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公开(公告)号：CN118084359B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410483919.4
申请日：2024-04-22
Applicant: 太原理工大学
IPC: C03C27/04
Abstract: 本发明涉及一种钠钙硅玻璃与金属的真空扩散连接方法，属于复合材料制备技术领域，解决钠钙硅玻璃和金属无法连接，或者连接技术成本高、连接温度高、流程复杂、连接质量不稳定等技术问题，本发明包括以下步骤：S1、将待连接金属板进行表面处理，S2、待连接玻璃板进行表面处理，S3、设置中间层，S4、电场激活、真空扩散连接，制得钠钙硅玻璃与金属复合材料。本发明不仅实现了玻璃板与多种金属板的连接，而钠钙硅玻璃与金属复合材料的连接界面良好，界面结合位置处力学性能优异，同时具备生产效率高和生产成本低的优点。
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公开(公告)号：CN109830593A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910044480.4
申请日：2019-01-17
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明属热电器件制备和连接件技术领域，提供一种降低Mg2Si基热电材料与电极连接界面接触电阻的方法，在界面处构建缺陷的化学势平衡，减小界面两侧镁原子浓度梯度，实现降低其界面接触电阻的目的。控制热电材料Mg2+xSi1-yBiy(0≤x≤0.1,0≤y≤0.01)与电极材料Mg36+zSi15Ni50(94≤z≤100)中的Mg含量调控本征点缺陷浓度，在外加电场和压力场的耦合作用下，在实现热电材料和电极材料致密化的同时，同步实现二者之间的扩散反应而形成连接。通过构建热电材料和电极材料中的Mg平衡，减小热电接头界面两侧Mg原子浓度梯度，降低连接界面接触电阻，提高界面稳定性。
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公开(公告)号：CN105384359B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510936856.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 太原理工大学
IPC: C03C27/00
Abstract: 本发明公开了一种电磁场辅助玻璃板与金属板的扩散连接装置及方法，属于异种材料连接的技术领域。将玻璃板的横截面与金属板连接起来，即玻璃板与金属以相互垂直的方式进行连接，通过施加电磁场改变玻璃基体中离子的移动方向，使得离子的移动扩散方向偏离电场方向而向连接界面迁移，迁移扩散至玻璃板和金属板界面的离子同金属板反应实现玻璃板与金属板的连接，为复杂传感器元器件设计提供技术支持。
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公开(公告)号：CN102530957B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110425658.3
申请日：2011-12-14
Applicant: 太原理工大学
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 一种制备纳米Mg2-xSiREx热电材料的方法，属于热电材料制备领域，具体而言是一种高纯纳米Mg2-xSiREx热电材料的制备技术方案，特别是对中温区温差发电或制冷技术所需的半导体材料的制备。本发明其特征在于用MgH2替代传统Mg粉在管式炉中Ar气保护下与纳米Si粉反应制备出颗粒度小于50nm的高纯纳米Mg2-xSiREx粉末，本方法的特点是工艺简单且高效节能，制备出的Mg2-xSiREx热电材料具有较好的热电性能。克服了常规Mg2Si基热电材料制备过程中，Mg粉氧化严重，产物纯度和均匀度低，严重阻碍了Mg2Si基热电材料ZT值提高的缺点。
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公开(公告)号：CN102530957A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110425658.3
申请日：2011-12-14
Applicant: 太原理工大学
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 一种制备高纯纳米Mg2-xSiREx热电材料的方法，属于热电材料制备领域，具体而言是一种高纯纳米Mg2-xSiREx热电材料的制备技术方案，特别是对中温区温差发电或制冷技术所需的半导体材料的制备。本发明其特征在于用MgH2替代传统Mg粉在管式炉中Ar气保护下与纳米Si粉反应制备出颗粒度小于50nm的高纯纳米Mg2-xSiREx粉末，本方法的特点是工艺简单且高效节能，制备出的Mg2-xSiREx热电材料具有较好的热电性能。克服了常规Mg2Si基热电材料制备过程中，Mg粉氧化严重，产物纯度和均匀度低，严重阻碍了Mg2Si基热电材料ZT值提高的缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1189429C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN03112506.9
