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公开(公告)号：CN100447934C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200410044010.1
申请日：2004-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01J37/02 , H01J37/317 , H05H1/34 , C23C16/513
Abstract: 真空阴极弧直管过滤器，它涉及的是金属等离子体引入材料表面的装置。它是为了解决现有技术不能滤除等离子体中金属颗粒的问题。它的金属过滤墙(5)左侧的端面(5-1)上设有圆形凸台(5-2)，金属过滤墙(5)的通孔(5-4)的轴心线、圆形凸台(5-2)的轴心线与左侧的端面(5-1)的轴心线相重合；真空阴极弧源头(1)的绝缘部分(1-1)镶嵌在金属壳体(2)左侧端盖上的孔(2-1)中，第一过滤线圈(3)、第二过滤线圈(4)并列套接在金属壳体(2)的外壁上，金属过滤墙(5)左侧的端面(5-1)连接在金属壳体(2)的右侧端口(2-2)上，金属过滤墙(5)右侧的端面(5-3)连接在真空室壁(6)的入口端(6-1)上。本发明能高效滤除等离子体中的金属颗粒，所获等离子体的纯净度高，并具有结构简单、易维护、制造成本低等优点。
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公开(公告)号：CN101008598A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710071604.5
申请日：2007-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种摩擦磨损实验机，本发明涉及一种摩擦磨损过程的模拟、检测装置。它克服了传统的摩擦磨损试验装置存在一定的误差的缺陷。它包括转盘、旋转驱动装置、钢球和施压装置，它还包括试样阻值检测电路等，试样阻值检测电路由电源、电阻、采集放大电路、光电隔离电路、模数转换电路和计算机组成，旋转驱动装置与转盘的下端面相连接，钢球的上端固定在施压装置的下端上，电源的一个输出端通过电阻固定在钢球上，电源的另一个输出端连接在转盘上，采集放大电路的两个输入端分别固定在钢球和转盘上，采集放大电路的输出端通过光电隔离电路、模数转换电路连接计算机的输入端。摩擦力传递杠杆力臂能够通过改变摩擦力传感器的位置来调节。
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公开(公告)号：CN1180124C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN02133102.2
申请日：2002-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 管筒状工件内表面束线离子注入装置，它涉及一种对管筒状工件内表面实施离子注入的装置，特别是对细长管内壁实施离子注入的装置。它包含离子注入机(1)、真空室(2)、偏转装置(3)和使偏转装置(3)沿工件A轴线平移并自转的偏转传动装置，偏转装置(3)设置在工件A的内孔中，偏转装置(3)包含有产生与离子束飞行方向相反电场的轴向电极(3-1)和接地电极(3-2)，以及设置在轴向电极(3-1)和接地电极(3-2)之间的径向电极(3-3)，轴向电极(3-1)和接地电极(3-2)与工件A的轴线相垂直，在接地电极(3-2)上开有一个使离子束射向轴向电极(3-1)的孔(3-4)，径向电极(3-3)与工件A的轴线相互平行。该装置彻底解决了细长管工件内表面的离子注入问题。
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公开(公告)号：CN119800279A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411973797.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种预离化空心阴极管内放电在细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置及使用方法。它属于表面处理领域。它解决了空心阴极靶变形失效以及难以在细长管筒件内壁均匀而快速沉积大厚度薄膜的问题。装置中包括预离化电源、预离化离子源和阳极环构成的预离化装置；预离化离子源、阳极环、空心阴极靶材、细长管筒件和阳极杆同轴设置。本发明通过设置预离化离子源，降低了空心阴极靶材放电难度，提高了空心阴极靶材放电强度，减少了空心阴极靶材端口热输入，避免了端口过热变形失效，进而提高了薄膜的沉积速率，通过往复机构带动细长管筒件与空心阴极靶材放电区域的相对运动，实现了细长管筒件内等离子体放电和均匀而快速沉积大厚度薄膜的问题。
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公开(公告)号：CN119776821A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510063310.6
申请日：2025-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C24/04
Abstract: 一种7xxx系超高强铝合金冷喷涂硬质修复涂层的方法，涉及一种冷喷涂修复涂层的方法。本发明为了提升高强铝合金结构件冷喷涂修复涂层的性能，提出一种7xxx系超高强铝合金冷喷涂硬质修复涂层的方法，利用等离子快速加热的优势，辅助冷喷涂涂层沉积，在颗粒沉积前、沉积时和沉积后对基体和涂层进行在线热处理，利用等离子弧光的作用软化沉积颗粒、基体与涂层表面，使得颗粒沉积更易达到临界热、力条件，提高冶金结合比例，从而提升涂层结合力和致密度，在线热处理有助于调控基体和涂层组织，从而提升涂层性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118600411A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410672307.X
