公开(公告)号：CN103282558A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180062911.1

申请日：2011-12-26

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  加渡干尚 ,  坂元秀光 ,  大黑宽典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B19/06 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明提供一种能够抑制多晶体的生成的SiC单晶体的制造装置。在腔室（1）内容纳有夹具（41）和坩埚（6）。在坩埚（6）内容纳有SiC溶液（8）。夹具（41）包括晶种轴（411）和盖构件（412）。晶种轴（411）能够升降，在晶种轴（411）的下表面安装SiC晶种（9）。盖构件（412）配置在晶种轴（411）的下端部。盖构件（412）是下端敞开的壳体，且在内部配置晶种轴（411）的下端部。在制造SiC单晶体时，SiC晶种（9）浸渍在SiC溶液（8）中。进而，盖构件（412）的下端浸渍在SiC溶液（8）中。因此，盖构件（412）覆盖SiC溶液（8）中的、SiC单晶体周边的部分并进行保温。

公开(公告)号：CN103210127A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180054125.7

申请日：2011-11-04

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  森口晃治 ,  冈田信宏 ,  旦野克典 ,  大黑宽典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/00

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B15/10 ,  C30B15/30 ,  C30B15/36 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种n型SiC单晶的制造方法，其能够抑制所制造的多个n型SiC单晶锭间的氮浓度的偏差。本实施方式的n型SiC单晶的制造方法包括：准备具备腔室(1)的制造装置(100)的工序，所述腔室(1)具有配置坩埚(7)的区域；将配置坩埚(7)的区域加热，并且将腔室(1)内的气体真空排气的工序；在真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到腔室(1)内的工序；利用加热使配置于区域的坩埚(7)中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液(8)的工序；以及，在混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于SiC熔液，在SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。

公开(公告)号：CN102197168A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980143257.X

申请日：2009-08-28

Applicant: 住友金属工业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  服部亮

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/10 ,  Y10T117/1024

Abstract: 一种SiC单晶膜的制造方法，该方法通过使用了以熔体为溶剂的SiC溶液的LPE法来使低掺杂浓度的SiC外延膜在直径2英寸以上的基板上稳定生长，该方法包括在将熔体材料引入到晶体生长炉之前一边加热炉内一边真空排气，直至晶体生长温度下的真空度达到5×10-3Pa以下的工序。此后，将填充有熔体材料的坩埚引入到炉内，形成SiC溶液，使SiC外延膜在浸渍于该溶液中的基板上生长。