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公开(公告)号：CN115142130A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210772983.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 同济大学
IPC: C30B29/16 , C30B29/64 , C30B15/08 , C30B15/10 , C30B15/02 , C30B13/20 , C30B13/14 , C30B13/08 , C30B27/02
Abstract: 本发明涉及一种微下拉区熔法生长片状氧化镓晶体的方法与生长装置，该方法包括：在加热炉内安装感应热场、感应坩埚、竖直悬挂氧化镓原料棒且其末端置于坩埚底部，将片状氧化镓单晶籽晶固定于籽晶杆顶端；炉内抽真空后充入流动生长气氛，加热升温至原料棒下端在坩埚内区熔，熔体从坩埚嘴处流出，待籽晶与熔体形成稳定熔区后下拉籽晶杆进行等径生长，同时下降原料棒；晶体生长结束将晶体和原料棒拉脱，降至室温。与现有技术相比，本发明在氧化镓晶体生长过程中，仅原料棒下端在坩埚内局部区域熔化，通过缓慢下降原料棒持续向坩埚内补充原料，所用坩埚尺寸矮小，能够减少坩埚贵金属的使用量和熔体对坩埚的腐蚀，大大降低了氧化镓晶体的生长成本。
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公开(公告)号：CN114959897A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210442645.5
申请日：2022-04-25
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种掺铬镥钪超快超强激光晶体及其制备方法和应用，该晶体的化学式为Lu(Sc1‑xCrx)O3，其中x的取值范围为0.00001‑0.3，该晶体属于立方晶系，晶胞参数为a＝b＝c＝10.14609，具有高的熔点(2400℃)和优异的机械性能。采用浮区法或者导模法生长，生长出质量较好的晶体，生长气氛为氩气或氮气。与现有技术相比，本发明晶体材料能实现高效近红外波段宽带和超快激光输出，在物理、化学、生物、材料、医学以及交叉学科等前沿科学领域有着极大的应用。
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公开(公告)号：CN114725766A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210326214.2
申请日：2022-03-29
Applicant: 同济大学
IPC: H01S3/109 , H01S3/16 , H01S3/0941 , H01S3/06 , H01S3/08
Abstract: 本发明涉及一种基于自倍频激光晶体的黄光激光器，该黄光激光器由泵浦源、聚焦透镜、自倍频激光晶体、激光谐振组成，其中，所述自倍频激光晶体是钕(Nd)离子掺杂硼酸钙氧稀土盐晶体，包括钕离子掺杂硼酸钙氧钇Nd:YCOB或钕掺杂硼酸钙氧钆Nd:GdCOB，按晶体非主平面有效非线性系数最大方向切割，可实现570‑590nm的黄光激光输出。与现有技术相比，该黄光激光器具有输出功率高，结构简单、紧凑，成本低，适用范围广，适合工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN113622027A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110825757.4
申请日：2021-07-21
Applicant: 同济大学
IPC: C30B29/16 , C30B11/04 , C30B13/10 , C30B15/04 , C30B15/34 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/115
Abstract: 本发明涉及一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用，所述高阻氧化镓晶体的分子式为β‑(Ga1‑xAlx)2O3，其中x的取值范围为0.07≤x≤0.3，采用包括光学浮区法、提拉法、导模法或下降法的熔体生长方法制备得到。与现有技术相比，本发明提供的掺铝高阻氧化镓晶体的电阻率≥109Ω·cm，晶体结晶质量高，基于该高阻氧化镓晶体制备的辐射探测器具有制作工艺简单、暗电流小、光暗电流比高、响应速度快、灵敏度高、信噪比高、能量分辨率好等优点。
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公开(公告)号：CN113502538A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110717876.8
申请日：2021-06-28
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种掺镨氟镥钙复合可见波段激光晶体及其制备方法与应用，该晶体的化学式为PrxLuyCa1‑x‑yF2，其中x的取值范围为0.003‑0.006，y的取值范围为0.03‑0.285，其空间群为Fm‑3m(225)，属于立方晶系，在掺杂浓度范围内，晶胞参数范围为与现有技术相比，本发明晶体材料能实现高效可见波段红光激光输出，可应用于激光显示，光通讯，深水探测和生物医疗等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112813493A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110154587.1