申请日：2003-06-05
Applicant: 太原理工大学
Inventor： 孟庆森
Abstract: 一种陶瓷与金属材料场致自蔓延燃烧连接方法属于陶瓷与金属连接的技术领域，特别是涉及到金属部件高温磨损表面敷置陶瓷防护层的技术，其特征在于是，陶瓷采用自蔓延燃烧法与金属实现永久连接，陶瓷及金属的结合是依靠自身的燃烧热能在瞬间结合界面形成局部高温并在外加压力的作用下形成界面烧结合成；外加静电场利于结合界面离子的迁移和扩散；陶瓷连接表面的镍浸润和填补了陶瓷与填料层的界面间隙；填料燃烧后所形成的金属与非金属化合物的混合物的热物理性能介于被连接金属和陶瓷热物理性能之间，提高了陶瓷与金属的结合强度，简化了连接工艺，降低了连接成本。
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公开(公告)号：CN1386723A
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN02123962.2
申请日：2002-07-10
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明专利提出的敷置非晶态氧化物膜的陶瓷与金属的连接方法属于陶瓷与金属连接的技术领域,本方法为了克服传统的陶瓷与金属连接方法中连接温度高、真空度高和设备复杂的技术问题。本发明的连接方法包括:敷置非晶态氧化物膜4的陶瓷5与金属3对叠后置于具有电压为100－300伏的直流电场连接炉1中,连接温度为200－500℃,保持时间为5－15分钟,连接压力为50Pa,连接炉1中气氛为空气或低于10－2Pa的低真空。本发明的方法主要用于精密的IC产品中的陶瓷与金属的连接。
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公开(公告)号：CN118102860A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410513307.5
申请日：2024-04-26
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 基于原位生长法制备阻变存储器底电极的方法及其应用，属于半导体薄膜器件技术领域，解决阻变材料的擦写速度、重复擦写次数和保持时间等电学特性不稳定的技术问题，包括以下步骤：1、切割钛合金薄板后进行热处理；2、热处理后钛合金薄板表面研磨和抛光；3、采用原位生长法制备TiO2薄膜复合材料；4、复合材料热处理，制得阻变存储器底电极；在此基础上将制得的阻变存储器底电极用于制备阻变存储器。本发明制备工艺流程简单，产品质量可靠，有望用于新型阻变存储器的开发，提高非易失性存储器的电学性能。
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公开(公告)号：CN118084359A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410483919.4
申请日：2024-04-22
Applicant: 太原理工大学
IPC: C03C27/04
Abstract: 本发明涉及一种钠钙硅玻璃与金属的真空扩散连接方法，属于复合材料制备技术领域，解决钠钙硅玻璃和金属无法连接，或者连接技术成本高、连接温度高、流程复杂、连接质量不稳定等技术问题，本发明包括以下步骤：S1、将待连接金属板进行表面处理，S2、待连接玻璃板进行表面处理，S3、设置中间层，S4、电场激活、真空扩散连接，制得钠钙硅玻璃与金属复合材料。本发明不仅实现了玻璃板与多种金属板的连接，而钠钙硅玻璃与金属复合材料的连接界面良好，界面结合位置处力学性能优异，同时具备生产效率高和生产成本低的优点。
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公开(公告)号：CN113560540A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110763577.8
申请日：2021-07-06
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 制备ZTA陶瓷颗粒增强高铬铸铁基耐磨复合材料的方法，属于金属基耐磨复合材料制备技术领域，解决高铬铸铁液与陶瓷润湿性差、结合差、陶瓷和金属界面结合不理想的技术问题，解决方案为：对陶瓷颗粒清洗后直接添加粘结剂包覆不同种类和含量的活性微粉，或者使用化学镀对陶瓷颗粒表面改性（对ZTA陶瓷颗粒表面镀Ni和/或Co），然后再添加粘结剂包覆不同种类和含量的活性微粉，压制成形后制备具有一定孔隙和形状的预制体，最后采用消失模负压铸造，可有效的改善ZTA陶瓷与高铬铸铁液的润湿性，再采用消失模负压铸造技术，通过高铬铸铁液浸渗陶瓷预制体，制备出高耐磨复合材料，提高使用的可靠性和稳定性。
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