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公开(公告)号：CN113921732B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202111168619.X
申请日：2021-09-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于照明技术领域，提供了一种基于4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3高效LED及其制备方法，包括：电致发光LED结构，所述电致发光LED结构包括阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极依次连接，所述发光层采用4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3。本发明能够利用4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3纳米晶制备出高效的LED。
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公开(公告)号：CN114497431A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210072209.3
申请日：2022-01-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种准二维薄膜制备方法，属于发光二极管和显示技术领域，解决了现有准二维薄膜制的工艺复杂和效率低的问题，其技术要点是：包括所述的钙钛矿薄膜是由三维钙钛矿纳米晶和准二维钙钛矿薄膜组成，其中三维钙钛矿纳米晶表面由合适长链有机配体进行改性，以适应薄膜内部的级联能量传递过程，通过在反溶剂中引入带有特定基团的三维钙钛矿纳米晶，在薄膜制备过程中纳米晶可以作为结晶种子，调控薄膜的结晶生长动力学过程，钝化内部缺陷，降低薄膜内部本身的非辐射复合机率，又可以构建小n相到三维钙钛矿纳米晶的额外载流子传输通道，促进光生载流子辐射复合有效地提高薄膜的光发射效率，具有制备工艺简单和效率高的优点。
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公开(公告)号：CN113903867A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111150430.8
申请日：2021-09-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于电致发光器件技术领域，提供了一种电致发光LED及其制备方法，所述电致发光LED包括ITO玻璃作为阴极；n型ZnO/聚乙烯亚胺作为电子传输层和空穴阻挡层；4－三氟甲基苯乙胺氢碘酸盐钝化的CsPbI3钙钛矿量子点作为发光层；P型4，4’，4”－三(咔唑－9－基)苯胺薄膜作为空穴传输层和电子阻挡层；MoO3/Ag作为阳极。本发明中的电致发光LED及其制备方法通过采用CF3PEAI钝化CsPbI3钙钛矿量子点，得到了表面缺陷较少、量子效率高、稳定性较好及性能优异的CsPbI3钙钛矿量子点，基于这种钙钛矿量子点作为发光层，制备出了高效的红光发射电致发光LED。
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公开(公告)号：CN107104194B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710381904.7
申请日：2017-05-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，主要涉及一种双面发光的无机钙钛矿量子点LED及其制备方法。所述LED由石墨烯(1)、PEDOT：PSS(2)、PVK(3)、CsPbBr3量子点(4)、ZnO(5)和ITO(6)组成。其制备方法主要包括：制备无机卤化物钙钛矿量子点和ZnO量子点；将PEDOT：PSS溶液、PVK溶液以及制备的无机卤化物钙钛矿量子点依次旋涂在石墨烯透明电极上；将制备的ZnO量子点溶液旋涂在无机卤化物钙钛矿量子点层上，最后在ZnO层上通过磁控溅射制备ITO电极层，获得双面发光的钙钛矿量子点LED。本发明采用无机铯铅卤化物钙钛矿量子点作为发光层，透明电极ITO和石墨烯分别作为阴极和阳极的技术方案。所制作的无机钙钛矿量子点LED具有高色纯度、高透明度，同时实现器件的两侧发光的优点。
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公开(公告)号：CN106025042B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201610585533.X
申请日：2016-07-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED及制备方法。基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED，将钙钛矿量子点嵌入二氧化硅基质中，并结合蓝光LED芯片发出白光，采用3‑氨基丙基三乙氧基硅烷水解形成二氧化硅基质，再由二氧化硅包覆钙钛矿量子点,获得空气中稳定的钙钛矿量子点,将制备的二氧化硅包覆的钙钛矿红光和绿光量子点荧光粉作为发光层，蓝光LED芯片作为激发光源，利用蓝、红、绿三原色匹配发出白光，获得基于二氧化硅包覆钙钛矿量子点的稳定白光LED。本发明提出将钙钛矿量子点嵌入由APTES水解形成的二氧化硅基质中，使获得的二氧化硅包覆钙钛矿量子点在空气中可以保持长期的稳定性并具有高的荧光量子产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109256494A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811047984.3
