荫罩和荫罩用的基质材料
    31.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1155045C

    公开(公告)日:2004-06-23

    申请号:CN99125585.2

    申请日:1999-10-20

    Inventor: 牧田明 松元丰

    CPC classification number: H01J29/07

    Abstract: 本发明是关于高精细度孔板,是含有小孔侧表面中心线平均粗糙度Ra在0.25μm以下,大孔侧表面中心线平均粗糙度Ra比小孔侧表面中心线平均粗糙度Ra大0.25μm以上,而且大孔侧中心线表面粗糙度Ra在1μm以下的含有展开型屏蔽罩的孔板,和孔板用基质材料。

    孔板和孔板用的基质材料
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1254177A

    公开(公告)日:2000-05-24

    申请号:CN99125585.2

    申请日:1999-10-20

    Inventor: 牧田明 松元丰

    CPC classification number: H01J29/07

    Abstract: 本发明是关于高精细度孔板,是含有小孔侧表面中心线平均粗糙度Ra在0.25μm以下,大孔侧表面中心线平均粗糙度Ra比小孔侧表面中心线平均粗糙度Ra大0.25μm以上,而且大孔侧中心线表面粗糙度Ra在1μm以下的含有展开型屏蔽罩的孔板,和孔板用基质材料。

    蒸镀掩模装置的制造方法
    37.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105322102B

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201510639577.1

    申请日:2013-01-11

    Abstract: 本发明是一种蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法及有机半导体元件的制造方法,其课题为提供即使作为大型化也可同时满足高精细化与轻量化的蒸镀掩模、可将此蒸镀掩模高精度地调整位置于框体的蒸镀掩模装置的制造方法及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。层积而构成设置有缝隙的金属掩模和树脂掩模,所述树脂掩模位于所述金属掩模表面,并且纵横配置有两列以上与蒸镀制作的图案相对应的开口部。

    蒸镀掩模准备体
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105331927B

    公开(公告)日:2018-09-11

    申请号:CN201510639596.4

    申请日:2013-01-11

    Abstract: 本发明是一种蒸镀掩模、蒸镀掩模装置的制造方法及有机半导体元件的制造方法,其课题为提供即使作为大型化也可同时满足高精细化与轻量化的蒸镀掩模、可将此蒸镀掩模高精度地调整位置于框体的蒸镀掩模装置的制造方法及可制造高精细的有机半导体元件的有机半导体元件的制造方法。层积而构成设置有缝隙的金属掩模和树脂掩模,所述树脂掩模位于所述金属掩模表面,并且纵横配置有两列以上与蒸镀制作的图案相对应的开口部。

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