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公开(公告)号：CN119566623A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411870222.9
申请日：2024-12-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用金刚石颗粒增强AgCuInTi复合钎料钎焊石墨/铜异种材料的方法，涉及一种钎焊石墨/铜异种材料的方法。本发明是要解决由于石墨和铜的热膨胀系数差别很大，使用直接钎焊的方式会在接头中产生极大的残余应力，从而导致无法获得可靠接头的技术问题。本发明将AgCuInTi钎料和金刚石颗粒通过球磨方式混合均匀制备出复合钎料，用于在真空下钎焊石墨/铜异种材料。本发明成功实现了石墨/铜异种材料的可靠连接，接头的室温抗剪切强度能达到30MPa，解决了异种材料接头中残余应力大的问题，可以实现石墨/铜异种材料构件在核电、辐射防护等领域的应用。
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公开(公告)号：CN118961337A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411071695.2
申请日：2024-08-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N1/28 , G01N23/203
Abstract: 一种用于7系铝合金材料高标定率的EBSD试样制备方法，涉及一种铝合金材料高标定率的EBSD试样制备方法。本发明是要解决现有的7系铝合金EBSD试样在制备过程中没有普适的电解抛光工艺，且样品表面易出现腐蚀坑，严重影响衍射花样产生的技术问题。本发明在机械抛光的基础上进一步采用SiO2溶胶抛光，可以去除样品表面在机械磨光过程中产生的应力层，有利于在EBSD测试时产生强的菊池花样；SiO2溶胶可以对不同硬度的组织和析出相进行抛光，从而使样品表面更加平滑，缓解机械抛光过程中硬质第二相对铝基体的挤压变形作用，进一步提升EBSD的成像质量，便于7系铝合金在制备加工热处理过程中微观组织和织构的研究和分析。
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公开(公告)号：CN117564391A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311742014.6
申请日：2023-12-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用Si‑Y高温钎料钎焊SiCf/SiC复合材料的方法，涉及一种钎焊SiCf/SiC复合材料的方法。本发明是要解决目前SiCf/SiC复合材料复杂构件成型难、接头抗氧化性差、长期服役可靠性弱的技术问题。本发明将Si‑Y高温钎料作为中间层直接钎焊实现SiCf/SiC复合材料的连接，在连接过程中SiCf/SiC复合材料母材表面与液态Si‑Y高温钎料接触后，Si‑Y高温钎料渗入SiCf/SiC复合材料纤维与纤维或纤维与基体之间的孔隙起到了填充孔隙的作用，并且钎料与SiC基体和SiC纤维之间均发生反应生成新的SiC反应层。
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公开(公告)号：CN116041082B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202211097265.9
申请日：2022-09-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用低温玻璃钎料封装铁氧体陶瓷与微波介质陶瓷的方法，涉及一种封装铁氧体陶瓷与微波介质陶瓷的方法。本发明是要解决现有的封装铁氧体陶瓷与微波介质陶瓷的方法中母材之间始终存在较为明显的共烧过渡区，影响铁氧体共振线宽的技术问题。本发明采用Bi2O3‑B2O3‑ZnO玻璃钎料在650℃～800℃实现了铁氧体陶瓷与微波介质陶瓷的连接，焊缝中央形成以玻璃相为主的微观结构。玻璃钎料与微波介质陶瓷母材界面反应生成了白色相钛酸铋，铁氧体陶瓷母材一侧则少量溶解到液态玻璃中形成直接界面结合结构，且形成的钎缝致密无气孔和裂纹等缺陷，避免了缺陷对封装表面后续镀金工艺的影响。
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公开(公告)号：CN116532740A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310697605.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/00 , B23K103/00 , B23K103/14
Abstract: 一种用金属与玻璃钎料分步钎焊氟化镁陶瓷与钛合金的方法，涉及一种钎焊氟化镁陶瓷与钛合金的方法。本发明是要解决氟化镁陶瓷由于F‑Mg键能大，采用活性钎料难以润湿，导致接头的室温剪切强度低的技术问题。本发明采用金属钎焊与玻璃钎焊分步连接技术，选用Ni基高温合金作为中间过渡层，在母材氟化镁陶瓷与Ni基高温合金中间层之间选用玻璃钎料，在Ni基高温合金中间层与钛合金之间选择金属钎料，上述两个界面所使用的钎料的熔化温度差超过100℃，因此本发明采用两步焊接工艺。本发明为氟化镁陶瓷在光学窗口的应用提供了技术支持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114131232B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111614187.0
