-
公开(公告)号：CN101358332B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810137009.1
申请日：2008-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于中心对称型的大面积金属等离子体形成装置及方法，它涉及一种金属等离子体形成装置及金属等离子体形成方法。本发明的目的是针对磁过滤阴极真空弧的引出口径较小难于实现对大尺寸零件处理的问题。本发明的装置四至六个一体式脉冲阴极弧源轴对称分别固定在壳体的上侧壁上。方法一、钛阴极的放电电流为50～200A，流过螺线管的电流大小为1.5～2.5A。方法二、通入40～60sccm的氮气，将工作真空度调到2.0×10-1～3.0×10-1Pa，钛阴极的放电电流为50～200A。方法三、碳阴极的放电电流为50～200A，通入3～7sccm的氩气。本发明的装置可实现大型零件的处理；方法工艺流程简单、提高了生产效率。
-
公开(公告)号：CN100410418C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200610010059.4
申请日：2006-05-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 轴承外圈滚道离子注入与沉积复合处理方法，它涉及一种轴承表面强化处理方法。针对轴承外圈滚道采用等离子体浸没离子注入与沉积处理存在强化层结合力差及均匀性差问题。本发明是这样完成的：将超声清洗后的轴承外圈(3)组成圆筒放到真空室内抽真空，通入碳氢化合物气体，先对圆筒内腔进行高能C离子注入，工作气压为2.0×10-1～6.0×10-1Pa，偏压幅值为10～30kV，脉冲宽度为20～60μs，脉冲频率为50～350Hz，再对圆筒内腔进行类金刚石碳膜薄膜沉积，工作气压为2～8Pa，偏压幅值为2～4kV，脉冲宽度为10～20μs，脉冲频率为2～8kHz。经本发明处理过的轴承外圈滚道具有较好的耐磨性，纳米硬度值为15～20GPa，磨损寿命在200g载荷下为8万转，稳定阶段的摩擦系数为0.08，可实现批量处理。
-
公开(公告)号：CN1901136A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610010244.3
申请日：2006-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多阴极脉冲弧等离子体源装置，它涉及一种脉冲等离子体产生装置。针对现有脉冲阴极弧等离子体源，存在易短路的问题及采用在真空室上安装多个阴极弧等离子体源，存在设备投资大和采用破坏真空的方法，存在工件强化层性能差的问题。本发明的推进杆(14)装在阴极外套(2)内并与阴极(4)相连接，装在阴极(4)上的触发极(6)与阴极(4)之间装有绝缘瓷套(7)，公共弹簧触发杆装置(20)的一端与相对应的触发极(6)相接触，推进杆(14)上装有螺旋传动的从动齿轮(13)，移动杆(15)的下端装在阴极外套(2)内，移动杆(15)的下端装有主动齿轮(12)，阳极(5)位于阴极4的正下方，阳极(5)的下端装有不锈钢弯管总成(10)。本发明具有稳定工作时间长、可在不破坏真空的条件下实现多个阴极的任意切换的优点。
-
公开(公告)号：CN115029669B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210638878.2
申请日：2022-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法，它涉及一种提高磁控溅射沉积效率的方法。本发明要解决现有磁控溅射沉积效率低的问题。方法：一、将溅射靶材放入靶座中，调整靶座与磁控靶冷却底座之间存在间隙；二、通过高功率脉冲磁控电源形成高功率脉冲磁控溅射放电，直至靶材表面熔化；三、溅射。本发明用于采用液态金属高功率脉冲磁控溅射提高沉积效率的方法。
-
公开(公告)号：CN116377414A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211666152.6
申请日：2022-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505
Abstract: 一种通过等离子体增强化学气相沉积增材技术实现零件表面超光滑的方法，它涉及一种实现零件表面超光滑的方法。本发明要解决传统减材超光滑方法耗时长，且现有DLC沉积技术未实现粗糙度由纳米级降低至亚纳米级的问题。方法：将待处理的零件放入真空室中并抽真空，然后通入乙炔气体，控制真空室内气压，然后通过射频辉光放电在真空室内部产生乙炔等离子体，设置射频功率，并在待处理的零件上施加脉冲电压，在零件表面进行等离子体增强化学气相沉积得到DLC薄膜。本发明用于通过等离子体增强化学气相沉积增材技术实现零件表面超光滑。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113378382B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110643513.4
