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公开(公告)号：CN103824704B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410061924.2
申请日：2014-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种碳纳米管?石墨烯超级电容器复合电极材料的制备方法，它涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有CVD方法制备的石墨烯存在制备温度较高，厘米量级的石墨烯不能作为电极材料应用于超级电容器中的问题。方法：将基底材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，升温至温度为700℃～900℃，再通入碳源气体调节压强进行沉积，沉积结束后，停止通入碳源气体，最后冷却至100℃以下，即得到碳纳米管?石墨烯超级电容器复合电极材料。本发明用于一种碳纳米管?石墨烯超级电容器复合电极材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN103497510B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310469854.X
申请日：2013-10-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种聚酰亚胺/碳纳米管X射线窗口薄膜的应用，它涉及X射线应用的材料测试领域，具体涉及一种X射线窗口薄膜的应用。本发明的目的是要解决现有技术制备的铍窗口因有毒不能在裸露空气中使用的问题。聚酰亚胺/碳纳米管X射线窗口薄膜替代传统的铍窗口，作为X射线窗口材料使用。
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公开(公告)号：CN104726733A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510128523.9
申请日：2015-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种钛酸锶钡增强铜基/铝基复合材料，所述复合材料以体积百分比计，由30~95%金属基体和5~70%增强体制成，所述金属基体为铜粉、铜合金粉、铝粉或铝合金粉；增强体为Ba1-xSrxTiO3或包覆铜、银或氧化锆的Ba1-xSrxTiO3，其中0≤x≤1。该复合材料除具有可镀覆性、可焊性、耐蚀性、良好的电磁波干扰（EMI）/射频干扰（RFI）屏蔽能力、高强度、高硬度，优良的加工性、成型性和低廉的价格外，同时具备高热导性、高电导性、低热膨胀系数的性能，在-100~200℃热膨胀系数为1×10-6~9×10-6，热导率为70~380W/m·K。
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公开(公告)号：CN102965533B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210344114.9
申请日：2012-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C1/05 , C22C32/00 , C22C47/12 , C22C49/14 , C22C101/02 , C22C101/06
Abstract: 纳米氧化锆/陶瓷增强体预制件的制备方法及利用该预制件制备轻金属基复合材料的方法，它涉及预制件的制备方法以及利用该预制件制备轻金属基复合材料的方法。本发明是要解决现有方法制备的预制件强度低以及轻金属基复合材料的拉伸强度低的问题。制备方法：一、制备纳米氧化锆前驱体；二、将陶瓷增强体与纳米氧化锆前驱体溶液混合，进行预制件成型并烧结处理，即得到纳米氧化锆/陶瓷增强体预制件，将本发明制备的预制件与轻金属复合，制备轻金属基复合材料。本发明制备的预制件的压缩强度提高了50～100％，轻金属基复合材料的拉伸强度提高5～20％。本发明应用在航天、汽车以及民用工程领域。
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公开(公告)号：CN104064378A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410338863.X
申请日：2014-07-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86 , C23C16/513 , C23C16/26
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种低成本三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料的制备方法，本发明涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯基超级电容器采用的石墨烯材料大部分为氧化法制备的石墨烯，结构缺陷多，表面含氧官能团很多，极大地恶化了石墨烯基超级电容器的性能，使得超级电容器在使用过程中与电解液的润湿性差，有效反应面积降低，难以发挥出石墨烯材料的高比表面积及优异电学性能。本发明的方法：将基体材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节温度及压强，再通入甲烷气体进行沉积，沉积结束后，即得到三维结构石墨烯-铝超级电容器复合电极材料。本发明用于制备石墨烯-铝超级电容器复合电极材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102838110A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210344115.3
申请日：2012-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种石墨烯粉体的制备方法，它涉及碳结构材料的制备方法。本发明是要解决现有石墨烯的制备方法无法同时具备原料易保存运输、操作方法简单、成本低、可连续生产、环保的优点的问题。制备方法：通过研磨混合，制备镁粉和碳酸盐粉末的混合粉体，将该混合粉体进行燃烧合成反应，得到石墨烯粉体。本发明的石墨烯粉体的制备方法同时具备原料易保存和运输、操作方法简单、成本低、可连续生产、环保的优点，制备出的石墨烯粉体缺陷较少且厚度较小。本发明适用于石墨烯的工业化生产。
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公开(公告)号：CN102627452A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210141983.1
申请日：2012-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 织构化BiFeO3陶瓷的制备方法，它涉及一种陶瓷的制备方法。本发明解决了现有方法制备的BiFeO3陶瓷致密性差的问题。本方法如下：一、制备Fe(NO3)3溶胶；二、制备BiFeO3溶胶；三、制备纳米粉末；四、制备陶瓷片；五、将陶瓷片在800℃～850℃保温2h～6h，即得织构化BiFeO3陶瓷。本方法有效解决了传统固相合成球磨法会打碎Bi2O3纳米棒，无法形成织构的弊端，本发明利用Bi2O3纳米棒的取向性，采用溶胶凝胶燃烧法制备织构化BiFeO3陶瓷，利用陶瓷晶粒的定向排列，在较低的陶瓷烧结温度下，获得致密化的BiFeO3陶瓷。
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公开(公告)号：CN101582483B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910072387.0
申请日：2009-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 具有“三明治”结构的多孔强织构热释电薄膜的制备方法，它涉及一种多孔热释电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的多孔热释电薄膜中织构难以形成、漏电流大及薄膜表面质量差的问题。方法：一、制备热释电薄膜A；二、在薄膜A的基础上，制备得到热释电薄膜B；三、将钛酸铅镧钙系铁电薄膜再沉积到热释电薄膜B上，然后进行退火结晶处理，即得具有“三明治”结构的多孔热释电薄膜。本方法制备出来的多孔热释电薄膜具有优异的铁电性能的同时，保持强织构、低漏电流及薄膜表面光滑、致密的优点，本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。
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公开(公告)号：CN101659392A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910072820.0
申请日：2009-09-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B82B3/00 , C04B35/462 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 低结晶温度下制备织构可控的铅基铁电薄膜的方法，它涉及一种制备铅基铁电薄膜的方法。它解决了现有方法在铁电薄膜制备过程中晶化温度过高、织构难以控制、成本高且不利于大面积Si集成电路的应用的问题。方法：一、制备种子层薄膜A；二、在薄膜A上继续沉积钛酸铅系铁电薄膜，然后进行退火结晶处理，通过改变种子层薄膜A的厚度，得织构可控的铅基铁电薄膜。本方法在较低的晶化温度制备完成的，所得薄膜具有优异的铁电性能的同时，保持强织构、薄膜表面光滑、致密的优点，本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。
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公开(公告)号：CN101582483A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910072387.0
申请日：2009-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 具有“三明治”结构的多孔强织构热释电薄膜的制备方法，它涉及一种多孔热释电薄膜的制备方法。它解决了现有方法制备出的多孔热释电薄膜中织构难以形成、漏电流大及薄膜表面质量差的问题。方法：一、制备热释电薄膜A；二、在薄膜A的基础上，制备得到热释电薄膜B；三、将钛酸铅镧钙系铁电薄膜再沉积到热释电薄膜B上，然后进行退火结晶处理，即得具有“三明治”结构的多孔热释电薄膜。本方法制备出来的多孔热释电薄膜具有优异的铁电性能的同时，保持强织构、低漏电流及薄膜表面光滑、致密的优点，本发明工艺简单、设备简单及所用原材料价格低廉、成本低，并易于器件集成，适合于工业化生成。
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