申请日：2021-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K31/02 , B23K37/00 , B23P15/00 , B23K103/18
Abstract: 一种使用高熵合金连接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法，涉及一种连接SiC或SiCf/SiC陶瓷材料的方法。本发明是要解决目前SiC陶瓷的连接技术在核应用背景下效果较差的技术问题。本发明中使用的连接温度较低，并未达到AlCoCrFeNi2.1高熵合金的熔点，主要通过高熵合金中的Ni和Cr元素与SiC反应，在界面生成局部瞬时液相实现连接，可以实现低温连接和高温使用。本发明利用具有优异的高温性能和抗辐照性能的AlCoCrFeNi2.1高熵合金作为连接材料来连接SiC陶瓷或SiCf/SiC复合材料，有望使得该焊接结构在核电领域运用，提高核电包壳材料的可靠性。
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公开(公告)号：CN116041082A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211097265.9
申请日：2022-09-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用低温玻璃钎料封装铁氧体陶瓷与微波介质陶瓷的方法，涉及一种封装铁氧体陶瓷与微波介质陶瓷的方法。本发明是要解决现有的封装铁氧体陶瓷与微波介质陶瓷的方法中母材之间始终存在较为明显的共烧过渡区，影响铁氧体共振线宽的技术问题。本发明采用Bi2O3‑B2O3‑ZnO玻璃钎料在650℃～800℃实现了铁氧体陶瓷与微波介质陶瓷的连接，焊缝中央形成以玻璃相为主的微观结构。玻璃钎料与微波介质陶瓷母材界面反应生成了白色相钛酸铋，铁氧体陶瓷母材一侧则少量溶解到液态玻璃中形成直接界面结合结构，且形成的钎缝致密无气孔和裂纹等缺陷，避免了缺陷对封装表面后续镀金工艺的影响。
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公开(公告)号：CN115925266A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211533777.5
申请日：2022-12-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C12/00 , C03C10/00 , C04B37/00 , C04B35/565 , C04B35/80
Abstract: 一种用堇青石微晶玻璃焊料连接碳化硅陶瓷的方法，涉及一种用微晶玻璃焊料连接碳化硅陶瓷的方法。本发明是要解决目前的微晶玻璃焊料热膨胀系数较高且不适于连接碳化硅等低热膨胀系数陶瓷的技术问题。本发明开发了一种Yb2O3‑MgO‑Al2O3‑SiO2微晶玻璃焊料及其连接碳化硅陶瓷技术，在焊接热循环过程中析晶反应形成微晶玻璃连接层，一方面可以改善玻璃的软化温度，从而提高其高温的稳定性；另一方面可以通过控制玻璃的析晶行为，调控其热膨胀系数达到与母材相匹配，平均热膨胀系数为3.78×10‑6/℃，并改善了接头的残余应力，抗剪强度达70MPa～80MPa，并在无压条件下实现接头可靠连接。
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公开(公告)号：CN115815726A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211542837.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K1/008 , B23K1/20 , B23K35/30 , B23K103/18
Abstract: 一种用Ag基钎料在空气下连接YSZ陶瓷与Crofer22H不锈钢的方法，涉及一种用钎料在空气下连接YSZ陶瓷与Crofer22H不锈钢的方法。本发明是要解决目前应用于固体氧化物燃料电池堆封接背景下的YSZ陶瓷/Crofer22不锈钢接头强度低、高温抗氧化性能差以及长时间使用会导致不锈钢连接体过度氧化的技术问题。本发明采用Ag‑ZnO钎料在空气条件下实现了陶瓷和不锈钢的连接；ZnO的加入有效的提高了Ag与陶瓷和不锈钢之间的润湿性，钎料与母材之间界面结合良好，没有气孔、裂纹等缺陷；Ag基焊缝中均匀分散着ZnO颗粒，有效的提高了整个接头的力学性能，保证了接头的可靠性。
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公开(公告)号：CN113020735B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110303142.5
申请日：2021-03-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种具有抗腐蚀和应力缓解的氮化硅陶瓷/不锈钢钎焊接头的制备方法，涉及一种氮化硅陶瓷/不锈钢钎焊接头的制备方法。本发明是要解决现有的氮化硅陶瓷与金属的活性金属钎焊时因钎料以及金属母材自身的膨胀系数过大，导致氮化硅陶瓷因承受较大残余应力而开裂，且钎料自身并不耐腐蚀的技术问题。本发明拟以钎料AgCuTi和AgCu为基础，研制出适合连接氮化硅陶瓷与316L不锈钢的复合钎料层，AgCuTi钎料和Ag箔、AgCu钎料和Ag箔发生互溶，在Mo两侧都形成Ag基固溶体，可降低接头的残余应力以及提高接头整体耐蚀性，腐蚀之后整个焊缝区没有较大的孔洞出现，整体接头呈现出较好的耐蚀性。
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