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公开(公告)号：CN106927541B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201710171940.0
申请日：2017-03-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于石墨烯多孔膜的离子浓差极化芯片及其制备方法，涉及离子浓差极化芯片。芯片包括玻璃底座、PDMS基片、缓冲溶液的进出水口、第1PDMS基片中的石墨烯基多孔膜；第1PDMS基片带有Y形凹槽，第2PDMS基片带有I形凹槽。制备方法：配制石墨烯基前驱体浆料；制作芯片；将石墨烯基前驱体浆料涂抹在Y通道的切口处，固化后即得芯片。价格低，工艺简单，容易制取；石墨烯类材料自身属于弱酸，对器件的危害低；石墨烯类材料电导率调控方便，易于进行表面官能团与电荷调控，可与大量材料进行复合实现复合薄膜与器件的制备。较于Nafion基的芯片，石墨烯基的芯片能形成更稳定、范围更大的耗尽区。
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公开(公告)号：CN106830072A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710165856.8
申请日：2017-03-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C01G23/08
CPC classification number: C01G23/08 , C01P2004/03 , C01P2004/10
Abstract: 一种二氧化钛纳米线阵列的制备方法，涉及纳米材料的制备。提供高效、快速、可控的一种二氧化钛纳米线阵列的制备方法。将基底表面清洗；将钛的醇盐溶液分散在乙醇中，并加入盐酸，抑制钛源水解，混合后，涂覆在基底表面铺展成膜，煅烧后生成二氧化钛籽晶层；将涂覆二氧化钛籽晶层的基底放置于密闭的高压水热反应釜体系中，添加丙酮、钛酸四丁酯、混合酸的前驱体溶液，进行水热反应，即得二氧化钛纳米线阵列。采用盐酸复合有机酸作为水热反应的酸性媒介，实现了一维二氧化钛纳米线阵列的定向生长，利用本发明方法所合成的二氧化钛纳米线具有高度取向性、结晶性良好、线径与长度可控、生产速率快、设备简单等特点，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105428093A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511027493.9
申请日：2015-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: H01G11/86
Abstract: 一种纸张型超级电容器电极的制备方法，涉及超级电容器电极。提供一种无支撑、纸张状、柔性的一种纸张型超级电容器电极的制备方法。1)配制水溶性过渡金属盐溶液，再与高度分散的氧化石墨烯溶液混合，超声反应后得过渡金属盐/氧化石墨烯混合溶液；2)将步骤1)得到的过渡金属盐/氧化石墨烯混合溶液离心，清洗，将沉淀物重新超声分散在水中，抽滤、干燥，并从滤膜上直接揭下，得到过渡金属盐/氧化石墨烯滤膜；于密闭的高压水热反应釜体系中添加水性溶液氨水，将过渡金属盐/氧化石墨烯滤膜置于水溶液上方，通过溶剂热还原法，即得纸张型超级电容器电极。成本低廉，对设备要求很低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107935037A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711269602.7
申请日：2017-12-05
Applicant: 厦门大学
IPC: C01G23/053
CPC classification number: C01G23/0536
Abstract: 一种过渡金属元素掺杂的TiO2纳米棒阵列的制备方法，涉及纳米材料。FTO基底清洗；TiO2籽晶层制备；过渡金属元素掺杂的TiO2纳米棒阵列的制备。采用溶剂热的办法一步法直接在TiO2籽晶层上原位生长大面积、高度均匀、高度取向生长的过渡金属掺杂TiO2纳米棒阵列。且掺杂纳米棒阵列的形貌得以保持。所制备的材料成本低廉，操作简单，对设备要求很低；一步法实现过渡金属离子在纳米棒阵列中的掺杂；掺杂后，纳米棒的结晶性显著提升，且纳米棒阵列的形貌得以保持。
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公开(公告)号：CN106904700A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710171870.9
