公开(公告)号：CN1300641C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN03108247.5

申请日：2003-03-21

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  中别府健一 ,  笠间佳子

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/423

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其在半导体电路元件的制造过程中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对阻挡层金属、层间绝缘膜材料产生损伤地进行光致抗蚀剂残渣的除去。该光致抗蚀剂残渣除去液组合物含有：一种或两种以上氟化合物、和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，但是该组合物不包括氟化铵、极性有机溶剂、水和抗坏血酸所组成的组合物。

公开(公告)号：CN1458256A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN03131434.1

申请日：2003-05-16

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 阿部优美子 ,  大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  富盛浩昭

IPC: C11D3/20

CPC classification number: H01L21/02074 ,  C11D3/2075 ,  C11D7/26 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。该化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于，含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，且pH不满3.0。

公开(公告)号：CN1447193A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03108247.5

申请日：2003-03-21

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  中别府健一 ,  笠间佳子

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01L21/02063 ,  G03F7/423

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其在半导体电路元件的制造过程中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对阻挡层金属、层间绝缘膜材料产生损伤地进行光致抗蚀剂残渣的除去。该光致抗蚀剂残渣除去液组合物含有：一种或两种以上氟化合物、和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，但是该组合物不包括氟化铵、极性有机溶剂、水和抗坏血酸所组成的组合物。

公开(公告)号：CN100429299C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN03131434.1

申请日：2003-05-16

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 阿部优美子 ,  大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  富盛浩昭

IPC: C11D3/20 ,  C11D11/00 ,  C11D7/26 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。该化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于，含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，且pH不满3.0。

公开(公告)号：CN1322105C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200510067052.1

申请日：2005-04-27

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  关东化学株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  铃木达也 ,  大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: C11D7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/426

Abstract: 制造半导体器件的方法在衬底上形成的镍硅化物层上形成层间绝缘膜，并通过使用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻来形成通孔，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形。使用由具有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物的含量、0.2到5.0质量百分比的螯合剂的含量和0.1到3.0质量百分比的有机酸盐的含量的水溶液组成的清洗液来清洗灰化工艺之后的晶片。

公开(公告)号：CN1439701A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN03103788.7

申请日：2003-02-19

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 阿部优美子 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  富盛浩昭 ,  笠间佳子

IPC: C11D1/83 ,  H05K3/26

CPC classification number: C11D3/2082 ,  C11D1/004 ,  C11D1/22 ,  C11D1/24 ,  C11D1/345 ,  C11D1/72 ,  C11D3/2086 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明该洗净液组合物提供一种可以有效地除去疏水性基板表面的粒子和金属而不腐蚀该疏水性基板。该洗净液组合物用于在其上滴下水时的表面接触角是70度以上的半导体基板，并含有脂肪族多元羧酸类和表面活性剂，其中当该组合物滴下在前述半导体基板上时的接触角变成50度以下。

公开(公告)号：CN101538716B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200910132574.3

申请日：2001-02-23

Applicant: 关东化学株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  渡边香织 ,  石川典夫 ,  森清人

IPC: C23F1/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种含钌金属的去除剂及其使用方法，该去除剂包括(a)硝酸铈(IV)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。

公开(公告)号：CN100491594C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN01104252.4

申请日：2001-02-23

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 青木秀充 ,  渡边香织 ,  石川典夫 ,  森清人

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明提供一种去除剂，该去除剂包括(a)硝酸铈(IV)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。

公开(公告)号：CN1297642C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN03103788.7

申请日：2003-02-19

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 阿部优美子 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  富盛浩昭 ,  笠间佳子

IPC: C11D1/83 ,  H05K3/26

Abstract: 本发明该洗净液组合物提供一种可以有效地除去疏水性基板表面的粒子和金属而不腐蚀该疏水性基板。该洗净液组合物用于在其上滴下水时的表面接触角是70度以上的半导体基板，并含有脂肪族多元羧酸类和表面活性剂，其中当该组合物滴下在前述半导体基板上时的接触角变成50度以下。

公开(公告)号：CN1690183A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510067052.1

申请日：2005-04-27

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  关东化学株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  铃木达也 ,  大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: C11D7/32 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/426

Abstract: 制造半导体器件的方法在衬底上形成的镍硅化物层上形成层间绝缘膜，并通过使用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻来形成通孔，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形。使用由具有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物的含量、0.2到5.0质量百分比的螯合剂的含量和0.1到3.0质量百分比的有机酸盐的含量的水溶液组成的清洗液来清洗灰化工艺之后的晶片。