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公开(公告)号：CN108598234A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810385465.1
申请日：2018-04-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种降低SiC衬底上GaN薄膜内张应力的外延结构及其制备方法，属于半导体材料外延生长领域。其依次由SiC衬底、AlN成核层、Al组份x1从1到0线性渐变的Alx1Ga1-x1N缓冲层、GaN层、孔状结构SiNx2插入层、GaN层构成。在AlN成核层和GaN层之间引入Al组份x1从1到0线性变化的渐变Alx1Ga1-x1N缓冲层，有利于因晶格差异而产生的压应力保存在渐变Alx1Ga1-x1N缓冲层和GaN层中。此外，由于Ga原子和N原子在SiNx2插入层表面的黏附系数很低，因此SiNx2插入层上的GaN层不能在SiNx2上成核，只能在未被SiNx覆盖处成核，为三维岛状的生长模式，当这些GaN成核岛横向过生长SiNx插入层时就会产生晶格的弛豫，使GaN层的张应力减小。
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公开(公告)号：CN104681677B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510086426.8
申请日：2015-02-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及一类具有微孔结构的NiO‑AlGaN紫外发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的AlN缓冲层和下限制层、下限制层上制备的相互分立的AlGaN材料系多量子阱发光层和下电极、发光层上制备的p型AlGaN上限制层、上限制层上制备的p型空穴注入层、空穴注入层上面制备的上电极构成，下限制层是两次完成生长的具有微孔结构的n‑AlGaN外延层，p型空穴注入层是p型NiO薄膜，p型AlGaN上限制层的厚度为5～150nm。本发明利用微孔高效吸收应力与位错，提高外延层晶体质量，利用高空穴浓度的NiO薄膜提高空穴注入效率，以提高紫外发光管的输出功率和效率。
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公开(公告)号：CN102749726B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210205531.5
申请日：2012-06-20
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/017
Abstract: 本发明属于光电子技术领域，涉及一种改进的基于GaN/AlN耦合量子阱子带间跃迁吸收的近红外通信波段条形波导电光调制器及其制备方法。由底金属电极（1）、导电碳化硅单晶衬底（2）、GaN缓冲层（3）、SiO2掩模层（4）、AlGaN下包层（5）、GaN/AlN耦合量子阱周期超晶格波导芯层（6）、AlGaN上包层（7）和金属上电极（8）构成；本发明可以有效降低导波光的传播损耗，同时使后期器件制备工艺大为简化，更有利于器件实用化，也便于实现与其它器件单片集成；另外，由于衬底导电，器件能够采用垂直调制电极结构，使调制电场与波导光场完全重合，最大限度提高调制效率，获得更高器件消光比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102263369B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110173437.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的ZnO基端发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的n型GaN外延层、p型ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN103022898A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310011755.7
申请日：2013-01-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域，具体涉及一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件及其制备方法。其芯片由硅衬底、近本征的ZnO发光层、n型的MgZnO电流注入层和半透明的电极层构成；硅衬底背面沉积有欧姆接触电极层。MgZnO薄膜既作为电子注入层，又作为发射光的透明窗口层。其特征在于，在硅衬底和近本征的ZnO发光层之间引入图形化的SiO2电流限制层，该电流限制层可以大大降低激光器的阈值电流，提高器件的光电转换效率。本发明方法可以制备低阈值的电泵浦激光器件，并且可与成熟的硅器件工艺兼容，成本较低，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN102497517A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110381913.9
申请日：2011-11-25
Applicant: 吉林大学
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/35554
Abstract: 本发明属于半导体图像感测领域，具体涉及一种低工作电压宽动态范围图像传感器装置。图像传感器装置包括一个像素电路、一个模数转换电路、行读出控制电路和列读出控制电路。像素电路采用连续工作模式，提出一种电流源控制方式，不会引入复位噪声，输出电压直接输入模数转换电路进行模数转换，不需要集成相关双采样电路；同时像素电路输出电压摆幅大，不需要集成列放大器电路，简化了装置设计流程，节省芯片面积。该图像传感器装置采用1.8V低工作电压，适于低功耗应用；感光动态范围极宽，高达160dB；结构简单，像素尺寸小；输出电压摆幅大，可以直接被12-bitADC读取。
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公开(公告)号：CN102194943A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010124416.6
申请日：2010-03-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种p型ZnO和n型GaN组合的ZnO基发光器件及其制备方法。器件由衬底、在衬底上外延生长的GaN外延层、在外延层上制备的相互分立的电流下限制层和下电极、在电流下限制层上制备的ZnO基发光层、在ZnO基发光层上面制备的上电极构成；特别地，GaN外延层为n型GaN薄膜，电流下限制层为n型的AlGaN或Ga2O3薄膜，ZnO基发光层为p型ZnO基薄膜。本发明还涉及一种没有电流下限制层和一种有电流上限制层的ZnO基发光器件。本发明克服了p型GaN外延层载流子浓度偏低，器件串联电阻大，器件工作电压高，器件输出功率低的缺点，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN101447524B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810051680.4
申请日：2008-12-25
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/11
Abstract: 本发明涉及一种穿通效应增强型硅光电晶体管。包括NPN和PNP两种类型，其由下至上包括硅衬底层，位于硅衬底层上的P阱(或N阱)层，位于P阱(或N阱)层内的两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区，位于P阱(或N阱)层内、被两个N型(或P型)重掺杂有源区环绕的场区二氧化硅层，位于P阱(或N阱)层窄侧和场区二氧化硅层上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层，覆盖在栅氧二氧化硅层上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层，位于P阱(或N阱)层宽侧上表面且与两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区的分别连接的条形金属电极层。该器件可以有效提高器件光电转换增益，限制器件的暗电流，降低器件噪声，得到高的信噪比。
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