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公开(公告)号：CN105040070A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510586138.9
申请日：2015-09-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法，它涉及一种钛合金TA2表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有钛合金TA2表面的涂层存在太阳能吸收率低，自身发射率高，膜层与基体的结合力不高的问题。方法：钛合金TA2前处理；二、微弧氧化，得到钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层。本发明制备的钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的厚度为0.3μm～1μm，膜层的粗糙度为0.2μm～0.25μm，太阳吸收率为0.82～0.9，发射率为0.08～0.13。本发明可获得一种钛合金TA2表面高太阳吸收率低发射率膜层的制备方法。
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公开(公告)号：CN104928725A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510394058.3
申请日：2015-07-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25C5/02
Abstract: 一种高效制备枝状α-Fe吸波材料的方法，它涉及一种制备吸波材料的方法。本发明的目的是要解决现有铁粉的表面积小，利用率低和现有方法制备的纳米级铁粉的成本高，工艺复杂及危险性大的问题。方法：一、取一套反应装置；二、配置电解液；三、制备金属粉体；四、清洗干燥，得到枝状α-Fe吸波材料。本发明制备的枝状α-Fe吸波材料为枝状结构，粒径为5μm～15μm。枝状结构表面积大，有利于吸波性能提高，并且可以使吸波材料质量降低，满足质轻要求。本发明可获得一种高效制备枝状α-Fe吸波材料的方法。
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公开(公告)号：CN103173765B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310099462.9
申请日：2013-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法，它涉及一种镁合金微弧氧化膜表面沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法。本发明要解决现有羟基磷灰石力学性能差和镁合金生物活性与耐腐蚀性能不高的问题，本发明方法为：一、制备镁合金表面微弧氧化膜层；二、制备羟基磷灰石粉体；三、制备羟基磷灰石悬浊液；将表面带有微弧氧化膜层的镁合金和羟基磷灰石粉体悬浊液置于密封反应器中，然后水热反应，再取出干燥，即完成镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法。本发明应用化工领域。
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公开(公告)号：CN102839394B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210344112.X
申请日：2012-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 一种快速制备多级结构的枝状纳米铁的方法，本发明涉及一种制备枝状纳米铁的方法。本发明是要解决现有技术无法直接制成多级结构的枝状纳米铁，制成的多级结构的枝状纳米铁纯度低，周期长，有毒有污染且成本高的问题。方法：一、取选择透过性膜反应器；二、配制阴极电解液和阳极电解液；三、向反应槽注入电解液；四、反应；五、收集，清洗，干燥。本发明可以直接制备得到多级结构的枝状纳米铁；从产品的XRD谱图可以看出本发明制备得到多级结构的枝状纳米铁无明显杂质峰，且小角度无杂质峰，产品的纯度较高；本发明获得的枝状纳米铁的速率快，周期短；本发明未使用有毒有害的铁氰化钾原材料且降低了成本。本发明用于制备多级结构的枝状纳米铁。
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公开(公告)号：CN103320838A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310216285.8
申请日：2013-06-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层的方法，它涉及一种钛合金表面原位生长陶瓷膜层的方法。本发明是要解决现有微弧氧化方法在TC4钛合金表面原位生长陶瓷膜层的方法中电解液含重金属元素，成本较高，污染严重，不适用于绿色化的工业生产缺点的技术问题。本发明方法如下：一、表面处理；二、配制电解液；三、微弧氧化处理；四、冲洗、干燥即可在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。本发明主要用于在TC4钛合金表面原位生长黄色陶瓷膜层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103194780A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310111042.8
申请日：2013-04-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，本发明涉及钛合金表面涂层的制备方法。本发明是要解决钛合金材料太阳吸收率高，发射率低，且与基底的结合力和热稳定性差的问题。方法：一、打磨清洗钛合金；二、微弧氧化。本发明所制得的涂层外貌为白色或灰白色，均匀美观。涂层厚度达到30μm～120μm，且厚度可调，由于是原位生长，故具有结合力好，抗热震性能好的特性，并且太阳吸收率为0.35～0.6，发射率为0.8～0.95，是性能优良的低太阳吸收率高发射率热控涂层。本发明用于制备一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层。
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公开(公告)号：CN103173765A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310099462.9
申请日：2013-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法，它涉及一种镁合金微弧氧化膜表面沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法。本发明要解决现有羟基磷灰石力学性能差和镁合金生物活性与耐腐蚀性能不高的问题，本发明方法为：一、制备镁合金表面微弧氧化膜层；二、制备羟基磷灰石粉体；三、制备羟基磷灰石悬浊液；将表面带有微弧氧化膜层的镁合金和羟基磷灰石粉体悬浊液置于密封反应器中，然后水热反应，再取出干燥，即完成镁合金微弧氧化膜沉积羟基磷灰石的复合膜层的制备方法。本发明应用于化工领域。
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公开(公告)号：CN102839394A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210344112.X
申请日：2012-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 一种快速制备多级结构的枝状纳米铁的方法，本发明涉及一种制备枝状纳米铁的方法。本发明是要解决现有技术无法直接制成多级结构的枝状纳米铁，制成的多级结构的枝状纳米铁纯度低，周期长，有毒有污染且成本高的问题。方法：一、取选择透过性膜反应器；二、配制阴极电解液和阳极电解液；三、向反应槽注入电解液；四、反应；五、收集，清洗，干燥。本发明可以直接制备得到多级结构的枝状纳米铁；从产品的XRD谱图可以看出本发明制备得到多级结构的枝状纳米铁无明显杂质峰，且小角度无杂质峰，产品的纯度较高；本发明获得的枝状纳米铁的速率快，周期短；本发明未使用有毒有害的铁氰化钾原材料且降低了成本。本发明用于制备多级结构的枝状纳米铁。
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公开(公告)号：CN101748465B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910312880.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种钛合金基体上耐高温高发射率涂层的制备方法，它涉及钛合金基体上涂层的制备方法，解决现有钛合金表面高发射率涂层结合力低、热震性能差的问题。方法如下：一、将钛合金打磨、清洗；二、将主盐、分散剂和添加剂配成胶体电解液；三、将钛合金置于装有电解液的不锈钢槽体中，以钛合金做阳极、槽体为阴极，在脉冲微弧氧化电源的作用下，在钛合金基体上制得耐高温高发射率涂层。本发明制得的涂层在700℃条件下的发射率为0.8～1.0，涂层与基体结合力好，其拉伸强度≥30MPa，剪切强度为15MPa～25MPa，在测试条件为700℃到室温的热震循环100次涂层不脱落，可以应用于高超声速飞行器的外蒙皮的热防护层。
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公开(公告)号：CN110773215B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201810855876.2
申请日：2018-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种水相等离子体气相沉积法制备过渡金属碳氮化物材料陶瓷膜层高效OER催化剂的方法，属于催化剂制备领域，技术方案为：TC4钛基体前处理：镜面处理；将步骤一中得到的光亮的TC4基体置于电解液中，辉光放电，在TC4表面得到碳氮改性陶瓷膜层高效OER催化剂。本发明电解液体系简单，经济实用，且制备工艺简单。制得的OER催化剂可在1M KOH溶液中过电位降至200mV，法拉第效率高达90％，电子传输效率明显提升。
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