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公开(公告)号：CN101926232B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200980103385.1
申请日：2009-01-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32467
Abstract: 本发明揭示一种具有下流量均衡器(lowered flow equalizer)与下腔室内衬的等离子体处理腔室。在蚀刻处理中，可能从处理腔室不均匀地抽吸处理气体，这将导致不均匀的衬底蚀刻。通过将从腔室排出的处理气体的流量均等化，可以达成更均匀的蚀刻。通过将流量均衡器电气耦接到腔室内衬，来自流量均衡器的RF返回路径可以沿着腔室内衬行进，因此减少了处理期间被抽吸到衬底下方的等离子体的量。
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公开(公告)号：CN103094045A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210548948.1
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103050362A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210549648.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103035469A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210391087.0
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力)相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN101926232A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103385.1
申请日：2009-01-12
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32467
Abstract: 本发明揭示一种具有下流量均衡器(lowered flow equalizer)与下腔室内衬的等离子体处理腔室。在蚀刻处理中，可能从处理腔室不均匀地抽吸处理气体，这将导致不均匀的衬底蚀刻。通过将从腔室排出的处理气体的流量均等化，可以达成更均匀的蚀刻。通过将流量均衡器电气耦接到腔室内衬，来自流量均衡器的RF返回路径可以沿着腔室内衬行进，因此减少了处理期间被抽吸到衬底下方的等离子体的量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024618B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201610352823.X
申请日：2009-01-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 欧加·莱格拉曼 , 卡洛·贝拉 , 道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 保罗·比瑞哈特
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明一般而言包含加热的喷头组件，其可用来供应处理气体至处理腔室。该处理腔室可以是蚀刻腔室。当该处理气体从该处理腔室排出时，均匀处理该衬底会有难度。将该处理气体抽离该衬底并朝向该真空泵推送时，衬底上的等离子体，在蚀刻的情况下可能会不均匀。不均匀的等离子体可造成不均匀蚀刻。为了避免不均匀蚀刻，可将该喷头组件分为两个区域，每一个区域均具有可独立控制的气体导入及温度控制。该第一区域对应该衬底的边缘，而该第二区域对应该衬底的中心。通过独立控制温度及通过该喷头区域的气流，可增加该衬底的蚀刻均匀性。
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公开(公告)号：CN109075067A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027603.2
申请日：2017-06-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 杨扬 , 露西·陈 , 杰·周 , 卡提克·雷马斯瓦米 , 肯尼思·S·柯林斯 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 殷正操 , 刘菁菁 , 史蒂文·莱恩 , 贡萨洛·蒙罗伊 , 詹姆斯·D·卡达希
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/02
Abstract: 提供用于形成具有期望的膜密度、机械强度及光学膜性质的类金刚石碳层的方法。在一个实施方式中，形成类金刚石碳层的方法包括下列步骤：在设置于处理腔室中的基板的表面上方产生电子束等离子体，以及在该基板的该表面上形成类金刚石碳层。所述类金刚石碳层由电子束等离子体工艺形成，其中类金刚石碳层作为半导体应用中的蚀刻工艺中的硬模层。所述类金刚石碳层可通过以下步骤形成：轰击设置在处理腔室中的含碳电极，以在设置于处理腔室中的基板的表面上方的含碳气体混合物中产生次级电子束，和在基板的表面上由该气体混合物的元素形成类金刚石碳层。
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公开(公告)号：CN109075059A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201680084797.5
申请日：2016-12-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H05H1/46 , H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理腔室的气体分配板组件，在一个实施例，该气体分配板组件包括主体、底板与穿孔面板，该主体由金属材料制成，该底板包含与该主体耦接的硅渗入的金属基质复合物，该穿孔面板包含通过黏接层与底板耦接的硅盘。
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公开(公告)号：CN103094044B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201210548832.8
申请日：2012-10-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
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公开(公告)号：CN103402299A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310264587.2
申请日：2009-04-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·D·卡达希 , 安德鲁·源 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 迈克尔·C·库特内
IPC: H05H1/26 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32495 , H01J37/32623 , Y10T428/13
Abstract: 等离子体处理室具有带有整合均流器的下部内衬件。在蚀刻处理中，处理气体会被不均匀地从处理室抽吸，其可导致衬底的不均匀蚀刻。所述整合均流器配置成将使从该室经由下部内衬件排出的处理气体的流动均匀。
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