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公开(公告)号：CN105304748A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510639610.0
申请日：2015-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/11 , H01L31/035281
Abstract: 双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N+型4H-SiC衬底，在N+型4H-SiC衬底上依次设有第一N-型外延吸收层和第二N型外延倍增层；从第二N型外延倍增层至第一N-型外延吸收层表面刻蚀一高度；在第二N型外延倍增层和第一N-型外延吸收层表面形成P+型欧姆接触层，形成P+N和P+N-两个PN结；在P+型欧姆接触层的表面生长二氧化硅钝化层；在钝化层上设P型电极窗口，在P型电极窗口和N+型4H-SiC衬底背面分别溅射P电极和N电极。制备方法：对生长好的外延片进行RCA标准清洗；倾斜台面的制备；P+层的制备；氧化层的制备；电极的制备。
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公开(公告)号：CN115172476A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210880517.9
申请日：2022-07-25
Applicant: 厦门大学九江研究院
IPC: H01L31/0216 , B82Y20/00 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有超构表面的等离激元增强4H‑SiC MSM紫外光电探测器及其制备方法，所述紫外光电探测器包括4H‑SiC衬底层，所述4H‑SiC衬底层上设有N型缓冲层，所述N型缓冲层上设有轻掺杂的N‑外延层，所述轻掺杂的N‑外延层上设有超构表面结构和石墨烯透明电极，所述石墨烯透明电极为叉指电极，所述超构表面结构位于所述石墨烯透明电极的间隙中，所述超构表面结构的顶部设有Al纳米结构。本发明通过超构表面、石墨烯电极以及等离激元增强的光吸收使得光生电子空穴对的数量提高，从而有效提高器件的响应度和量子效率，提升紫外光电探测器的应用性能。
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公开(公告)号：CN115000238B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202210497724.6
申请日：2022-05-09
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/107
Abstract: 一种等离激元增强局域雪崩的紫外光电探测器及制备方法，属于半导体探测器件领域。采用化学气相传输法同质外延法在N+型宽禁带半导体衬底上依次生长N型缓冲层和i型吸收层，再通过化学气相沉积的方式生长P型层；利用光刻和ICP刻蚀的方式在PiN结构的宽禁带半导体外延片上刻蚀倾斜台面；利用光刻和ICP刻蚀的方式刻蚀微孔结构；利用热氧化和化学气相沉积的方式生长二氧化硅钝化层以及开窗；利用光刻和磁控溅射的方式制作P电极和N电极；利用PS微球溶液在器件表面制备PS掩模板,沉积金属膜，剥离PS掩模板后获得表面金属纳米颗粒阵列。表面金属颗粒激发等离激元场增强，更好的实现紫外光电器件的局域雪崩，并降低雪崩电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115000238A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210497724.6
申请日：2022-05-09
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/107
Abstract: 一种等离激元增强局域雪崩的紫外光电探测器及制备方法，属于半导体探测器件领域。采用化学气相传输法同质外延法在N+型宽禁带半导体衬底上依次生长N型缓冲层和i型吸收层，再通过化学气相沉积的方式生长P型层；利用光刻和ICP刻蚀的方式在PiN结构的宽禁带半导体外延片上刻蚀倾斜台面；利用光刻和ICP刻蚀的方式刻蚀微孔结构；利用热氧化和化学气相沉积的方式生长二氧化硅钝化层以及开窗；利用光刻和磁控溅射的方式制作P电极和N电极；利用PS微球溶液在器件表面制备PS掩模板,沉积金属膜，剥离PS掩模板后获得表面金属纳米颗粒阵列。表面金属颗粒激发等离激元场增强，更好的实现紫外光电器件的局域雪崩，并降低雪崩电压。
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公开(公告)号：CN113363319B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110493226.X
申请日：2021-05-07
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种常关型氧化镓基MIS‑HFET器件，属于半导体器件技术领域，其包括依序层叠设置的衬底、缓冲层和沟道层，还包括：设置在沟道层上端面两侧的第一盖帽层和第二盖帽层；第一盖帽层和第二盖帽层之间的沟道层上设置有势垒层；第一盖帽层和第二盖帽层上分别设置有源电极和漏电极；势垒层、源电极和漏电极上跨设有介质层，介质层边缘向下延伸，将势垒层、源电极、漏电极、第一盖帽层、第二盖帽层和沟道层包覆其中，源电极和漏电极的上端穿出介质层；介质层还连接有栅电极；本方案采用刻蚀势垒方式形成器件结构，其简单高效地实现器件的常关操作且工艺可控，本方案还通过引入介质层，降低了器件的栅极泄漏电流，提高了栅极击穿电压和器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN113363319A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110493226.X
申请日：2021-05-07
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种常关型氧化镓基MIS‑HFET器件，属于半导体器件技术领域，其包括依序层叠设置的衬底、缓冲层和沟道层，还包括：设置在沟道层上端面两侧的第一盖帽层和第二盖帽层；第一盖帽层和第二盖帽层之间的沟道层上设置有势垒层；第一盖帽层和第二盖帽层上分别设置有源电极和漏电极；势垒层、源电极和漏电极上跨设有介质层，介质层边缘向下延伸，将势垒层、源电极、漏电极、第一盖帽层、第二盖帽层和沟道层包覆其中，源电极和漏电极的上端穿出介质层；介质层还连接有栅电极；本方案采用刻蚀势垒方式形成器件结构，其简单高效地实现器件的常关操作且工艺可控，本方案还通过引入介质层，降低了器件的栅极泄漏电流，提高了栅极击穿电压和器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105304748B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510639610.0
申请日：2015-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352
Abstract: 双工作模式的4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N+型4H‑SiC衬底，在N+型4H‑SiC衬底上依次设有第一N‑型外延吸收层和第二N型外延倍增层；从第二N型外延倍增层至第一N‑型外延吸收层表面刻蚀一高度；在第二N型外延倍增层和第一N‑型外延吸收层表面形成P+型欧姆接触层，形成P+N和P+N‑两个PN结；在P+型欧姆接触层的表面生长二氧化硅钝化层；在钝化层上设P型电极窗口，在P型电极窗口和N+型4H‑SiC衬底背面分别溅射P电极和N电极。制备方法：对生长好的外延片进行RCA标准清洗；倾斜台面的制备；P+层的制备；氧化层的制备；电极的制备。
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公开(公告)号：CN218037159U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202221842362.1
申请日：2022-07-18
Applicant: 厦门大学九江研究院
Abstract: 本实用新型涉及高压电气设备技术领域，具体公开了一种高压电气设备局部放电的监控装置，包括柜体和工控机显示器，柜体内部固定安装有高电场部件、工控机和框体，柜体外壁表面固定安装有无线信号发送器，柜体外部铰接安装有柜门，柜门内壁固定安装有两个同尺寸的支撑架。本实用新型技术方案通过朝向第一反射罩体内侧的紫外光电探测器可识别经过第一反射罩体反射的紫外光信号，有利于增大装置对高电场部件发射紫外光信号的捕捉能力，紫外光电探测器识别到紫外光信号时，工控机经过无线信号发送器和无线信号接收器，工控机显示器可提示监测到高电场部件发出紫外光信号，并且自动开启警报器进行警示，从而达到高压电气设备局部放电的监控效果。
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