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公开(公告)号：CN105811804A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610217284.9
申请日：2016-04-08
Applicant: 厦门大学
IPC: H02N2/18
CPC classification number: H02N2/188
Abstract: 本发明提供了一种基于绳牵引的宽频压电振动能量收集装置，包括质量块、至少一个牵引梁、固定支架、牵引绳、压电片、上、下电极和受迫梁；固定支架具有一谐振腔；牵引梁根据外界振动方向设置，其一端与谐振腔的内壁连接，另一端为自由端；受迫梁位于牵引梁的上方或下方，其一端与谐振腔的内壁连接，另一端为自由端；质量块分别固定在每一个牵引梁与受迫梁自由端；牵引绳的一端连接于牵引梁的自由端，另一端连接于受迫梁的自由端；压电片固定在受迫梁上；上、下电极位于压电片的上下表面；牵引梁的牵引绳带动受迫梁发生振动，使受迫梁上的压电片发生形变产生电能，压电片通过连接上、下电极输出电能；当牵引梁的数量大于1时，其在水平面内呈阵列分布。
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公开(公告)号：CN115126931B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210641042.8
申请日：2022-06-08
Applicant: 厦门大学
IPC: F16K99/00
Abstract: 本申请涉及微流控芯片及微流阀的技术领域，尤其涉及一种微流控芯片及其制作方法和电磁控制阀门的装置，微流控芯片包括依次键合的第一层、第二层及第三层，所述第一层上设有微流道，第三层设有第五通孔，所述磁性球安装在第五通孔内，电磁控制阀门的装置包括离心转盘、微流阀及驱动电机，所述驱动电机的输出轴连接离心转盘并驱动其旋转；若干微流控芯片沿圆周均匀设置在转盘上，所述微流阀包括若干电磁铁及与其电连通的信号传输部件；若干电磁铁沿圆周均匀固定在转盘上，且位于所述微流控芯片靠近弧形座的一侧，并与磁性球相对设置；所述电磁铁通过信号传输部件通电，并与所述磁性球形成电磁阀门，用于控制微流道的通断。
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公开(公告)号：CN115126931A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210641042.8
申请日：2022-06-08
Applicant: 厦门大学
IPC: F16K99/00
Abstract: 本申请涉及微流控芯片及微流阀的技术领域，尤其涉及一种微流控芯片及其制作方法和电磁控制阀门的装置，微流控芯片包括依次键合的第一层、第二层及第三层，所述第一层上设有微流道，第三层设有第五通孔，所述磁性球安装在第五通孔内，电磁控制阀门的装置包括离心转盘、微流阀及驱动电机，所述驱动电机的输出轴连接离心转盘并驱动其旋转；若干微流控芯片沿圆周均匀设置在转盘上，所述微流阀包括若干电磁铁及与其电连通的信号传输部件；若干电磁铁沿圆周均匀固定在转盘上，且位于所述微流控芯片靠近弧形座的一侧，并与磁性球相对设置；所述电磁铁通过信号传输部件通电，并与所述磁性球形成电磁阀门，用于控制微流道的通断。
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公开(公告)号：CN112201636A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010982843.1
申请日：2020-09-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种基于阵列微喷结构的一体化散热封装结构，包括CPU、转接板和壳体，转接板装配于壳体内，CPU设于转接板的封装区之上并与转接板封闭连接；转接板设有第一输入微流道、第二输入微流道、第三输入微流道和输出微流道，转接板的封装区内设有若干水平平行槽道，水平平行槽道的两端分别与第一输入微流道和输出微流道导通，水平平行槽道之内设有垂直阵列喷嘴，垂直阵列喷嘴于垂直方向上与第二输入微流道和第三输入微流道导通。本发明还公开了上述封装结构的制作方法。本发明通过于转接板上同时设置平行直通式槽道与垂直阵列微喷结构实现扰流，有效提高散热能力的同时降低转接板与CPU的键合工艺难度，提高CPU的机械强度。
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公开(公告)号：CN109835870B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201910124346.5
申请日：2019-02-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件与ASIC处理电路IC的集成封装方法和结构，首先在ASIC处理电路IC圆片的正面形成一层再布线层，紧接着在再布线层涂敷一层有机物，光刻刻蚀图形化形成微腔阵列；然后将MEMS器件的正面电极焊盘层与微腔阵列对准键合形成闭合空腔结构；将MEMS器件背面硅衬底层减薄抛光至所需厚度，光刻图形化刻蚀暴露出MEMS器件正面电极焊盘层、再布线层的电学接触区；最后，制作金属连接件连接电极焊盘层以及电学接触区。本发明降低了MEMS器件的整体体积、成本，实现芯片倒装键合、提高成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111769087A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010460602.0
申请日：2020-05-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/46 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种大功率GaN器件散热与集成一体化结构，包括TSV转接板、GaN器件、壳体和电路板，其中TSV转接板设有输入微流道、输出微流道和导流结构，GaN器件装配于TSV转接板上且背面设有第一开放微流道，第一开放微流道水平方向的两侧分别通过导流结构与输入微流道和输出微流道导通；TSV转接板装配于壳体内且设有与输入微流道和输出微流道导通的流道，电路板设于壳体的侧壁顶部并与TSV转接板电气连接。本发明在提高GaN器件衬底微流道散热效能的同时不降低GaN器件体的机械强度、并解决GaN器件电气接地与异质集成问题。另外，本发明还提出了实现上述结构的制作方法。
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公开(公告)号：CN108766897B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810601226.5
申请日：2018-06-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明针对大功率GaN器件三维异质集成与器件层散热一体化需求，提出了一种实现大功率GaN器件层散热的三维异质结构的封装方法，利用GaN芯片体‑TSV射频转接板‑硅支撑块等多个叠层衬底实现立体折叠微流道设计，微流体从封装壳体底层流入后拾阶而上冷却GaN器件层热点然后拾阶而下流出，克服了传统TSV三维集成技术内嵌微流道从TSV转接板向大功率GaN芯片体内延伸时存在分流设计、传统立体微流道与封装体‑芯片集成与兼容制造等难题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN103235037A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310114323.9
申请日：2013-04-02
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N29/036 , G01N29/12
Abstract: 本发明公开一种半导体装置及其制造方法，其特征在于在一上基体上加工出通孔、微进孔和微出孔和底面的凹坑，在整个上基体的外表面设置一层绝缘层，通孔内设置导电体；一下基体，其内表面已经具有信号处理IC，在内表面上存在一互连层和一多层结构的谐振器，互连层与该谐振器与信号处理IC之间电气连通，在下基体位于该谐振器的位置处理一底孔；上基体底面与下基体内表面结合，谐振器位于上基体底面的凹坑中，导电体与互连层相连通；该凹坑、微进孔、微出孔形成完整的流道通路，得到一半导体装置。本方案实现了信号处理IC和谐振器整合，在片上集成了微流道，实现了小体积、集成度高，可以实现微量生物样品检测。
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公开(公告)号：CN112665890B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202011625568.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: G01M99/00
Abstract: 本发明公开了一种微米级金属微通道换热器性能测试装置，包括热源芯片、金属微通道换热器、测试盒体、电路板、泵、压力测量系统和温度采集系统；金属微通道换热器装置于测试盒体内并与测试盒体出入水口相连通，热源芯片设置于金属微通道换热器之上，压力测量系统和温度采集系统分别用于检测流阻和温度。本发明还提供了基于上述测试装置的性能评估方法。本发明可准确获取散热能力，评估各部分散热贡献，便于大功率芯片应用散热性能评估。
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