申请日：2021-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 一种用于量化密集人群内部最大挤压力的方法，它属于人群疏散应急技术领域。本发明解决了根据现有方法获得的人群受力情况对事故进行预防的效果差的问题。本发明对疏散人群内部受力进行量化探究，按照实际情况调整社会力模型，通过分析得出挤压力和疏散实际速度、人数、行人密度的定量关系。在实际疏散过程中，通过对疏散区域进行子区域划分，再根据所得到的定量关系分别计算每个子区域的挤压力，最后将最大的挤压力所对应的子区域作为重点关注区域，可以有效预防事故的发生，提升对事故进行预防的效果。本发明可以应用于人群疏散应急技术领域。
-
公开(公告)号：CN109930106B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910379626.0
申请日：2019-05-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有高耐磨损能力的TiAlSi/TiAlSiN多层交替涂层的制备方法，涉及一种TiAlSiN涂层的制备方法。本发明是要解决现有的TiAlSiN涂层的耐磨性差的技术问题。本发明提出的TiAlSi/TiAlSiN多层交替涂层的制备方法，使用TiAlSi合金阴极靶材，通过改变通入的氮气来实现涂层成分的改变，从而制备多层交替涂层，提高涂层的工业应用性。由于TiAlSi合金的硬度较低，TiAlSiN涂层硬度较高，使用该种方法制备得到的软硬交替涂层，可以很好地缓解涂层应力，改善涂层塑韧性，提高涂层的耐磨性，对于提高刀具涂层的使用寿命具有重大意义。
-
公开(公告)号：CN104057086B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410328041.3
申请日：2014-07-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 钛铝金属-六方氮化硼陶瓷导电阴极材料的制备方法，它涉及一种阴极材料的制备方法。本发明为了解决现有采用陶瓷粉末制备的阴极导电性差的技术问题。本方法如下：将陶瓷相与金属相混合，倒入模具中，对模具进行加热处理，压制成形，得到金属陶瓷复合坯料，随空气冷却后，用锻压机将金属陶瓷复合坯料从模具中取出，空冷至室温，然后放入真空钎焊炉中，再进行车加工至直径为43mm的料坯，将坯料再次放入模具中，在200T锻压机上，保压20min，即得钛铝金属-六方氮化硼陶瓷导电阴极材料。本发明的组分配比合理、工艺简单、操作方便。本发明属于阴极材料的制备领域。
-
公开(公告)号：CN100490052C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610010244.3
申请日：2006-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多阴极脉冲弧等离子体源装置，它涉及一种脉冲等离子体产生装置。针对现有脉冲阴极弧等离子体源，存在易短路的问题及采用在真空室上安装多个阴极弧等离子体源，存在设备投资大和采用破坏真空的方法，存在工件强化层性能差的问题。本发明的推进杆(14)装在阴极外套(2)内并与阴极(4)相连接，装在阴极(4)上的触发极(6)与阴极(4)之间装有绝缘瓷套(7)，公共弹簧触发杆装置(20)的一端与相对应的触发极(6)相接触，推进杆(14)上装有螺旋传动的从动齿轮(13)，移动杆(15)的下端装在阴极外套(2)内，移动杆(15)的下端装有主动齿轮(12)，阳极(5)位于阴极4的正下方，阳极(5)的下端装有不锈钢弯管总成(10)。本发明具有稳定工作时间长、可在不破坏真空的条件下实现多个阴极的任意切换的优点。
-
公开(公告)号：CN101358332A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810137009.1
申请日：2008-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于中心对称型的大面积金属等离子体形成装置及方法，它涉及一种金属等离子体形成装置及金属等离子体形成方法。本发明的目的是针对磁过滤阴极真空弧的引出口径较小难于实现对大尺寸零件处理的问题。本发明的装置四至六个一体式脉冲阴极弧源轴对称分别固定在壳体的上侧壁上。方法一、钛阴极的放电电流为50～200A，流过螺线管的电流大小为1.5～2.5A。方法二、通入40～60sccm的氮气，将工作真空度调到2.0×10－1～3.0×10－1Pa，钛阴极的放电电流为50～200A。方法三、碳阴极的放电电流为50～200A，通入3～7sccm的氩气。本发明的装置可实现大型零件的处理；方法工艺流程简单、提高了生产效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.032 seconds)
