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公开(公告)号：CN116355331A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310299277.8
申请日：2023-03-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种核壳结构钛酸钡掺杂PVDF基复合薄膜及其制备方法和应用，涉及介质电容器技术领域。本发明的目的是为了解决传统复合材料掺杂无机纳米填料后，复合薄膜存在介电损耗明显增加以及击穿场强降低的问题。方法：本发明中无机核壳纳米填料在三元共聚物基体中能够较好的分散，提升了复合介质的介电性能。无机核壳纳米纤维所具有的大长径比特征能够有效的阻止电树枝伸展，进一步提高复合薄膜的击穿强度。壳层氧化铝的引入缓解了钛酸钡与聚合物基体之间的介电差异，能够有效减少界面处的电场畸变情况，无机核壳纳米纤维的引入能够获得击穿强度和储能密度的有效提升。本发明可获得一种核壳结构钛酸钡掺杂PVDF基复合薄膜及其制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN116285184A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310284215.X
申请日：2023-03-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种全有机四项共混储能复合材料的制备方法及应用，涉及聚偏氟乙烯基聚合物储能技术领域。本发明的目的是为了解决传统的纯聚偏氟乙烯类聚合物薄膜存在介电损耗和电导率增加，以及充放电效率降低的问题。方法：将聚偏氟乙烯‑六氟丙烯共聚物、聚偏氟乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯加入到聚丙烯酸乙酯‑氯乙醚混合溶液a中，搅拌均匀后，得到混合溶液b；然后将混合溶液b抽真空，得到混合溶液c；再将混合溶液c均匀涂覆在预处理过的基板的一个面上，固化后将基板上的薄膜剥离，得到全有机四项共混储能复合材料。本发明可获得一种全有机四项共混储能复合材料的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN116178895A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310143294.2
申请日：2023-02-21
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高导热环氧树脂复合材料及其制备方法和应用，属于高导热复合材料制备技术领域。本发明解决了现有聚合物复合材料导热性低和介电性能差，以及复合材料制备工艺的复杂和存在环境污染等问题。本发明首先制备了三维BN‑C杂化导热网络，然后通过浸渍环氧树脂，最后通过固化获得高导热环氧树脂复合材料。本发明制备的三维骨架结构的BN‑C杂化导热网络能显著提高环氧树脂的导热性能，有望作为一种新能源驱动电机的导热封装绝缘材料。此外，本发明提供的高导热环氧树脂复合材料制备工艺的成本较低，实施较易，环保性好，所需仪器的操作简便安全。
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公开(公告)号：CN114559719B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210191175.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高击穿和高储能的FPE与P(VDF‑HFP)基多层结构复合薄膜及其制备方法，涉及复合薄膜制备技术领域。本发明的目的是为了解决传统的复合材料薄膜不能兼具高介电常数和高击穿强度的问题。方法：将P(VDF‑HFP)薄膜置于两层FPE薄膜之间，进行热压工艺处理，最后冷却，得到高击穿和高储能的FPE与P(VDF‑HFP)基多层结构复合薄膜。本发明可获得一种高击穿和高储能的FPE与P(VDF‑HFP)基多层结构复合薄膜及其制备方法。
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公开(公告)号：CN114854061A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210575773.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法及应用，涉及聚酰亚胺基复合材料薄膜技术领域。本发明的目的是为了解决以聚酰亚胺为基体的传统复合材料薄膜通常介电常数低，并且掺杂填料后复合薄膜的介电损耗和电导率存在明显增加以及击穿场强降低的问题。方法：将五氧化二铌施主掺杂二氧化硅颗粒a加入到N,N‑二甲基乙酰胺溶液中，超声，然后向混合溶液b中加入4,4′‑二氨基二苯醚，超声，再将3,3',4,4'‑联苯四甲酸二酐加入到混合溶液c中，搅拌得到混合溶液d；最后将混合溶液d成膜，得到施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜。本发明可获得一种施主掺杂二氧化硅/聚酰亚胺基复合薄膜的制备方法及应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114539771A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210300137.3
