公开(公告)号：CN111200057B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010021481.X

申请日：2020-01-09

Applicant: 中国计量科学研究院

Inventor： 李劲劲 ,  钟源 ,  曹文会 ,  钟青 ,  王雪深 ,  徐骁龙 ,  王仕建

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/22 ,  H01L39/02 ,  H01L39/12 ,  H01L27/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/30 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

Abstract: 本申请提供一种约瑟夫森结阵列制备方法、约瑟夫森结阵列以及电子器件。本申请提供多元材料叠层应变、刻蚀剖面形貌一体调控工艺，攻克了量子电压芯片工艺技术瓶颈，实现了对薄膜的应力调节和叠层应力匹配，使得薄膜的整体应力减小，解决晶面断裂问题，有利于提高薄膜性能。通过调控Nb溅射功率或/和Si溅射功率，实现对NbxSi1‑x层中Nb和Si的成分比例的调节，精确调整电阻率，使其为正常态金属属性。通过调控刻蚀气体的比例和光学终点探测方法，实现了对刻蚀进程的精确稳定控制。在工艺中提供带有各种测试、监测功能的片上单元设计，实现芯片制备中及完成后的多参数检测，全链条严格把控工艺过程，提高了约瑟夫森结阵列的性能及稳定性。

公开(公告)号：CN111948765A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010631206.X

申请日：2020-07-03

Applicant: 中国计量科学研究院

Inventor： 王雪深 ,  钟青 ,  李劲劲 ,  徐骁龙 ,  陈建 ,  钟源 ,  曹文会 ,  王仕建

IPC: G02B6/42

Abstract: 本申请涉及一种基于硅基刻蚀的超导光学探测器与光纤对准方法及装置。对第一基底进行刻蚀，制备光纤位置通孔，并在第一基底的表面制备多个间隔设置的第一标记。多个第一标记与光纤位置通孔之间形成相对位置关系。在第二基底的表面制备单光子吸收膜时，以第二基底作为超导单光子探测器的衬底，采用制备超导单光子探测器的制备工艺进行制备。此时，多个第二标记与单光子吸收膜之间形成相对位置关系，并和多个第一标记与光纤位置通孔的相对位置关系相同。进而，通过将多个第一标记与多个第二标记一一对应，即可实现将光纤位置通孔与单光子吸收膜的对准。从而，将光纤直接放置于光纤位置通孔中，即可实现与单光子吸收膜对准。

公开(公告)号：CN111640854A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010418817.6

申请日：2020-05-18

Applicant: 中国计量科学研究院

Inventor： 徐骁龙 ,  李劲劲 ,  王雪深 ,  钟青 ,  徐达 ,  陈建 ,  钟源 ,  曹文会 ,  王仕建

IPC: H01L39/02 ,  H01L39/24 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14

Abstract: 本申请涉及一种超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法及探测器，采用溅射沉积的方式，并根据金属合金靶材的本身热扩散程度较小的特点，设置溅射气压设置、溅射功率，可以使得第一薄膜层成膜密度更高、成膜均匀性更好。由于第一薄膜层为金属合金层，原子间不易扩散，使得本身热扩散程度较小，进而避免了金属合金层和超导薄膜层的相互热扩散，使得超导薄膜层与金属合金层形成的界面为比较清晰的界面，进而有助于超导效应的发挥，保证了超导转变边沿探测器的长期稳定性。由于避免了金属合金层和超导薄膜层的相互热扩散，制备时不会受到热处理等步骤的影响，仍然可以确保超导薄膜层与金属合金层形成的界面为比较清晰的界面。

公开(公告)号：CN111239479A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010058836.2

申请日：2020-01-19

Applicant: 中国计量科学研究院

Inventor： 王雪深 ,  陈建 ,  李劲劲 ,  孙青 ,  王仕建 ,  钟青 ,  徐骁龙 ,  钟源

IPC: G01R21/02 ,  G01R35/00

Abstract: 本申请涉及一种集成化自校准辐射功率传感芯片，增加薄膜金属层，薄膜金属层能够将吸收层吸收的辐射功率带来的温度变化转化为电阻变化，通过导电电极测量电阻可以实现辐射功率传感。因此，通过测量薄膜金属层的电阻值可以与热电堆层测得的电压值两种方式所得到的辐射功率进行相互检验，同时向薄膜金属层输入电流，薄膜金属层发热加热热电堆层的热端，通过该热量模拟辐射功率引起的加热，可以实现对传感芯片的校准。

公开(公告)号：CN111121958A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911346791.2

申请日：2019-12-24

Applicant: 中国计量科学研究院

Inventor： 徐骁龙 ,  李劲劲 ,  王雪深 ,  钟青 ,  钟源 ,  曹文会 ,  王仕建 ,  陈建

IPC: G01J1/42 ,  G01J1/02 ,  G01J1/04

Abstract: 本申请提供一种光纤与超导光子探测器对准系统及方法。给单模光纤通入额外的红外光(第一红外光)，从而在对准端产生光斑。红外入射光源发出第二红外光照射超导光子探测器芯片，而后形成反射光(第三红外光)沿光路返回从而被下方的红外探测器探测到。通过给单模光纤通入额外的红外光，单模光纤将被以在超导光子探测器芯片正面产生光斑的形式被观察到。从而，实现了将单模光纤的内径与超导光子探测器芯片的探测位置中心对准。并且，通过根据形成的光斑图像与芯片图像的相对位置关系，可以更加准确地调节单模光纤与超导光子探测器芯片的相对位置，从而解决了传统方式可靠性偏低和对准精度偏低的问题，提高了光纤及超导探测器的光子耦合效率。