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公开(公告)号：CN118725559A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410886923.5
申请日：2024-07-03
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 一种铝颗粒增强聚酰胺基复合材料的制备方法，属于复合材料设计和异种材料连接技术领域，其特征在于PA66内引入硅烷改性铝球微粒，利用电场激活热压辅助方法(FAPAS)制备样品，异种材料界面发生官能团反应，界面紧密结合，保证材料在高含量铝颗粒添加下的微观结构和界面结合强度。通过硅烷改性的纯铝颗粒，采用FAPAS工艺制备了高含量Al增强PA66复合材料。通电保压过程中，材料内硅烷分子上的硅羟基将和氧化球铝粉表面吸附的羟基发生偶联作用，同时硅烷分子上的环氧基将同聚酰胺PA66分子链上的酰胺基发生插入反应以及附加反应，使界面结合形式由传统的机械咬合转化为化学键合，复合材料静载极限强度得到大幅提升。
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公开(公告)号：CN110698203A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910922132.2
申请日：2019-09-27
Applicant: 太原理工大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 一种单质碲基复合热电材料的制备方法，属于热电材料领域，其特征在于该热电材料化学式为Te1-x(Sb2Se3)x，0≤x≤0.2。本发明所述制备方法包括如下步骤：按上述化学式摩尔分数配比称量各原料组分，将Te块、Sb粉和Se粉真空封装于镀碳石英管中；再将石英管置于垂直管式炉中熔炼；随后进行退火处理；最后将得到的铸锭研磨成细粉，再进行放电等离子烧结成致密的块体具有很低的热导率和较高的热电性能，其热电优值达到0.95。本发明通过熔炼工艺、退火工艺、放电等离子烧结工艺来提高单质碲基复合热电材料的热电性能。与现有技术相比，通过引入硒化锑组元，实现载流子浓度和晶格热导率的协同优化，工艺过程简单可控，成本低。
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公开(公告)号：CN110690340A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910922136.0
申请日：2019-09-27
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明是一种优化碲化铅基热电材料/电极接头性能的方法，属于热电器件制备和连接件技术领域，该方法在界面处构建缺陷的化学势平衡，通过形成中间层，降低与热电材料的接触势垒，实现降低其界面接触电阻的目的，并通过扩散作用提高热电材料与电极材料界面处剪切强度。本发明的优点及用途在于：控制与电极材料FexPb0.15Te1-x-0.15(0.6≤x≤0.8)中的Te含量调控点缺陷浓度，在外加电场和压力场的耦合作用下，在实现热电材料和电极材料致密化的同时，同步实现二者之间的扩散反应形成连接。
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公开(公告)号：CN104692676B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510081087.4
申请日：2015-02-15
Applicant: 太原理工大学
IPC: C03C27/00
Abstract: 本发明公开了一种玻璃管与金属板的电场辅助扩散连接装置及方法，属于异种材料连接的技术领域，其特征是将玻璃嵌套进环状的石墨模具内，通过石墨模具改变电场的分布方式，使得电场集中施加在玻璃的底部，同时将传统玻璃中的Na2O替换为Li2O，通过高温和高压电场促使玻璃基体中碱金属氧化物电离分解迁移，提高了键合界面的反应速度和化学键的密度，有利于提高连接界面的强度。实现了长玻璃管与金属板的连接，为复杂电子器件的设计提供了技术支持。
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公开(公告)号：CN103172346B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310106901.4
申请日：2013-03-29
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 一种电场反应热压法制备多孔纳米镁硅基块体热电材料的方法，属于热电材料及制备方法的技术领域，其特征在于是一种采用电场反应热压法一步制备多孔纳米Mg2Si基块体热电材料的方法，该方法一步实现Mg2Si的反应合成和致密化烧结，工序简单，成本低，生成物纯度高，方便添加各种掺杂物质，生成物具有多孔纳米结构。有效避免了多步制备方法中对产品的持续污染。同时，反应和烧结致密化同步进行，降低了产品制备所需要的温度和时间，有效抑制晶粒粗化。在保护气体作用下，反应副产物以纳米孔洞的形式聚集于晶界，进一步抑制晶粒长大并增强声子散射。生成的产物反应完全，晶粒尺寸小于70nm，断面孔洞率约为5-15%，孔洞和纳米晶粒的共存在有利于减小产物热导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102583391B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210026254.1
