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公开(公告)号:CN109658881A
公开(公告)日:2019-04-19
申请号:CN201811169890.3
申请日:2018-10-08
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供移位寄存器和具备移位寄存器的显示装置。构成移位寄存器的各层的单位电路(4)由具有与现有单位电路几乎相同的结构的传输部(401)、用于存储在实施了扫描的中途停止时的传输部(401)内的第一节点(N1)的状态的状态存储部(402)以及将状态存储部(402)与传输部(401)连接起来以将基于来自状态存储部(402)的输出信号(QX)的电荷向第一节点(N1)供给的连接部(403)构成。对状态存储部(402)的动作进行控制的控制时钟信号(CKX)、(CKXB)的时钟动作在栅极时钟信号的时钟动作停止时实施。
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公开(公告)号:CN103503057B
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201280019583.1
申请日:2012-05-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 岩濑泰章
CPC classification number: H03K3/012 , G09G3/3677 , G09G3/3696 , G09G2310/0286 , G11C19/28
Abstract: 本发明的目的在于减少功耗并且提高开关元件的可靠性。在垂直回扫期间时,终止信号(ED)从低电平变化为高电平。设于扫描信号线驱动电路的移位寄存器中的相互级联连接的m级的双稳态电路的第1~m-1级第1节点(N1)的电位被可靠地维持为低电平,并且第1~m-1级第2节点(N2)的电位从高电平变化为低电平。在第m级的双稳态电路中,第m级第1节点(N1)的电位从高电平变化为低电平,并且第m级第2节点(N2)的电位维持为低电平。另外,停止对双稳态电路提供时钟信号(CKA,CKB)。到下一个垂直扫描期间的写入期间为止,各级中的第1节点(N1)的电位和第2节点(N2)的电位被维持为低电平。
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公开(公告)号:CN102224539B
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN200980146972.9
申请日:2009-08-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G2310/0286 , G09G2330/021 , G09G2330/025 , G11C19/184 , G11C19/28
Abstract: 即使使用截止漏电比较大的薄膜晶体管来构成移位寄存器内的电路时也能实现能抑制该薄膜晶体管中的漏电流造成的不必要的功耗的(显示装置的)扫描信号线驱动电路。构成移位寄存器的各双稳定电路具备:用于基于第1时钟使输出端子(49)的电位上升的薄膜晶体管(T1);与薄膜晶体管(T1)的栅极端子连接的区域(netA);用于使区域(netA)的电位下降的薄膜晶体管(T2);以及与薄膜晶体管(T2)的栅极端子连接的区域(netB)。在这样的结构中,使区域(netB)的电位基于相位比第1时钟超前90度的第3时钟而上升,基于相位比第1时钟落后90度的第4时钟而下降。
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公开(公告)号:CN1263141C
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200410003978.X
申请日:2004-02-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C11/34
CPC classification number: H01L21/28273 , G11C16/0408 , H01L21/28282 , H01L29/7923
Abstract: 一种包括存储单元和放大器的半导体存储器件,此存储单元具有经由栅绝缘膜形成在半导体层上的栅电极、排列在栅电极下方的沟道区、排列在沟道区二侧上且导电类型与沟道区相反的扩散区、以及形成在栅电极二侧上且具有保持电荷的功能的存储功能单元,存储单元和放大器被彼此连接成使存储单元的输出被输入到放大器。
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