申请日：2017-03-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C02F1/48 , C02F103/08
CPC classification number: C02F1/48 , C02F2103/08
Abstract: 一种石墨烯基薄膜包覆金属作为电极材料的离子分离器件，涉及离子分离器件。离子分离器件设有金属负极、负极基底、盐水入口、淡盐水出口、浓盐水出口、Y形通道和正极基片；所述金属负极包覆有石墨烯纳米多孔膜，金属负极预埋在负极基底中，金属负极有一个面露出负极基底，盐水入口、浓盐水出口和淡盐水出口相互连通并形成盐水、浓盐水、淡盐水三条通道，金属负极位于淡盐水通道中并靠近盐水、浓盐水、淡盐水三条通道交叉处，金属负极暴露在淡盐水通道中。先制备石墨烯纳米多孔膜包覆的金属电极，再制作石墨烯基薄膜包覆金属作为电极材料的离子分离器件。制作简单、成本低、离子分离效果好、可大规模集成与应用，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106904700B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710171870.9
申请日：2017-03-22
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N30/96 , C02F103/08
Abstract: 一种石墨烯基薄膜包覆金属作为电极材料的离子分离器件，涉及离子分离器件。离子分离器件设有金属负极、负极基底、盐水入口、淡盐水出口、浓盐水出口、Y形通道和正极基片；所述金属负极包覆有石墨烯纳米多孔膜，金属负极预埋在负极基底中，金属负极有一个面露出负极基底，盐水入口、浓盐水出口和淡盐水出口相互连通并形成盐水、浓盐水、淡盐水三条通道，金属负极位于淡盐水通道中并靠近盐水、浓盐水、淡盐水三条通道交叉处，金属负极暴露在淡盐水通道中。先制备石墨烯纳米多孔膜包覆的金属电极，再制作石墨烯基薄膜包覆金属作为电极材料的离子分离器件。制作简单、成本低、离子分离效果好、可大规模集成与应用，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106830072B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710165856.8
申请日：2017-03-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C01G23/08
Abstract: 一种二氧化钛纳米线阵列的制备方法，涉及纳米材料的制备。提供高效、快速、可控的一种二氧化钛纳米线阵列的制备方法。将基底表面清洗；将钛的醇盐溶液分散在乙醇中，并加入盐酸，抑制钛源水解，混合后，涂覆在基底表面铺展成膜，煅烧后生成二氧化钛籽晶层；将涂覆二氧化钛籽晶层的基底放置于密闭的高压水热反应釜体系中，添加丙酮、钛酸四丁酯、混合酸的前驱体溶液，进行水热反应，即得二氧化钛纳米线阵列。采用盐酸复合有机酸作为水热反应的酸性媒介，实现了一维二氧化钛纳米线阵列的定向生长，利用本发明方法所合成的二氧化钛纳米线具有高度取向性、结晶性良好、线径与长度可控、生产速率快、设备简单等特点，具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106927541A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710171940.0
申请日：2017-03-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C02F1/44 , B01D63/00 , B01D69/12 , B01D67/00 , C02F103/08
CPC classification number: Y02A20/131 , C02F1/442 , B01D63/005 , B01D67/0079 , B01D69/12 , C02F2103/08
Abstract: 一种基于石墨烯多孔膜的离子浓差极化芯片及其制备方法，涉及离子浓差极化芯片。芯片包括玻璃底座、PDMS基片、缓冲溶液的进出水口、第1PDMS基片中的石墨烯基多孔膜；第1PDMS基片带有Y形凹槽，第2PDMS基片带有I形凹槽。制备方法：配制石墨烯基前驱体浆料；制作芯片；将石墨烯基前驱体浆料涂抹在Y通道的切口处，固化后即得芯片。价格低，工艺简单，容易制取；石墨烯类材料自身属于弱酸，对器件的危害低；石墨烯类材料电导率调控方便，易于进行表面官能团与电荷调控，可与大量材料进行复合实现复合薄膜与器件的制备。较于Nafion基的芯片，石墨烯基的芯片能形成更稳定、范围更大的耗尽区。
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