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公开(公告)号：CN114621272A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011457873.7
申请日：2020-12-10
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开提供一种式I或II的硼氮化合物、包含所述化合物的组合物及它们在有机电致发光领域中的应用。本公开还提供了一种制备式I或II的硼氮化合物的方法。通过采用本发明提供的化合物或组合物制备的有机电致发光器件能实现具有窄光谱发射的高效绿光和红光电致发光。
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公开(公告)号：CN114195794A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111359241.1
申请日：2021-11-16
Applicant: 季华实验室
IPC: C07D487/22 , C07D491/22 , C07D495/22 , C07D517/22 , C07D519/00 , C07F5/02 , C09K11/06 , H01L51/54 , H01L51/50
Abstract: 本发明公开一种发光层材料、有机电致发光器件及电子设备，涉及有机发光材料技术领域，发光层材料包括第一化合物，所述第一化合物为一种吲哚并咔唑发光化合物，其结构通式如结构式(1)所示，其具有高荧光量子产率和窄发射光谱的优异性能，使化合物在有机电致发光器件中的发光效率得到提升，将所述发光层材料用于有机电致发光器件的发光层时，有利于改善化合物在有机电致发光器件中的外量子效率，满足商业化有机电致发光器件的光电性能要求。
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公开(公告)号：CN113831315B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111432358.8
申请日：2021-11-29
Applicant: 季华实验室
IPC: C07D311/92 , C07D311/78 , C07D405/10 , C07D421/10 , C07D417/10 , C07D491/107 , C07D495/10 , C07D471/10 , C07D491/048 , C07D487/14 , C07D487/04 , C07D405/14 , C07D413/14 , C07D417/14 , C07F7/08 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及有机光电材料与器件技术领域，本发明公开一种有机发光材料及其制备方法和应用，所述有机发光材料的分子结构式为如式（I）~（III）中的任意一种：式（I），式（II），式（III）。本发明中结合香豆素优异的光学性质和易于修饰的结构特点，利用氰基取代苯并香豆素作为受体基团构筑新型长波长TADF材料。
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公开(公告)号：CN112133841B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011347649.2
申请日：2020-11-26
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明提供了一种有机电致发光器件，包括从下到上依次设置的阳极层、空穴传输层、第一发光层、激子产生层、第二发光层、电子传输层和阴极层；所述阳极层和/或阴极层可透光；所述第一发光层和第二发光层均包括混合的主体材料和发光体；所述激子产生层包括空穴传输型的p型材料、电子传输型的n型材料、双极性传输材料中的至少两种材料；且所述激子产生层的三重态能级大于或等于直接接触的发光层中的发光体的三重态能级；该有机电致发光器件注入的电子和空穴可以在激子产生层中复合形成激子，使器件的复合区域得到拓宽，避免了激子和极化子的湮灭作用和高能态热激子的形成，使器件的效率滚降降低、工作寿命延长。
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公开(公告)号：CN112133841A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011347649.2
申请日：2020-11-26
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L51/50
Abstract: 本发明提供了一种有机电致发光器件，包括从下到上依次设置的阳极层、空穴传输层、第一发光层、激子产生层、第二发光层、电子传输层和阴极层；所述阳极层和/或阴极层可透光；所述第一发光层和第二发光层均包括混合的主体材料和发光体；所述激子产生层包括空穴传输型的p型材料、电子传输型的n型材料、双极性传输材料中的至少两种材料；且所述激子产生层的三重态能级大于或等于直接接触的发光层中的发光体的三重态能级；该有机电致发光器件注入的电子和空穴可以在激子产生层中复合形成激子，使器件的复合区域得到拓宽，避免了激子和极化子的湮灭作用和高能态热激子的形成，使器件的效率滚降降低、工作寿命延长。
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公开(公告)号：CN111139527B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010263558.4
申请日：2020-04-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及有机半导体领域，尤其公开了一种有机晶体材料的制备方法、有机晶体材料和发光元件。本发明的有机晶体材料的制备方法包括：在惰性环境中，将相对叠放的两片金属配合物无定形掺杂膜加热退火，随后冷却至室温，其中所述金属配合物无定形掺杂膜的主体材料为第一金属与第一配体的配合物，客体材料为第二金属与第二配体的配合物；并且，所述第一金属与所述第二金属的金属原子序数之差≥10，所述第一配体与所述第二配体相同或具有空间上相似的结构。根据本发明的制备方法能够得到高浓度掺杂的缺陷诱导的有机晶体材料，且制备得到的有机晶体材料的光致发光光谱具有三重态直接激发的和发射特征，可应用于发光元件。
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公开(公告)号：CN111139527A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010263558.4
申请日：2020-04-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及有机半导体领域，尤其公开了一种有机晶体材料的制备方法、有机晶体材料和发光元件。本发明的有机晶体材料的制备方法包括：在惰性环境中，将相对叠放的两片金属配合物无定形掺杂膜加热退火，随后冷却至室温，其中所述金属配合物无定形掺杂膜的主体材料为第一金属与第一配体的配合物，客体材料为第二金属与第二配体的配合物；并且，所述第一金属与所述第二金属的金属原子序数之差≥10，所述第一配体与所述第二配体相同或具有空间上相似的结构。根据本发明的制备方法能够得到高浓度掺杂的缺陷诱导的有机晶体材料，且制备得到的有机晶体材料的光致发光光谱具有三重态直接激发的和发射特征，可应用于发光元件。
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