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公开(公告)号：CN111139527B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010263558.4
申请日：2020-04-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及有机半导体领域，尤其公开了一种有机晶体材料的制备方法、有机晶体材料和发光元件。本发明的有机晶体材料的制备方法包括：在惰性环境中，将相对叠放的两片金属配合物无定形掺杂膜加热退火，随后冷却至室温，其中所述金属配合物无定形掺杂膜的主体材料为第一金属与第一配体的配合物，客体材料为第二金属与第二配体的配合物；并且，所述第一金属与所述第二金属的金属原子序数之差≥10，所述第一配体与所述第二配体相同或具有空间上相似的结构。根据本发明的制备方法能够得到高浓度掺杂的缺陷诱导的有机晶体材料，且制备得到的有机晶体材料的光致发光光谱具有三重态直接激发的和发射特征，可应用于发光元件。
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公开(公告)号：CN111139527A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010263558.4
申请日：2020-04-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及有机半导体领域，尤其公开了一种有机晶体材料的制备方法、有机晶体材料和发光元件。本发明的有机晶体材料的制备方法包括：在惰性环境中，将相对叠放的两片金属配合物无定形掺杂膜加热退火，随后冷却至室温，其中所述金属配合物无定形掺杂膜的主体材料为第一金属与第一配体的配合物，客体材料为第二金属与第二配体的配合物；并且，所述第一金属与所述第二金属的金属原子序数之差≥10，所述第一配体与所述第二配体相同或具有空间上相似的结构。根据本发明的制备方法能够得到高浓度掺杂的缺陷诱导的有机晶体材料，且制备得到的有机晶体材料的光致发光光谱具有三重态直接激发的和发射特征，可应用于发光元件。
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