补零信号的频率估计方法
    31.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112444788B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202011241518.6

    申请日:2020-11-09

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明涉及一种补零信号的频率估计方法,其对正弦波信号进行补零操作后,通过重新建立信号模型,并根据该重新建立的信号模型确定幅度最大值和频率偏移量,进而计算出补零后的信号的估计频率。该估计频率与正弦波信号的真实频率的误差很小,有效提高了频率估计的精确度。(56)对比文件Çağatay Candan.Fine resolutionfrequency estimation from three DFTsamples: Case of windowed data《.SignalProcessing》.2015,245-250.

    一种激光导航AGV高精度定位及目标对准控制方法

    公开(公告)号:CN111352420B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN202010139789.4

    申请日:2020-03-03

    Abstract: 一种激光导航AGV高精度定位及目标对准控制方法,涉及移动机器人导航技术领域。基于激光点云对目标环境特征进行点云分割与提取,实现AGV实时获取目标特征点云的能力;基于最近邻方法,解决点云匹配中寻找对应点、建立目标函数的问题;设计一种基于梯度点云密度、多分辨率搜索匹配方法,并通过分支定界优化搜索。实现AGV对目标特征点云进行高精度低延时的匹配,解决了激光导航AGV在特定任务点高精度定位的问题;基于AGV平滑运动控制器,实现AGV平滑、精准的运动控制到达目标点的能力。解决激光导航AGV高精度定位及位姿对准、充电对接等目标对准控制问题,弥补SLAM技术定位精度不足、传统对准控制方法成本过高等缺陷。

    补零信号的频率估计方法
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112444788A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202011241518.6

    申请日:2020-11-09

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明涉及一种补零信号的频率估计方法,其对正弦波信号进行补零操作后,通过重新建立信号模型,并根据该重新建立的信号模型确定幅度最大值和频率偏移量,进而计算出补零后的信号的估计频率。该估计频率与正弦波信号的真实频率的误差很小,有效提高了频率估计的精确度。

    一种薄膜传感器的连接结构及其加工方法

    公开(公告)号:CN110957294A

    公开(公告)日:2020-04-03

    申请号:CN201911263633.0

    申请日:2019-12-11

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明涉及一种薄膜传感器的连接结构及其加工方法,所述薄膜传感器的连接结构包括基体、薄膜传感器、耐高温薄膜引线、铂丝和焊点,所述薄膜传感器安装在所述基体第一表面,所述耐高温薄膜引线一端连接所述薄膜传感器,另一端向外延伸;所述焊点带沟槽的一侧通过粘结剂连接所述基体的第二表面,所述铂丝嵌设在所述焊点的沟槽内,所述铂丝的一端通过所述粘结剂与所述耐高温薄膜引线的延伸端相连,所述铂丝的另一端向外延伸。本发明解决了薄膜传感器的电信号引出问题,可在不改变表面形貌、不破坏表面结构的基础上实现高温恶劣环境下薄膜器件与外界的引线互连和信号传输。

    一种二氧化钛纳米线阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN106830072A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710165856.8

    申请日:2017-03-20

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: C01G23/08 C01P2004/03 C01P2004/10

    Abstract: 一种二氧化钛纳米线阵列的制备方法,涉及纳米材料的制备。提供高效、快速、可控的一种二氧化钛纳米线阵列的制备方法。将基底表面清洗;将钛的醇盐溶液分散在乙醇中,并加入盐酸,抑制钛源水解,混合后,涂覆在基底表面铺展成膜,煅烧后生成二氧化钛籽晶层;将涂覆二氧化钛籽晶层的基底放置于密闭的高压水热反应釜体系中,添加丙酮、钛酸四丁酯、混合酸的前驱体溶液,进行水热反应,即得二氧化钛纳米线阵列。采用盐酸复合有机酸作为水热反应的酸性媒介,实现了一维二氧化钛纳米线阵列的定向生长,利用本发明方法所合成的二氧化钛纳米线具有高度取向性、结晶性良好、线径与长度可控、生产速率快、设备简单等特点,具有十分广阔的应用前景。

    一种纸张型超级电容器电极的制备方法

    公开(公告)号:CN105428093A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201511027493.9