申请日：2012-01-19
Applicant: 太原理工大学
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 一种高纯纳米粉体Mg2-xSiTMx热电材料的制备方法，属于热电材料制备领域，具体而言是一种用微波反应法制备高纯纳米粉体Mg2-xSiTMx热电材料的方法的技术方案。其特征在于是由MgH2粉、Si粉和过渡金属氢化物TMHy粉在微波炉中反应，反应全过程在流动Ar气保护下，MgH2和TMHy分解温度均小于350℃，在反应过程中反应物易于分解并均匀分布于基体中，其强还原性有助于抑制基体表面吸附氧和氧化产物的进一步形成，得到纯度为≥99.95％的高纯纳米Mg2-xSiTMx粉末。本方法的特点是工艺简单且高效节能，制备出的Mg1-xSiTMx热电材料具有较好的热电性能。
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公开(公告)号：CN1844037A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610012669.8
申请日：2006-04-30
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 一种多层陶瓷内衬复合管及其制备方法，是一种以金属间化合物和钛化物为陶瓷内衬复合钢管及其制备方法属于梯度复合材料的技术领域，本发明克服了采用离心自蔓延燃烧法制备陶瓷内衬复合管时陶瓷层与金属层为机械结合结构和力学性能不高的缺点。其特征在于是在钢管内填充混合的反应原料粉末并固定在旋转机构上，当转速达到1500～2000rpm时，用点火器点燃反应原料并使之形成高温自蔓延反应；高温反应合成的反应物按照不同密度在钢管内壁形成层状内衬层；合成的内衬层结构沿径向依次为钢管—金属间化合物—钛化物陶瓷—氧化铝陶瓷。本发明结合强度、力学性能、抗磨损和抗腐蚀性能得到显著提高。
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公开(公告)号：CN1168686C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN02123962.2
申请日：2002-07-10
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明专利提出的敷置非晶态氧化物膜的陶瓷与金属的连接方法属于陶瓷与金属连接的技术领域，本方法为了克服传统的陶瓷与金属连接方法中连接温度高、真空度高和设备复杂的技术问题。本发明的连接方法包括：敷置非晶态氧化物膜4的陶瓷5与金属3对叠后置于具有电压为100-300伏的直流电场连接炉1中，连接温度为200-500℃，保持时间为5-15分钟，连接压力为50Pa，连接炉1中气氛为空气或低于10-2Pa的低真空。本发明的方法主要用于精密的IC产品中的陶瓷与金属的连接。
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公开(公告)号：CN118102860B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410513307.5
申请日：2024-04-26
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 基于原位生长法制备阻变存储器底电极的方法及其应用，属于半导体薄膜器件技术领域，解决阻变材料的擦写速度、重复擦写次数和保持时间等电学特性不稳定的技术问题，包括以下步骤：1、切割钛合金薄板后进行热处理；2、热处理后钛合金薄板表面研磨和抛光；3、采用原位生长法制备TiO2薄膜复合材料；4、复合材料热处理，制得阻变存储器底电极；在此基础上将制得的阻变存储器底电极用于制备阻变存储器。本发明制备工艺流程简单，产品质量可靠，有望用于新型阻变存储器的开发，提高非易失性存储器的电学性能。
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公开(公告)号：CN110707205B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201910922138.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 太原理工大学
IPC: H10N10/817 , H10N10/82 , H10N10/01 , B22F3/105 , B22F7/02
Abstract: 本发明一种提升Te基热电接头性能的方法，属热电器件制备和连接件技术领域，其特征在于在热电材料和电极材料之间引入合适的化合物作为阻隔层，构建热电接头浓度梯度结构，解决二者连接过程中元素的严重扩散导致的热电接头性能削弱的问题，实现热电接头性能提升和服役寿命提高的目的。通过在Fe和Te之间引入原子百分比在0
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