公开(公告)号：CN111463308B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202010400369.7

申请日：2020-05-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪荣墩 ,  张锐军 ,  吴正云 ,  张峰 ,  蔡加法 ,  付钊 ,  林鼎渠

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

Abstract: 一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p‑i‑n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。

公开(公告)号：CN111463308A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010400369.7

申请日：2020-05-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪荣墩 ,  张锐军 ,  吴正云 ,  张峰 ,  蔡加法 ,  付钊 ,  林鼎渠

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

Abstract: 一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p-i-n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。

公开(公告)号：CN108231953B

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201711482215.1

申请日：2017-12-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 林鼎渠 ,  吴正云 ,  洪荣墩 ,  孙存志 ,  张志威

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 一种MSM结构4H‑SiC紫外光电探测器的制备方法，涉及紫外光电探测器的制备。在n型4H‑SiC衬底外延生长一层半绝缘层后，将材料样品切割成矩形条状样品，采用标准RCA程序清洗表面，进而采用电热分解生长方法，通过环境条件、温度及生长时间控制，使用DC直流电源通电于矩形条状样品两端，直接在4H‑SiC外延层的Si面热生长多层石墨烯薄膜，优化生长技术条件，通过光刻图形化，结合ICP刻蚀，在器件表面制备出MSM结构用的叉指电极；溅射沉积组合金属焊盘，再在样品表面通过等离子体增强化学气相沉积法覆盖生长一层致密的SiO2作为钝化层；用光刻与刻蚀工艺，去除圆形焊盘区域上的SiO2，即得。

公开(公告)号：CN105304748B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201510639610.0

申请日：2015-09-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪荣墩 ,  张明昆 ,  吴正云 ,  蔡加法 ,  陈厦平

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352

Abstract: 双工作模式的4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N+型4H‑SiC衬底，在N+型4H‑SiC衬底上依次设有第一N‑型外延吸收层和第二N型外延倍增层；从第二N型外延倍增层至第一N‑型外延吸收层表面刻蚀一高度；在第二N型外延倍增层和第一N‑型外延吸收层表面形成P+型欧姆接触层，形成P+N和P+N‑两个PN结；在P+型欧姆接触层的表面生长二氧化硅钝化层；在钝化层上设P型电极窗口，在P型电极窗口和N+型4H‑SiC衬底背面分别溅射P电极和N电极。制备方法：对生长好的外延片进行RCA标准清洗；倾斜台面的制备；P+层的制备；氧化层的制备；电极的制备。

公开(公告)号：CN202487594U

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201220112236.0

申请日：2012-03-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪荣墩 ,  吴正云 ,  陈主荣 ,  蔡加法 ,  陈厦平

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107

Abstract: 一种雪崩光电二极管，涉及半导体光电二极管探测器件。提供一种具有超高紫外可见比的光控击穿电压亚微米柱紫外雪崩光电二极管。设有高掺杂N+型衬底，在高掺杂N+型衬底上表面设有N-层，在N-层上表面两侧设有高掺杂P+型电场强度调节层，在N-层的中间部分上表面设有N型雪崩倍增层，在N型雪崩倍增层的上表面设有P+型的欧姆接触层，在N型雪崩倍增层和P+型的欧姆接触层的两侧分别设有氧化层，在高掺杂N+型衬底的下表面设有正电极，在P+型的欧姆接触层的上表面设有金属负电极。