申请日：2022-03-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种受主掺杂填料/聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用，涉及绝缘材料技术领域。本发明的目的是为了解决传统的以聚酰亚胺为基体的复合材料掺杂纳米填料后复合薄膜的介电损耗和电导率存在明显增加以及击穿场强降低的问题。方法：将受主掺杂填料加入到N,N‑二甲基乙酰胺溶液中，超声得到混合溶液a；向混合溶液a中加入4,4’‑二胺基二苯醚，搅拌至其溶解，得到混合溶液b；将均苯四甲酸酐加入到混合溶液b中，搅拌至粘稠状，得到聚酰亚胺酸胶体，抽真空，将聚酰亚胺酸胶体均匀涂覆在基板上，固化，再将基板在350℃下保温1～1.5h，冷却至室温。本发明可获得一种受主掺杂填料/聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用。
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公开(公告)号：CN113493346A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110672536.8
申请日：2021-06-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/491 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/64 , H01G4/08
Abstract: 本发明公开了一种高击穿场强的储能薄膜及其制备方法，属于高性能储能薄膜材料制备技术领域。本发明解决了现有制备的储能薄膜击穿场强低、性能调控过程复杂以及储能密度低下等技术问题。本发明通过分层退火的方式，实现了高退火温度下的极化层叠加低退火温度下的耐压层，成功制备了具有电学性能的铁电薄膜。相较于现有离子掺杂、调控退火温度等现有解决手段相比，该薄膜结构设计方案，极大地降低了制备工艺的操作难度以及能源消耗，更加贴近工业生产并显著提高了储能密度。
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公开(公告)号：CN113232390A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110540254.2
申请日：2021-05-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B32B27/30 , B32B27/20 , B32B27/06 , B32B38/16 , B32B38/00 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/08 , D01F6/48 , D01F1/10 , D01F9/08 , D01D5/00 , D04H1/4326 , D04H1/4382 , D04H1/728 , D06C7/04
Abstract: 一种一维铁磁填料呈梯度化分布的柔性多铁复合介质及其制备方法，它属于多铁复合介质制备技术领域。本发明要解决的技术问题为提高多铁复合介质的性能。本发明通过设计填料梯度化的七层复合介质，采用溶胶‑凝胶法和静电纺丝技术制备具有大长径比的无机纤维填充相，然后将纤维按一定梯度与P(VDF‑TrFE)复合并进行热压处理，从而得到致密的高定向所述的一种一维铁磁填料呈梯度化分布的柔性多铁复合介质。通过测试，发现填料梯度为0，5，15，50，15，5，0vol％，当电场为900kv/cm时，最大极化和剩余极化分别可达15.2μC/cm2和11.7μC/cm2，磁电耦合系数可达3322.8mV/cm*Oe。
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公开(公告)号：CN112679637A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011571990.6
申请日：2020-12-27
Applicant: 苏州固泰新材股份有限公司 , 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明属于压电材料技术领域，具体涉及一种聚偏氟乙烯压电复合薄膜的制备方法。其包括如下步骤：制备碳纳米管悬浮液、PVDF悬浮聚合、拉伸成膜和冷却卷收。本发明提供的技术方案在悬浮聚合制备PVDF过程中加入碳纳米管悬浮液，有效防止了纳米微粒的团聚问题，保证了其在PVDF中重复发挥结晶核的作用，从而制备出了β晶含量很高的PVDF压片，然后通过控制后续成膜过程，防止了在成膜过程中β晶向α晶的转化，最终获得了高β晶含量的PVDF压电薄膜。
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公开(公告)号：CN111575918A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010455964.0
申请日：2020-05-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种具有双梯度结构的聚醚酰亚胺基复合介质及其制备方法与应用，属于储能电介质技术领域。为解决填料掺杂量过高导致复合介质击穿性能下降的问题，本发明提供了一种具有双梯度结构的聚醚酰亚胺基复合介质，由含有BNNS的填料层与含有BZCT@SiO2 NFs的填料层逐层交替纺丝并经热压和淬火工艺获得，其中两种填料在介质中的含量分别呈梯度分布和反向梯度分布。本发明实现了更高体积分数的高介电常数填料在不影响击穿强度的情况下，增强了复合介质的能量密度，同时使复合介质保持了极高的储能效率，最高储能密度为9.1J/cm3，最高储能效率为94.6％，可用于制造优良储能特性的电介质储能器件。
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