基于能量转移机制的量子点发光二极管的制备方法

    公开(公告)号:CN105977350A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610344543.4

    申请日:2016-05-23

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种新型量子点发光二极管的制备,尤其涉及一种基于能量转移机制实现快荧光辐射的量子点发光二极管的制备方法,属于可见光通信、照明技术领域。本发明采用蓝光GaN发光芯片作为激发光源,将其制作成沟槽结构,再将胶体量子点荧光粉作为发光材料沉积在沟槽中,使量子阱与量子点发生侧壁耦合,二者发生高效的能量转移,制备出快荧光辐射的白光LED。本发明所制备的白光LED可通过红、绿、蓝三色匹配法实现白色发光,也可通过蓝光与红光补偿发出白光。所采用的非辐射能量转移的发光方法制备荧光LED的设计,可以消除传统的吸收再复合过程中产生的能量损失,加快荧光辐射的弛豫时间,其弛豫时间比传统的吸收再复合机制加快10至100倍。

    短寿命量子点荧光LED提高可见光通信带宽的方法

    公开(公告)号:CN105390596A

    公开(公告)日:2016-03-09

    申请号:CN201510996845.5

    申请日:2015-12-28

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及可见光通信领域,尤其涉及使用短寿命量子点荧光LED提高可见光通信带宽的方法。首先选取荧光寿命短的量子点荧光粉;采用蓝光芯片激发两种颜色发光量子点或紫外芯片激发的三种颜色发光量子点结构,所述两种颜色发光量子点包括红光量子点和绿光量子点;所述三种颜色发光量子点包括红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点;利用蓝、红、绿三原色匹配形成白光,提高可见光通信LED的带宽;二是设计短寿命量子点荧光LED器件的结构。所制备的可见光通信LED器件具有高带宽、高效率;所设计的可见光通信LED器件结构简单、制备容易、材料损耗低。

    全无机氧化物高效量子点太阳电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN102437210B

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201110388242.9

    申请日:2011-11-30

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及一种新型全无机氧化物结构量子点太阳电池及其制作方法。该电池由PbSe/CdSe核壳量子点薄膜、NiO薄膜和ZnO纳米薄膜以及阳极和阴极组成,NiO薄膜作为空穴的收集层;ZnO纳米薄膜作为电子的收集层;PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与ZnO纳米薄膜界面构成异质结,形成的电势差有助于光生电子从PbSe/CdSe核壳量子点薄膜迁移进入氧化物电子收集层,PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与NiO薄膜界面构成异质结;阳极为ITO电极;阴极为Ag电极。其制作方法包括以下步骤:1、NiO薄膜的制备;2、PbSe/CdSe核壳量子点的合成与薄膜制备;3、ZnO纳米薄膜的制备;4、蒸镀电极。

    基于FTO的新型全无机氧化物量子点LED及其制作方法

    公开(公告)号:CN102509756A

    公开(公告)日:2012-06-20

    申请号:CN201210001471.5

    申请日:2012-01-05

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于FTO的新型全无机氧化物量子点LED及其制作方法,属于半导体照明技术领域。技术方案是:所述LED结构主要由LED正极和阴极、LED正极和阴极之间的载流子迁移层、载流子迁移层之间的LED的发光层以及玻璃基板组成;所述LED制作方法经步骤一、FTO电极(2)的制备,步骤二、NiO薄膜层(3)的制备,步骤三、CdSe/CdS/ZnS量子点的合成与薄膜制备,步骤四、ZnO纳米晶薄膜层(5)的制备,步骤五、蒸镀电极,最后,完成基于FTO的新型全无机氧化物量子点LED的制作。本发明提供上述技术方案使LED发光层和载流子迁移层能级得到合理的匹配,同时简化LED制作工艺,降低封装成本。

