公开(公告)号：CN110621680A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880031892.8

申请日：2018-05-29

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 窪寺俊 ,  后藤裕一 ,  柴山亘 ,  孙军

IPC: C07F7/18

Abstract: 本发明的课题是提供具有2个烷氧基烷基并且导入了三烷氧基甲硅烷基的新的异氰脲酸衍生物及其制造方法。解决手段是在常温常压下为液体的下述式(1)所示的异氰脲酸衍生物。(式中，R1表示甲基或乙基，2个R2分别表示碳原子数1或2的亚烷基，2个R3分别表示甲基、乙基、或碳原子数2～4的烷氧基烷基。)

公开(公告)号：CN110376848A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201910231808.3

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  日产化学株式会社

Inventor： 金珠英 ,  金贤友 ,  中岛诚 ,  志垣修平 ,  柴山亘 ,  武田谕

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  C09D183/04

Abstract: 提供了基底处理组合物和使用其制造半导体装置的方法。基底处理组合物包括第一单体、第二单体和酸。第一单体由式1表示，第二单体由式7表示。基底处理组合物的包括第一单体、第二单体和酸的固体含量的分子量是大约1,000g/mol至大约50,000g/mol。[式1]X-Si(R1)2(R2)[式7]Y-Si(R3)3。

公开(公告)号：CN109790414A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780061137.X

申请日：2017-10-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 谷口博昭 ,  中岛诚 ,  远藤勇树 ,  柴山亘 ,  志垣修平

IPC: C09D183/04 ,  B05D1/32 ,  B05D1/36 ,  B05D3/10 ,  B05D7/00 ,  B05D7/24 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供针对将在被加工基板上形成的抗蚀剂图案转印到下层而得的有机下层膜的图案，在填埋其图案间隙的同时，形成平坦的膜的图案反转用被覆组合物。解决课题的手段是，用于被覆在将抗蚀剂图案转印到下层而成的有机下层膜的图案上的被覆组合物，该被覆组合物包含水解性硅烷的水解缩合物的硅烷醇基与醇反应而得的聚硅氧烷，所述水解性硅烷是在总硅烷中，分子内具有4个水解性基的水解性硅烷为50摩尔％～100摩尔％的比例的水解性硅烷。水解性硅烷以式(1)：R1aSi(R2)4-a表示，并且以50摩尔％～100摩尔％的比例包含式(1)中a为0的水解性硅烷，以0摩尔％～50摩尔％的比例包含a为1或2的水解性硅烷。醇是丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚或3-甲氧基丁醇。

公开(公告)号：CN113785243B

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202080032980.7

申请日：2020-03-27

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  石桥谦 ,  加藤宏大 ,  中岛诚

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明的课题是提供一种组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的金属化方法，其能够通过使抗蚀剂图案的抗蚀剂金属化来改善抗蚀剂图案的粗糙度或塌陷，并提高耐蚀刻性。本发明是一种用于抗蚀剂图案金属化工艺的组合物以及使用该组合物提供于抗蚀剂中渗透有前述组合物成分的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案金属化方法，所述组合物含有(A)成分：选自金属氧化物(1)、水解性硅烷化合物(2)、前述水解性硅烷化合物的水解物(3)、及前述水解性硅烷化合物的水解缩合物(4)中的至少一种；(B)成分：不含有羧基(‑‑COOH)的酸化合物；及(C)成分：水性溶剂。

公开(公告)号：CN117940850A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280059504.3

申请日：2022-09-02

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  森谷俊介 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/40

Abstract: 为了使用Ru等不是Cu的新的金属，通过减成法来制造半导体元件，提供形成可以作为用于将Ru等选自元素周期表第6族、7族、8族、和9族中的金属的膜进行干蚀刻的蚀刻掩模而适合使用的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其形成含有硅的抗蚀剂下层膜，上述含有硅的抗蚀剂下层膜用于在将包含选自元素周期表第6族、7族、8族、和9族中的至少1种金属的金属膜进行干蚀刻时作为蚀刻掩模而使用。