申请日：2021-02-04
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种YCOB晶体生长用生长装置和生长方法，生长装置包括：坩埚(6)；晶体生长模具(7)；籽晶杆(1)；晶体生长模具(7)置于坩埚(6)内；籽晶杆(1)可上下移动地设置在生长模具(7)上方，籽晶杆(1)下部设有用于牵引晶体生长的籽晶(4)，坩埚(6)外套设有使坩埚(6)感应加热的感应线圈(12)。生长方法包括以下步骤：(1)原料的预处理；(2)装料；(3)熔晶；(4)引晶；(5)放肩；(6)等径生长阶段；(7)降温退火。与现有技术相比，本发明采用导模法进行晶体生长，具有长晶固液界面小、结晶速度快、晶体质量高、可定型定向生长等优点，成为超大尺寸晶体的主流生长方式之一。
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公开(公告)号：CN108411367A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810184306.5
申请日：2018-03-06
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种流动气氛导模法多片蓝宝石长晶装置及方法，包括熔炉和气氛装置，所述的熔炉置于气氛装置内，并在气氛装置内输入流动方向为下进上出的惰性气体，所述的熔炉包括托盘、设置在托盘上的保温筒(4)、套设在保温筒(4)上的感应线圈(8)、由下而上依次设置在保温筒(4)中的底部保温层(13)、坩埚(11)、生长模具单元(10)、籽晶(6)以及籽晶杆(1)，所述的籽晶(6)固定在籽晶杆(1)底端，并通过籽晶杆(1)可上下移动地设置在生长模具单元(10)的正上方。与现有技术相比，本发明能够有效调控蓝宝石长晶界面区域的温度梯度分布，实现多片(>20片)蓝宝石晶体整张的同步一致性，生长过程可见可控，晶体质量高。
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公开(公告)号：CN107541776A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710692399.8
申请日：2017-08-14
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸氧化镓单晶的生长设备及方法，包括氧化锆保温砖(1)、石英筒(2)、水冷铜电极(3)、铱金坩埚(4)、热交换器(6)、红外测温仪(7)，所述的铱金坩埚(4)置于氧化锆保温砖(1)形成的晶体生长炉炉腔内，氧化锆保温砖(1)外侧依次设有石英筒(2)和水冷铜电极(3)，所述的热交换器(6)置于铱金坩埚(4)底部，所述的红外测温仪(7)连接铱金坩埚(4)，铱金坩埚(4)内装有氧化镓溶液(8)和籽晶(5)。与现有技术相比，本发明用热交换法长晶，提高效率，降低生产成本；同时，生长出的晶体质量优异、应力小、位错密度低、晶体完整性和光学均匀性好、可以提高氧化镓材料的利用率、简化加工程序。
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公开(公告)号：CN119871204A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510343327.7
申请日：2025-03-21
Applicant: 青岛华芯晶电科技有限公司 , 同济大学
IPC: B24B37/005 , B24B49/00 , B24B57/02
Abstract: 本发明涉及研磨液监测技术领域，尤其涉及基于智能传感器的研磨液喷液监测系统及方法，包括：基于研磨点特征数据和研磨液喷液设置数据，对工件表面的研磨液覆盖状态进行分析；基于研磨点特征数据和研磨设备的参数控制数据，对研磨设备与工件表面的接触异常状态进行分析；根据工件表面的研磨液覆盖状态分析结果和研磨设备与工件表面的接触异常状态分析结果，对工件表面研磨质量风险进行评估；根据工件表面研磨质量风险评估结果，对研磨液喷射装置进行优化预警，从而提高了工件的研磨效率，避免工件和研磨设备的过度加工损耗，减少了研磨液的过度消耗。
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公开(公告)号：CN118407129A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410430572.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及激光材料技术领域，涉及一种Pr3+与调剂离子共掺的碱土氟化物激光晶体及其制备，该晶体的化学式为Pr3+:AeF2·nMeFx，中，Ae包括钙，锶，钡，铅；Me包括钠，钾，钇，镥，钆，镧，钪，镱，0＜n＜1，其中，镨离子Pr3+的掺杂范围为0.3‑3at％，Me离子的掺杂浓度为1‑100at％，x＝1或3。与现有技术相比，本发明具有调控各波段荧光分支比的优点。
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