    基于单晶片的交流LED显示阵列

    公开(公告)号:CN102354481A

    公开(公告)日:2012-02-15

    申请号:CN201110329747.8

    申请日:2011-10-26

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于单晶片的交流LED显示阵列。这种显示阵列完全集成在一片单晶片上,并且使用交流电供电。同时,这种交流LED显示阵列能够完全实现按位控制,具有亮度高,电能消耗少等优点。其技术方案是:由显示单元、控制线、控制端和阵列显示控制器组成,所述控制线的行控制线(2)连接到行控制端(1)上,列控制线(4)连接到列控制端(3)上,所述显示单元按点阵排列,其排列结构为任意阵列;所述显示单元有不同的电压值,不同电压显示单元结构相同,只是LED晶粒的数目减少或增加。

    粘胶长丝根数单丝直径检测仪

    公开(公告)号:CN101177912A

    公开(公告)日:2008-05-14

    申请号:CN200710056369.4

    申请日:2007-11-29

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种粘胶长丝根数单丝直径检测仪,它包括静电分丝装置、照明光源、小型摄像头、步进电机角度调整装置和计算机显示处理系统,所说的照明光源(20)和小型摄像头(21)置于步进电机角度调整装置的顶端,并与步进电机角度调整装置共同组成探头,探头放置到工作台(7)的检测窗口(10)的下方,静电分丝装置(5)放置在工作台(7)的上面的检测窗口(10)一侧,所说的计算机显示处理系统包括用来显示粘胶长丝的动态图像液晶显示器,计算机主机(11)和实现有关功能切换的单片机主控电路(47)及其相关接口。该检测仪直观查验粘胶长丝根数的状态,并进行单丝数目的自动计数,以及单丝直径的自动检测。

    基于胶体PbSe/CdSe/ZnSe量子点窄带“ASE”光源的光纤陀螺及制备方法

    公开(公告)号:CN114001727B

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202111288325.0

    申请日:2021-11-02

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明通过量子受限效应,精确调控胶体PbSe/CdSe/ZnSe量子点的发光波长,以满足低损耗的光纤传输要求;利用特定工作波长的光纤布拉格光栅结构,反射胶体PbSe/CdSe/ZnSe量子点的窄带波长区间的辐射;在波长980nm泵浦光的作用下,在胶体PbSe/CdSe/ZnSe量子点液芯光纤中产生光放大自发辐射,制备出一种窄带光纤发光器件,该器件的发光通过耦合器和Y型波导进入光纤环中,利用萨格奈克效应产生萨格奈克相移,经过光电探测和信号处理电路产生陀螺的输出信号,从而实现了一种低损耗光纤陀螺的制备。

    基于胶体PbSe/CdSe/ZnSe量子点窄带“ASE”光源的光纤陀螺及制备方法

    公开(公告)号:CN114001727A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111288325.0

    申请日:2021-11-02

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明通过量子受限效应,精确调控胶体PbSe/CdSe/ZnSe量子点的发光波长,以满足低损耗的光纤传输要求;利用特定工作波长的光纤布拉格光栅结构,反射胶体PbSe/CdSe/ZnSe量子点的窄带波长区间的辐射;在波长980nm泵浦光的作用下,在胶体PbSe/CdSe/ZnSe量子点液芯光纤中产生光放大自发辐射,制备出一种窄带光纤发光器件,该器件的发光通过耦合器和Y型波导进入光纤环中,利用萨格奈克效应产生萨格奈克相移,经过光电探测和信号处理电路产生陀螺的输出信号,从而实现了一种低损耗光纤陀螺的制备。

    一种基于胶体量子点滤光片阵列与Y形光纤相结合的色度仪

    公开(公告)号:CN109163806B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201811098731.9

    申请日:2018-09-20

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于胶体量子点滤光片阵列与Y形光纤相结合的色度仪,标准光源和待测对象位于切换转盘的一侧,Y形光纤探头位于切换转盘的另一侧,切换转盘与Y形光纤探头的两个入射端口之间分别设置有耦合透镜,一个耦合透镜、标准光源和Y形光纤探头的其中一个入射端口的中心在一条直线上,另一个耦合电镜、待测对象和Y形光纤探头的另一个入射端口的中心在一条直线上,胶体量子点滤光片阵列位于Y形光纤探头的出射端口与CCD之间,CCD与驱动电路连接,CCD与信号处理系统中的放大电路连接,计算机与显示屏连接;具有体积小、便于携带和制作成本低的特点,并可保证色度仪器的高测量精度。

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