公开(公告)号：CN108780844B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201780017060.6

申请日：2017-03-14

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 后藤崇 ,  山本阳介 ,  渡边哲也

IPC: H01L51/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供一种含有下述(a)～(c)的有机半导体组合物、使用了该组合物的有机薄膜晶体管的制造方法以及在有机半导体层具有上述(a)及(b)的有机薄膜晶体管：(a)特定分子量且特定结构的有机半导体聚合物；(b)特定分子量的绝缘性聚合物；(c)溶剂，上述有机半导体聚合物的重均分子量Mw1和上述绝缘性聚合物的重均分子量Mw2满足下述关系式：0.1≤Mw1/Mw2≤10，上述有机半导体组合物中的上述有机半导体聚合物的含量C1质量％和上述绝缘性聚合物的含量C2质量％满足下述关系式：0.1≤C1/C2≤10。

公开(公告)号：CN114401966A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080064863.9

申请日：2020-09-04

Applicant: 富士胶片株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 杉浦宽记 ,  谷征夫 ,  松下哲也 ,  渡边哲也 ,  冈本敏宏

IPC: C07D471/22 ,  C07D471/06 ,  C07D471/16 ,  C07D221/18 ,  C07D237/26 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明的第一课题在于，提供一种收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法。另外，本发明的第二课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的组合物。另外，本发明的第三课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的中间体化合物。本发明的环状酰亚胺化合物的制造方法是一种使下述式(1)表示的化合物和至少1种胺化合物反应，获得下述式(2)表示的化合物的制造方法。

公开(公告)号：CN109791983A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780057197.4

申请日：2017-09-15

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 后藤崇 ,  福崎英治 ,  渡边哲也

IPC: H01L51/40 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明提供一种即使被图案化或暴露在高热中，也能够有效地抑制龟裂的产生或龟裂的扩散的有机半导体膜、使用了该有机半导体膜的有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。一种包含由下述通式(1)表示的分子量3000以下的化合物，且晶畴的尺寸为1nm以上且100nm以下的微晶有机半导体膜、使用了该有机半导体膜的有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。X、Y及Z表示特定的环构成原子。R1及R2表示氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，R3及R4表示卤素原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基。m及n表示0～2的整数。

公开(公告)号：CN109478595A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780038047.9

申请日：2017-06-23

Applicant: 富士胶片株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 福崎英治 ,  渡边哲也 ,  宇佐美由久 ,  谷征夫 ,  冈本敏宏 ,  竹谷纯一

IPC: H01L51/30 ,  C07D471/22 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明提供一种具备含有由特定式表示的化合物的有机半导体膜的有机薄膜晶体管、能够优选使用于该有机薄膜晶体管的有机半导体膜、化合物及有机薄膜晶体管用组合物、以及包括将上述有机薄膜晶体管用组合物涂布于基板上而形成有机半导体膜的工序的有机薄膜晶体管的制造方法。

公开(公告)号：CN100508040C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200410085072.7

申请日：2004-10-12

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 渡边哲也 ,  斋藤直树

IPC: G11B7/24 ,  C09B47/00 ,  B41M5/26

CPC classification number: C09B47/0678 ,  G11B7/248

Abstract: 一种光信息记录介质和信息记录方法以及色素化合物，所述光信息记录介质，其特征在于记录层包含具有下记通式(I)取代基的酞菁衍生物，通式(I)中，R1、R2、R3分别独立表示氢原子以外的取代基。所述信息记录方法是对该光信息记录介质照射450nm以下波长的激光光线而记录信息的信息记录方法。所述色素化合物是由下式(II)表示的色素化合物。通式(II)中，M表示铜、镍、钒等金属、氧化物、具有配位基的金属或氧化物中的任何物质。R4、R5、R6分别独立表示氢原子以外的取代基，n为1～8的整数。根据本发明，经短波长的激光光线照射能对信息作高密度记录和再生，记录灵敏度特别优良。

公开(公告)号：CN101065252A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200580038489.0

申请日：2005-12-27

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 渡边哲也 ,  高桥庆太 ,  片山和俊

IPC: B41M5/26 ,  G11B7/244 ,  G11B7/24 ,  C09B69/02

Abstract: 一种光学信息记录介质，其包含在衬底上的记录层，所述的记录层含有具有特定结构的染料化合物。一种光学信息记录方法，该方法包括通过用波长为550或更短或440nm或更短的激光辐照而在光学信息记录介质上记录信息。

公开(公告)号：CN101044028A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200680000716.5

申请日：2006-03-15

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 渡边康介 ,  渡边哲也 ,  高桥庆太 ,  片山和俊

IPC: B41M5/26 ,  G11B7/24 ,  G11B7/244 ,  C09B23/00 ,  C09B69/06

CPC classification number: C09B69/04 ,  C09B23/04 ,  G11B7/24 ,  G11B7/24079 ,  G11B7/245 ,  G11B7/246 ,  G11B7/2463 ,  G11B7/247 ,  G11B7/2472 ,  G11B7/2475 ,  G11B7/2478 ,  G11B7/248 ,  G11B7/2495 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2532 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/2535 ,  G11B7/256

Abstract: 本发明提供一种其中在不使记录/复制特性变差的情况下改善耐光性和耐久性并且适用于蓝色激光束的信息记录介质。所述光学信息记录介质在基材上提供可以通过辐照波长等于或短于440nm的激光束而记录信息的记录层。在透明盘状基材上形成磁道间距为0.2至0.5μm的预槽。所述信息记录介质是加热模式类型，在盘状基材的形成预槽的同一侧表面上具有记录层，所述记录层中含有次甲基染料和有机氧化剂。