-
公开(公告)号：CN1507010A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310118674.3
申请日：2003-11-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/16
CPC classification number: H01L21/32139 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11543
Abstract: 为了增厚待增厚的抗蚀剂图案，从而容易地形成超过传统曝光装置光源曝光极限的精细图案，通过对底层对象上抗蚀剂图案化；在待增厚的抗蚀剂图案上应用至少包含一种表面活性剂的表面活性剂合成物；以及在其上面应用至少包含树脂和一种表面活性剂的抗蚀剂图案增厚材料，一种工艺形成了待增厚抗蚀剂图案。因此，增厚了待增厚的抗蚀剂图案而形成了具有狭窄间距的精细抗蚀剂图案。
-
公开(公告)号：CN1497670A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03134679.0
申请日：2003-09-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: H01L28/10 , G03F7/0048 , G03F7/40 , G11B5/855 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/105 , H01L27/10844 , H01L27/10894 , H01L27/11526 , H01L27/11541 , H01L27/11543
Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料等，此光刻胶图案增厚材料能将待增厚的光刻胶图案增厚，形成精细的中空图案，超过在图案化期间使用的曝光设备光源的曝光极限。该光刻胶图案增厚材料包括：树脂和表面活性剂。在本发明的光刻胶图案的形成工艺中，在形成了待增厚的光刻胶图案以后，刻胶图案增厚材料被涂覆到待增厚的光刻胶图案的表面上，由此形成光刻胶图案。本发明的半导体器件的制造工艺包括：在下层上形成待增厚的光刻胶图案以后，涂覆增厚材料到待增厚光刻胶图案的表面上，来将待增厚的光刻胶图案增厚并形成光刻胶图案的步骤，以及通过使用光刻胶图案蚀刻对下层图案化的步骤。
-
公开(公告)号：CN1442752A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03101768.1
申请日：2003-01-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/16 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0275 , Y02E50/343 , Y02W30/47
Abstract: 本发明提出在形成精小图形时减小边缘粗糙度的改进。该目的的取得在构图刻蚀膜之后，在刻蚀膜上形成涂覆膜，以便将刻蚀膜材料和涂覆膜材料在交界面上混合来减小边缘粗糙度。提供一种抗蚀图形改进材料，包括：(a)一种水溶性或者碱溶性的成分，包含：(i)一种树脂，和(ii)一种交联剂。根据本发明，提供一种制备图形的方法，包括：形成抗蚀图形；和在抗蚀图的表面上涂覆根据本发明的抗蚀图形改进材料，其中，抗蚀图形改进材料与抗蚀图形在它们之间的界面上混合。
-
公开(公告)号：CN1421744A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02152770.9
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/095 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101135849B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN200710146875.2
申请日：2007-08-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: C08G77/14 , C09D183/06 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2041 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明提供了一种材料，其包括：由通式(1)表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物；和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂，(SiO4/2)a(R1tSiO(4-t)/2)b(O1/2R2)c我 通式(1)其中R1代表单价有机基团，氢原子和羟基中的至少一个，R2代表单价有机基团和氢原子中的至少一个(其中R1和R2可以各自出现两次或以上，且R1和R2中至少一个含有碱溶性基团)，“t”代表1～3的整数，“a”、“b”和“c”代表其单元的相对比例(其中a≥0、b≥0、c≥0，且“a”、“b”和“c”不同时为0)，且(R1tSiO(4-t)/2)b可以出现两次或以上。
-
公开(公告)号：CN102455599B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110226683.9
申请日：2011-08-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/04 , G03F7/16 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/40 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/76802
Abstract: 本发明提供了抗蚀图案改善材料，其含有C4-11直链链烷二醇和水。本发明还提供了用于形成抗蚀图案的方法，以及用于制造半导体器件的方法。
-
公开(公告)号：CN102681338B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201210020305.X
申请日：2012-01-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/405 , H01L21/31144 , H01L21/76802
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法。本发明涉及的抗蚀剂图案改善材料包含水和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵，其中n是8～18的整数。通式(1)。
-
公开(公告)号：CN102265221B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN200880132520.0
申请日：2008-12-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/40
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/76816
Abstract: 本发明提供能够在被加工面上形成超过目前曝光光源的曝光极限(析像分辨极限)的图案尺寸的图案的图案形成方法和半导体装置制造方法、以及抗蚀剂图案的被覆层的形成材料。本发明的图案形成方法，其特征在于，包含形成第1抗蚀剂图案的第1抗蚀剂图案形成工序；以覆盖所述第1抗蚀剂图案表面的方式，形成由被覆材料得到的被覆层的被覆层形成工序；以及形成第2抗蚀剂图案的第2抗蚀剂图案形成工序。
-
公开(公告)号：CN101609254B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200910137846.9
申请日：2003-01-22
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0275 , Y02E50/343 , Y02W30/47
Abstract: 本发明公开了一种抗蚀图形改进材料以及使用该材料制备抗蚀图形的方法。该方法包括：形成抗蚀图形；和在抗蚀图形的表面上涂覆抗蚀图形改进材料，其中，抗蚀图形改进材料与抗蚀图形在它们之间的界面上混合，其中所述抗蚀图形改进材料包括：(a)一种水溶性或者碱溶性的成分，包含：(i)一种树脂，和(ii)一种交联剂或者非离子表面活性剂，和(b)一种水溶性芳香族化合物；其中水溶性芳香族化合物选自包含以下物质的组中：多元酚，代表性的有五倍子酸，以及它的衍生物；萘多元醇，代表性的有萘二醇，萘三醇，以及它们的衍生物；和苯甲酮衍生物，代表性的有茜素黄A，其中抗蚀图形通过照射ArF受激准分子激光或者波长短于ArF受激准分子激光的波长的激光来形成，并且其中抗蚀图形改进材料的图形包括一种基本上不透过ArF受激准分子激光的基础树脂。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
65
records
(took 0.043 seconds)
