方法。在将由铌酸锂等形成的光波导用材料与支撑基板接合而成的光调制器用接合体及光调制器中，抑制光波导用材料因退火处理而开裂，并且，改善光调制器对频率的光响应特性。光调制器用接合体(6)具备支撑基板(4)；光波导用材料(7)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于支撑基板(4)上；以及光波导(8)，其存在于光波导材料(7)。支撑基板(4)由选自由氧化镁及镁－硅复合氧化物构成的组中的材质形成。
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公开(公告)号：CN112243568A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201980036450.7
申请日：2019-04-23
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 在包含铌酸锂等的压电性单晶基板4、4A与支撑基板1的接合体5、5A中，抑制加热时的接合体翘曲。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其由多晶陶瓷材料或单晶材料形成；接合层2A，其设置于压电性单晶基板4、4A上，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有氧原子及氩原子。非晶质层8的中央部中的氧原子的浓度高于非晶质层8的周缘部中的氧原子的浓度。
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