    申请日:2015-12-31

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: Y02E60/13 H01G11/86

    Abstract: 一种纸张型超级电容器电极的制备方法,涉及超级电容器电极。提供一种无支撑、纸张状、柔性的一种纸张型超级电容器电极的制备方法。1)配制水溶性过渡金属盐溶液,再与高度分散的氧化石墨烯溶液混合,超声反应后得过渡金属盐/氧化石墨烯混合溶液;2)将步骤1)得到的过渡金属盐/氧化石墨烯混合溶液离心,清洗,将沉淀物重新超声分散在水中,抽滤、干燥,并从滤膜上直接揭下,得到过渡金属盐/氧化石墨烯滤膜;于密闭的高压水热反应釜体系中添加水性溶液氨水,将过渡金属盐/氧化石墨烯滤膜置于水溶液上方,通过溶剂热还原法,即得纸张型超级电容器电极。成本低廉,对设备要求很低。

    一种锰基层隧复合正极材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116014109B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202310115183.0

    申请日:2023-02-15

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明涉及储能材料技术领域,特别涉及一种锰基层隧复合正极材料及其制备方法和应用。该锰基层隧复合正极材料,其化学通式为aNa0.44MnO2/bNa0.70MnO2,其中,a+b=1。本发明通过适量调节钠的化学计量和分段煅烧温度来调节复合物中P2型层状相和隧道相的比例,在层隧两相的协同作用下,有效提高了循环稳定性和比容量,而且复合物中的隧道相占比更大,因此在倍率性能方面效果显著,实现了优异的综合性能。本发明制备的正极材料具有较高的功率密度、循环稳定性和能量密度。

    一种锰基层隧复合正极材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116014109A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202310115183.0

    申请日:2023-02-15

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明涉及储能材料技术领域,特别涉及一种锰基层隧复合正极材料及其制备方法和应用。该锰基层隧复合正极材料,其化学通式为aNa0.44MnO2/bNa0.70MnO2,其中,a+b=1。本发明通过适量调节钠的化学计量和分段煅烧温度来调节复合物中P2型层状相和隧道相的比例,在层隧两相的协同作用下,有效提高了循环稳定性和比容量,而且复合物中的隧道相占比更大,因此在倍率性能方面效果显著,实现了优异的综合性能。本发明制备的正极材料具有较高的功率密度、循环稳定性和能量密度。

    一种自驱动整合式光致电变色组件节能玻璃

    公开(公告)号:CN112260617A

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN202011127650.4

    申请日:2020-10-20

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种自驱动整合式光致电变色组件节能玻璃,涉及电致变色器件。所述自驱动整合式光致电变色组件节能玻璃包括玻璃基底层和两层导电电级层;玻璃基底层设在两层导电电级层的任一外侧,两层导电电级层间设有钙钛矿太阳能电池部分和电致变色器件部分,两部分通过激光切割区域进行分离;钙钛矿太阳能电池部分依次设有电子传输层、钙钛矿薄膜层和空穴传输层;电致变色器件部分依次设有电致变色层、锂离子导体层和储锂层,锂离子导体层设在电致变色层和储锂层之间。制备方法简单,钙钛矿电池和电致变色变色区域的图案分配可根据实际需要在一个平面上进行自由组合和排布,不会互相影响,能发挥自身发电状态与光穿透度调控,优化能源与光学调控管理。

    一种基于石墨烯多孔膜的离子浓差极化芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN106927541B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201710171940.0

    申请日:2017-03-22

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种基于石墨烯多孔膜的离子浓差极化芯片及其制备方法,涉及离子浓差极化芯片。芯片包括玻璃底座、PDMS基片、缓冲溶液的进出水口、第1PDMS基片中的石墨烯基多孔膜;第1PDMS基片带有Y形凹槽,第2PDMS基片带有I形凹槽。制备方法:配制石墨烯基前驱体浆料;制作芯片;将石墨烯基前驱体浆料涂抹在Y通道的切口处,固化后即得芯片。价格低,工艺简单,容易制取;石墨烯类材料自身属于弱酸,对器件的危害低;石墨烯类材料电导率调控方便,易于进行表面官能团与电荷调控,可与大量材料进行复合实现复合薄膜与器件的制备。较于Nafion基的芯片,石墨烯基的芯片能形成更稳定、范围更大的耗尽区。

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