申请日：2024-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明属于复合涂层的冷喷涂技术领域，提供了一种电镀镍包覆微小尺寸碳化钨颗粒增强铝基复合涂层的冷喷涂方法，首先在恒温水浴锅中，采用电镀工艺在1‑3μm小尺寸碳化钨颗粒表面电镀镍层，获得镍包覆碳化钨颗粒，接着利用球磨机将电镀镍包覆碳化钨颗粒和铝粉末进行低能球磨，使电镀镍包覆碳化钨颗粒均匀分布在铝粉末中，得到混合粉末；本发明通过采用1‑3μm微小尺寸碳化钨颗粒作为原料，相比大尺寸的碳化钨颗粒，小尺寸的碳化钨颗粒在冷喷涂过程中可以从气流中获得更大的加速度，通过在其表面镀镍，可以减少小尺寸碳化钨颗粒在冷喷涂过程中的损失以及降低到达基体表面产生的弓形冲击效应，从而更容易保留在涂层中。
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公开(公告)号：CN117305828A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311283664.9
申请日：2023-10-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高含量微氧化‑电镀镍包覆碳化硅颗粒增强铝基复合涂层的冷喷涂方法，涉及一种铝基复合涂层的冷喷涂方法。冷喷涂方法：在大气条件下对碳化硅颗粒微氧化处理，在表面电镀镍层，和铝粉末进行低能球磨，最后进行冷喷涂。本发明通过高温氧化和电镀技术，在碳化硅粉颗粒表面镀镍，获得内核为增强相碳化硅颗粒和壳为延展性金属镍组成的核壳结构粉末，避免了增强相碳化硅和基体金属铝结合差以及碳化硅颗粒碰撞碎裂引起的组织缺陷，提高了沉积速率，可以避免有害的微观结构变化或氧化，减少热效应，提高颗粒‑颗粒和颗粒‑基体的结合强度、涂层内部的组织均匀性和减少碳化硅碎裂带来的组织缺陷，具有优异抗氧化性能、防腐性能和耐磨损性能。
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公开(公告)号：CN116087122A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310072520.2
申请日：2023-01-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 长管道内部等离子体密度实时监测系统及其应用方法，本发明为了解决现有长管道内部镀膜时等离子体密度难以检测的问题。本发明长管道内部等离子体密度实时监测系统中在减震平台的台面左右两侧设置有支座，导轨上滑动连接有三个移动架，三个移动架上分别设置有长焦距透镜、短焦距透镜和光谱探头，导轨上固定连接有固定支架，可伸缩暗室设置在固定支架上，长焦距透镜、短焦距透镜和探头位于可伸缩暗室内部，可伸缩暗室的敞口端与镀膜管道对接，可伸缩暗室的另一端封闭，探头通过连接线与光谱分析仪相连。本发明能适合长度较长的管道内放电等离子体监测，实时的自动监控管道内任意位置等离子体密度，并绘制出管道内等离子体光谱强度的分布。
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公开(公告)号：CN114875367A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210485242.9
申请日：2022-05-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制的沉积厚的四面体非晶碳膜(ta‑C)的方法，本发明是为了解决ta‑C碳膜制备过程中较高的固有应力，限制了碳膜厚度的问题。沉积厚的ta‑C的方法：一、真空室内石墨阴极靶材与脉冲阴极弧电源连接，工件基体与工件脉冲偏压电源相连接；二、抽真空通入氩气，通过脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制放电模式沉积ta‑C碳膜，其中工件偏压脉冲中先施加多段正向短脉冲，之后的多段负向工件偏压脉冲与脉冲阴极弧多段正向脉冲保持同频率和脉宽工作。本发明通过多段正向偏压脉冲排斥Ar+离子，规避Ar+离子对膜层的轰击夯实作用，降低薄膜应力。通过多段脉冲的设计有效地控制了薄膜沉积过程中的膜层温度。
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公开(公告)号：CN111748789A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010663232.0
申请日：2020-07-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/503 , C23C16/515 , C23C16/517 , C23C14/16 , C23C14/06
Abstract: 一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法，本发明涉及一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法。本发明的目的是解决现有金属阴极弧增强辉光放电制备DLC时金属元素对DLC的“污染”问题，本发明在石墨阴极弧与阳极之间构建放电通路，含碳气体在放电通路上通入，通入的含碳气体被石墨阴极弧发射出来的高密度电子离化，沉积在工件表面形成纯DLC。含碳等离子体中离子与原子的比例可以通过改变阴、阳极之间的放电模式以及调节放电参数来控制。本发明避免了金属靶增强辉光放电制备DLC时，金属掺杂对摩擦学性能的不良影响。本发明应用于等离子体增强化学气相沉积制备DLC领域。
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