公开(公告)号：CN117396811A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202280038392.3

申请日：2022-03-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  加藤宏大

IPC: G03F7/11

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成光刻特性优异、在湿蚀刻中可以实现高蚀刻速度的抗蚀剂下层膜的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有[A]包含具有至少2个羟基的硅氧烷单元结构的聚硅氧烷[B]硝酸、和[C]溶剂。

公开(公告)号：CN113227281B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN201980085619.8

申请日：2019-10-25

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  后藤裕一 ,  窪寺俊 ,  武田谕 ,  石桥谦 ,  中岛诚

IPC: C09D183/08 ,  C07F7/18 ,  C08G77/26 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供适合作为能够形成不仅具有良好的EUV抗蚀剂密合性，而且由于氟系蚀刻速率也高因此也具有良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含例如式(E1)所示的聚合物、和溶剂。

公开(公告)号：CN115485624A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180031906.8

申请日：2021-04-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 志垣修平 ,  石桥谦 ,  柴山亘

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明的课题是提供用于形成在半导体基板等的加工工序中，不仅能够通过以往的采用干蚀刻的方法，而且能够通过采用使用了稀氢氟酸、缓冲氢氟酸和碱性药液等药液的湿蚀刻的方法进行剥离的抗蚀剂下层膜的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，此外提供保存稳定性优异、用于形成干蚀刻工序中的残渣少的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含水解性硅烷混合物的水解缩合物，上述水解性硅烷混合物包含式(1)所示的水解性硅烷和烷基三烷氧基硅烷，上述水解性硅烷混合物中的烷基三烷氧基硅烷的含量基于上述水解性硅烷混合物所包含的全部水解性硅烷的总摩尔数为0摩尔％以上且小于40摩尔％。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，表示包含选自琥珀酸酐骨架、乙烯基、苯基和异氰脲酸骨架中的至少1种基团或骨架的有机基，R2为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示可以被取代的烷基等，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a表示1，b表示0～2的整数，4‑(a+b)表示1～3的整数。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。

公开(公告)号：CN115362216A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180024987.9

申请日：2021-03-31

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 加藤宏大 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  柴山亘 ,  中岛诚

IPC: C08L83/04 ,  C08G77/14 ,  C08K5/05 ,  C08K5/06 ,  C08K5/19 ,  C08K5/34 ,  C08K5/42 ,  C08K5/49 ,  C08K5/50 ,  G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供用于形成溶剂显影型抗蚀剂的抗蚀剂下层膜的膜形成用组合物，所述抗蚀剂下层膜能够形成良好的抗蚀剂图案。该膜形成用组合物的特征在于包含水解性硅烷化合物的水解缩合物、选自由氨基塑料交联剂及酚醛塑料交联剂组成的组中的至少1种交联剂和溶剂，且上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)表示的水解性硅烷。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。

公开(公告)号：CN113891906A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080039710.9

申请日：2020-03-24

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 柴山亘 ,  武田谕 ,  志垣修平 ,  石桥谦 ,  加藤宏大 ,  中岛诚

IPC: C08G77/26 ,  G03F7/11 ,  C09D5/00 ,  C08L83/04 ,  C09D183/06 ,  C09D183/08

Abstract: 本发明的课题是提供适合作为可以形成兼具对EUV抗蚀剂的良好的密合性、与良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的、膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，其包含选自水解性硅烷化合物、其水解物和其水解缩合物中的至少1种，以及溶剂，上述水解性硅烷化合物包含分子内具有氰基的下述式(1)所示的水解性硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，并且表示包含氰基的有机基，R2为通过Si‑C键而与硅原子结合的基团，并且彼此独立地表示可以被取代的烷基等，R3为与硅原子结合的基团或原子，并且彼此独立地表示羟基、烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。