公开(公告)号：CN200969566Y

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200620156385.1

申请日：2006-11-28

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡加法 ,  陈主荣 ,  吴正云

IPC: H03F3/08 ,  H03F3/42 ,  H03F3/70 ,  H03F3/45

Abstract: 表面光伏谱前置放大器，涉及一种前置放大器。提供一种小型、高性能、低成本、易于制作的高灵敏度、低截止频率表面光伏谱前置放大器。设有电荷放大器和电压放大器，在电荷放大器输入端与电压放大器输出端之间跨接反馈电阻，在电荷放大器输入端与输出端之间接反馈电容。主要采用高输入阻抗、低输入偏置电流、低噪声的带FET或CMOS输入的集成运算放大器，在反馈电阻和电荷放大器输出端之间插入电压放大级，不仅在不降低电路性能的前提下，可有效降低电路截止频率，提高电路灵敏度，其低频率截止频率fL(－3dB)≤2Hz，电荷－电压灵敏度Svq≥1V/pC；而且电路结构简单、体积小、成本低，易于小型化和多路集成。

公开(公告)号：CN202487594U

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201220112236.0

申请日：2012-03-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪荣墩 ,  吴正云 ,  陈主荣 ,  蔡加法 ,  陈厦平

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/107

Abstract: 一种雪崩光电二极管，涉及半导体光电二极管探测器件。提供一种具有超高紫外可见比的光控击穿电压亚微米柱紫外雪崩光电二极管。设有高掺杂N+型衬底，在高掺杂N+型衬底上表面设有N-层，在N-层上表面两侧设有高掺杂P+型电场强度调节层，在N-层的中间部分上表面设有N型雪崩倍增层，在N型雪崩倍增层的上表面设有P+型的欧姆接触层，在N型雪崩倍增层和P+型的欧姆接触层的两侧分别设有氧化层，在高掺杂N+型衬底的下表面设有正电极，在P+型的欧姆接触层的上表面设有金属负电极。