公开(公告)号：CN103177982A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210142263.7

申请日：2012-05-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张智胜 ,  何嘉政 ,  林以唐

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01B7/06 ,  H01L21/823431 ,  H01L22/34

Abstract: 本公开内容提供了用于估计其他半导体器件中的外延生长半导体材料的高度的方法和装置。该方法包括：在第一半导体器件上方外延地生长半导体材料的第一部分、第二部分和第三部分；测量半导体材料的第三部分的高度和半导体材料的第一部分或第二部分的高度；测量流经半导体材料的第一部分和第二部分的第一饱和电流；测量流经半导体材料的第一部分和第三部分的第二饱和电流；制备相对于半导体材料的第一或第二部分的高度的第一饱和电流以及半导体材料的第一部分和第三部分的平均高度的第二饱和电流的模型。该模型用于估计在其他半导体器件中外延生长的半导体材料的高度。本发明还提供了监控外延轮廓的测试键。

公开(公告)号：CN221508188U

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202322887729.2

申请日：2023-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈高超 ,  李佳叡 ,  何嘉政 ,  魏佳瑜

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置。半导体装置中的高压晶体管可以包括在衬底中的场板结构和高压晶体管的通道区之间的阶梯状介电层。阶梯状介电层可以通过降低高压晶体管的漏极区附近的电场强度来增加高压晶体管的击穿电压。特别是，漏极区附近的阶梯状介电层的部分包括的厚度大于栅极结构附近的阶梯状介电层的另一部分的厚度。漏极区附近所增加的厚度提供了漏极区(其在高电压下工作)附近增强的电场抑制。本实用新型可以此方式，阶梯状介电层使本文所述的高压晶体管能够实施更高的击穿电压，而无需增加高压晶体管的栅极结构和漏极区之间的距离。

公开(公告)号：CN220189655U

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202320887060.4

申请日：2023-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 洪展羽 ,  何嘉政 ,  陈斐筠 ,  钟于彰 ,  蒋柏煜 ,  何敦义

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本揭露阐述一种具有导电板的半导体结构。所述结构包括：栅极结构，设置于衬底的扩散区上；保护层，与扩散区接触且覆盖栅极结构的侧壁与栅极结构的顶表面的一部分；以及第一绝缘层，与栅极结构及保护层接触。所述结构更包括：导电板，与第一绝缘层接触，其中导电板的第一部分在保护层的水平部分之上在侧向上延伸，且其中导电板的第二部分在保护层的覆盖栅极结构的侧壁的侧壁部分之上延伸。所述结构更包括与导电板接触的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN222619763U

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202421131265.0

申请日：2024-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈高超 ,  何嘉政 ,  洪展羽

IPC: H01L23/64 ,  H01L23/522 ,  H10D84/02 ,  H10D84/80

Abstract: 本实用新型提供一种集成电路。一些实施例是有关于一种包括半导体衬底的集成电路。在横截面图中，硅化物结构设置于半导体衬底之上。在横截面图中，介电结构直接接触硅化物结构的上表面。在横截面图中，金属结构直接接触介电层的上表面，使得硅化物结构及金属结构分别建立借由介电结构而彼此间隔开的底部电极与顶部电极，以在半导体衬底之上建立金属‑绝缘体‑硅化物电容器。