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公开(公告)号：CN117273168A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311238148.4
申请日：2023-09-25
Applicant: 河北工业大学 , 之江实验室 , 电子科技大学(深圳)高等研究院 , 大连理工大学
IPC: G06N20/00 , G06N3/0455 , G06N3/08 , G06F21/62
Abstract: 本发明提供了一种联邦大模型自适应学习系统。在多目标优化与增量学习结合的基础上，构建多个优化指标，设计自适应的小模型增量学习；针对联邦学习下的数据隐私保护，提出小模型梯度放缩方法，使梯度信息得到充分利用；通过揭示模型泛化能力与采样数据的关联性，提出泛化能力评估函数；针对工业设备运行时面对的性能退化、故障等真实问题，结合泛化能力评估函数，设计多个优化目标，通过多目标演化学习自适应地更新与修复模型，提高大模型在真实工业场景下的可用性。最终实现大、小模型的自适应精准更新，提升模型泛化能力。
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公开(公告)号：CN113162613B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110581803.0
申请日：2021-05-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，提供一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，包括：斜坡发生器和控制信号生成电路；所述控制信号生成电路，用于对输入参考时钟信号和输出时钟信号进行采样和比较，生成包含有相位差信息的控制信号，用于斜坡发生器的充放电控制；所述斜坡发生器，包括：基准电流源、电压跟随器、第一电容、基准电压源、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。本发明能够实现线性的，连续的相位误差比较，降低相位误差比较器的量化噪声，实现低噪声锁相环。
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公开(公告)号：CN116192065A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211599396.7
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提出一种防止全差分运算放大器共模闩锁效应的保护电路，属于集成电路设计技术领域。该保护电路包括全差分运算放大器、充电电路、放电电路和闩锁检测电路。该保护电路用来检测全差分运算放大器输出共模电平并在全差分运算放大器处于低电平闩锁时，控制放电电路对输出节点的前一级进行放电将其推离低电平闩锁；在全差分运算放大器处于高电平闩锁时，控制充电电路对输出节点的前一级进行充电将其拉低脱离高电平闩锁；并在电路解除闩锁后使共模闩锁保护电路处于休眠状态，减少能耗损失。同时该保护电路的高低阈值电平对工艺、供电电压、环境温度的波动不敏感，具有鲁棒性。
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公开(公告)号：CN115984127A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211599415.6
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于GPU的实时图像降噪方法，属于图像处理领域。使用opencv读取输入图片，并将图片像素值归一化至[0,255]。将图像数据由主机端传至设备端，将图像数据存入共享内存中,每个线程依次读取共享内存中对应的9个点并将其存入3x3的窗口window中，判断3x3窗口中的椒盐噪声点的数量，采用相应的降噪方法进行处理。将经过设备端处理后的数据传至主机端，并使用opencv读取并显示经过降噪处理后的图像。该方法解决了目前非线性滤波领域存在的滤波耗时长、椒盐噪声与高斯噪声混合起来去除效果差等问题，处理后的图像具有细节信息损失较少、图像清晰度高、纹理特征明显等特点，可实时处理及显示去噪后的图像。
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公开(公告)号：CN115914872A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211599385.9
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: H04N25/78 , H04N25/57 , H04N25/616 , H04N25/65
Abstract: 本发明提出一种实现像素内CDS的具有高动态范围的CTIA读出电路，属于图像传感器读出电路技术领域。本发明提出的读出电路可以单独操作，根据不同的光源强度结合自选电容技术能够选择合适的积分电容，扩大其动态范围。在光信号较弱的情况下，使用小电容作为积分电容，同时将未使用的大电容作为带宽限制电容，能够有效降低电路噪声。在光信号较强的情况下，使用大电容和小电容并联作为积分电容，能够扩大探测光电流的范围。为了兼容ITR和IWR两种工作模式，本发明在传统的CDS结构中增加一路采样保持电路，能够使得每一帧的周期近似等于信号读出的时间，读出速率大大加快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115833839A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211598467.1
申请日：2022-12-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开一种采用底极板采样时序的单调切换型逐次逼近模数转换器，包括采样保持电路、比较器、数模转换器、异步时钟产生模块、多时钟分时控制的逐次逼近控制模块和数字纠错电路。逐次逼近逼近控制逻辑采用多时钟分时控制，采用底极板采样技术中的开关切换时序代替单调切换型逐次逼近模数转换器顶极板采样技术的开关切换时序，在采样阶段，使输入信号通过采样保持电路连接在数模转换器中电容阵列的顶极板和比较器的输入端，但是采样保持电路中的开关和电容阵列底极板控制开关采用底极板采样的时序进行切换来完成信号的采样。对数模转换器模块采用非二进制冗余技术和分段架构，减少单位电容的数量，提高转换过程中对参考电压建立误差的容忍度。
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公开(公告)号：CN113485512A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110842021.8
申请日：2021-07-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及传感器设计与应用技术领域，提供一种低功耗改进型带隙基准温度读出电路，包括彼此电连接的模数转换电路和带隙基准电路，所述带隙基准电路包括目标电压产生电路和运算放大器。所述目标电压产生电路包括：第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器和第四电阻器。所述运算放大器的负极输入端连接有第一节点，正极输入端连接有第二节点，输出端连接有第四节点；第三电阻器和第四电阻器的上端都接有电源电压，下端分别连接到所述第一节点和第二节点。本发明能够提高温度读出的效率并降低功耗。
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公开(公告)号：CN103469299B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310398997.6
申请日：2013-09-05
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种掺杂氧化镓膜的制备方法及掺杂氧化镓膜，该掺杂氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：选取衬底，所述衬底中含有目标掺杂元素；采用金属有机物化学气相沉积法在所述衬底上制备氧化镓膜，得到掺杂氧化镓膜初品；对制备得到的掺杂氧化镓膜初品进行热处理和激活，得到掺杂氧化镓膜。本发明掺杂氧化镓膜的制备方法步骤科学、合理，有效解决了目前金属有机物化学气相沉积法难以实现氧化镓膜的多种类、安全、有效掺杂的问题。本发明制备得到的掺杂氧化镓膜具有优良的导电特性。
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公开(公告)号：CN103456603B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310401102.X
申请日：2013-09-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法及氧化镓膜，在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法包括以下步骤：选取镓系半导体衬底，并清理镓系半导体衬底表面；然后在含有氧分压的气氛中，采用外部能量对镓系半导体衬底进行处理，将镓系半导体衬底表面区域的镓原子与其它组分原子形成的化学键打开，使得镓原子与气氛中的氧原子结合形成镓氧键；最后采用氧化镓膜生长技术在处理后的镓系半导体衬底上生长氧化镓膜。本发明在镓系异质半导体衬底上制备氧化镓膜的方法步骤科学、合理，解决了现有技术的诸多问题，有效降低了异质外延生长氧化镓膜的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102543988B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210052040.1
申请日：2012-03-02
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/64
Abstract: 本发明公开了一种金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED及制备方法。本发明金属支撑垂直结构无荧光粉白光LED是将发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED连接在一起，在电流驱动下发射白光。本发明的特点是将两种发射不同颜色光的LED（分别为发射蓝光的LED和发射红光、黄光或红黄混合光的LED）通过直接键合技术集成在一起；金属支撑基板作为整个器件的新支撑体与衬底剥离工艺使得器件的散热性能得到大幅提升，解决了LED结温影响发光性能的弊端；多电极的引入可分别控制红光、黄光或红黄混合光与蓝光比例，以调节白光LED的色温；欧姆接触合金发射层的存在与GaAs衬底的剥离使得器件的光提取效率得到大幅度提升。
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