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公开(公告)号：CN104701362B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201510125579.9
申请日：2015-03-23
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/40
Abstract: 一种沟槽隔离横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，其上设有埋氧层，埋氧层上设有N型漂移区，在N型漂移区内的上表面下方设有P型体区和N型缓冲层，N型缓冲层内设有P型集电极区，其特征在于，在N型漂移区内设有沟槽隔离层，在N型漂移区的上表面与沟槽隔离层形成的两个拐角处分别设有第一P型发射极区和第二P型发射极区，在第一P型发射极区和第二P型发射极区上连接有金属电极，在N型漂移区的上表面下方还设有第三P型发射极区，在第三P型发射极区上连接有第二发射极铝电极，在第二P型发射极区与第三P型发射极区之间的N型漂移区上表面上设有第二栅氧化层，在第二栅氧化层上设有氮化硅层，在氮化硅层上方设有第二多晶硅栅。
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公开(公告)号：CN105070753B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510429008.4
申请日：2015-07-20
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种纵向双向耐压功率半导体晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：N型漏极，其上设有N型外延层，N型外延层上设有第一P型体区，第一P型体区上设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有重掺杂N型源极，在重掺杂N型源极表面连接有源极金属层，在N型外延层，第一P型体区，N型缓冲层及重掺杂N型源极内设有阶梯状沟槽，阶梯状沟槽第二部分位于阶梯状沟槽第一部分上方，在阶梯状沟槽第一部分的内表面设有栅氧化层，在栅氧化层内填充多晶硅并形成多晶硅栅极，在阶梯状沟槽第二部分内填充有第一氧化层，在N型缓冲层内设有第二P型体区。本发明结构制备方法保留传统沟槽金属氧化物半导体型场效应晶体管制备方法，容易实现，成本较低。
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公开(公告)号：CN105552110A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510964464.9
申请日：2015-12-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0603 , H01L29/0611 , H01L29/0688 , H01L29/66477 , H01L29/78
Abstract: 一种高雪崩耐量的功率半导体晶体管结构，包括，兼做漏区的N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，N型外延层表面设有P型条形体区，P型条形体区表面设有重掺杂N型源区和重掺杂P型源区，在N型外延层上设有绝缘栅氧化层，在绝缘栅氧化层上设有导电多晶硅，所述导电多晶硅位于相邻P型条形体区之间区域的上方且两侧分别覆盖相邻P型条形体区，所述导电多晶硅上设有绝缘介质层，重掺杂P型体区和重掺杂N型源区上连接有源极金属，其特征在于，P型条形体区向N型外延层扩展形成多个P型弓形体区，P型弓形体区均匀分布于P型条形体区，且嵌入N型外延层中，本发明保留传统功率半导体晶体管制备方法，提高雪崩耐量，缩小芯片面积，成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105070753A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510429008.4
申请日：2015-07-20
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/0611 , H01L29/0684 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/42376 , H01L29/66666
Abstract: 一种纵向双向耐压功率半导体晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：N型漏极，其上设有N型外延层，N型外延层上设有第一P型体区，第一P型体区上设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有重掺杂N型源极，在重掺杂N型源极表面连接有源极金属层，在N型外延层，第一P型体区，N型缓冲层及重掺杂N型源极内设有阶梯状沟槽，阶梯状沟槽第二部分位于阶梯状沟槽第一部分上方，在阶梯状沟槽第一部分的内表面设有栅氧化层，在栅氧化层内填充多晶硅并形成多晶硅栅极，在阶梯状沟槽第二部分内填充有第一氧化层，在N型缓冲层内设有第二P型体区。本发明结构制备方法保留传统沟槽金属氧化物半导体型场效应晶体管制备方法，容易实现，成本较低。
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公开(公告)号：CN103779404A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410035881.0
申请日：2014-01-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0603 , H01L29/66325
Abstract: P沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域，本发明是在传统SOI-LIGBT器件结构基础上，在多晶硅栅下方分别引入第一N型体区和P型体区。在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了电子的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力。在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一N型体区与P型外延层耗尽决定，因此P型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。
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公开(公告)号：CN103762230A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410036513.8
申请日：2014-01-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0603 , H01L29/66325
Abstract: N沟道注入效率增强型绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域，本发明是在传统SOI-LIGBT器件结构基础上，在多晶硅栅下方分别引入第一P型体区和N型体区。在正向导通时，高的N型体区掺杂浓度或厚度，抬高了空穴的势垒，增强了发射极附近载流子的浓度，从而获得更好的载流子分布，降低了器件的正向导通压降并获得了更好的正向导通压降和关断损耗的折中关系，同时提高了器件的饱和电流能力。在正向阻断时，多晶硅栅相当于一个场板，导致器件耐压由第一P型体区与N型外延层耗尽决定，因此N型体区浓度可以大幅提高，且不会影响器件的耐压。
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公开(公告)号：CN102867845A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210366193.3
申请日：2012-09-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上设有N-漂移区及P型体区，且P型硅衬底的上表面为N-漂移区及P型体区覆盖，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在N-漂移区上方设有N型缓冲层，在N型缓冲层上方设有N型漏区，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、多晶硅栅、N-漂移区、N型漏区上方设有场氧化层，在N型源区及P型体接触区上接有穿通场氧化层的第一金属引线，多晶硅栅接有穿通场氧化层的第二金属引线，N型漏区接有穿通场氧化层的第三金属引线，其特征在于，在P型硅衬底上设有超结结构，超结结构由连接漏区及衬底方向相间分布的N型区和P型区构成。
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公开(公告)号：CN202616236U
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201220145184.7
申请日：2012-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种具有P型埋层的超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由相互间隔的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有轻掺杂的P型埋层，且P型埋层在N型柱内。
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