申请日：2018-09-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种SrCl2掺杂的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法，属于照明技术领域。采用ITO为阴极，ZnO量子点膜/聚乙烯亚胺双层作为电子传输层和空穴阻挡层，其中ZnO量子点膜层的厚度为40～50nm，聚乙烯亚胺层的厚度为10～20nm；SrCl2掺杂的钙钛矿量子点为发光层，厚度为60～75nm；“4,4,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺作为空穴传输层和电子阻挡层，厚度为50～65nm；MoO3/Au为阳极，MoO3厚度为70～100nm，Au厚度为10～20nm。本发明SrCl2掺杂的钙钛矿量子点作为发光层，制备出LED器件，明显增强了器件的性能，具有低阈值工作电压和高外量子效率。
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公开(公告)号：CN105977350A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610344543.4
申请日：2016-05-23
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/24 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明涉及一种新型量子点发光二极管的制备，尤其涉及一种基于能量转移机制实现快荧光辐射的量子点发光二极管的制备方法，属于可见光通信、照明技术领域。本发明采用蓝光GaN发光芯片作为激发光源，将其制作成沟槽结构，再将胶体量子点荧光粉作为发光材料沉积在沟槽中，使量子阱与量子点发生侧壁耦合，二者发生高效的能量转移，制备出快荧光辐射的白光LED。本发明所制备的白光LED可通过红、绿、蓝三色匹配法实现白色发光，也可通过蓝光与红光补偿发出白光。所采用的非辐射能量转移的发光方法制备荧光LED的设计，可以消除传统的吸收再复合过程中产生的能量损失，加快荧光辐射的弛豫时间，其弛豫时间比传统的吸收再复合机制加快10至100倍。
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公开(公告)号：CN105390596A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510996845.5
申请日：2015-12-28
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L33/504 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明涉及可见光通信领域，尤其涉及使用短寿命量子点荧光LED提高可见光通信带宽的方法。首先选取荧光寿命短的量子点荧光粉；采用蓝光芯片激发两种颜色发光量子点或紫外芯片激发的三种颜色发光量子点结构，所述两种颜色发光量子点包括红光量子点和绿光量子点；所述三种颜色发光量子点包括红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点；利用蓝、红、绿三原色匹配形成白光，提高可见光通信LED的带宽；二是设计短寿命量子点荧光LED器件的结构。所制备的可见光通信LED器件具有高带宽、高效率；所设计的可见光通信LED器件结构简单、制备容易、材料损耗低。
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公开(公告)号：CN104091864A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410345455.7
申请日：2014-07-19
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L33/00 , G01N21/3504 , G01N21/359
CPC classification number: H01L33/0091 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N21/3504 , G01N21/359
Abstract: 本发明公开了一种基于PbSe量子点多波长近红外LED的制备方法及气体检测方法。制备方法分为计算PbSe量子点的尺寸，制备PbSe量子点，制备PbSe量子点与无影胶的混合溶液，沉积混合溶液、制备近红外多波长LED(1)等四个步骤。应用该装置的气体检测方法为：制备近红外多波长LED(1)，将所要检测的气体填充进气室(3)，近红外多波长LED(1)接通电源后发出光线，光线透过凸透镜(2)、通过气室(3)和凸透镜(4)并由红外光谱仪(5)接收，对被测气体进行标定，测量气体浓度。本发明所设计的装置可实现多种气体的同时检测，灵敏度高、稳定性好、价格低廉、荧光产率高。
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公开(公告)号：CN102437210B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201110388242.9
申请日：2011-11-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/0328 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新型全无机氧化物结构量子点太阳电池及其制作方法。该电池由PbSe/CdSe核壳量子点薄膜、NiO薄膜和ZnO纳米薄膜以及阳极和阴极组成，NiO薄膜作为空穴的收集层；ZnO纳米薄膜作为电子的收集层；PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与ZnO纳米薄膜界面构成异质结，形成的电势差有助于光生电子从PbSe/CdSe核壳量子点薄膜迁移进入氧化物电子收集层，PbSe/CdSe核壳量子点薄膜与NiO薄膜界面构成异质结；阳极为ITO电极；阴极为Ag电极。其制作方法包括以下步骤：1、NiO薄膜的制备；2、PbSe/CdSe核壳量子点的合成与薄膜制备；3、ZnO纳米薄膜的制备；4、蒸镀电极。
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