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公开(公告)号：CN104496481B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201510003182.2
申请日：2015-01-06
Applicant: 厦门大学
IPC: B29C47/00 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 加宽型自支撑硅氧碳薄膜制备装置及制备方法，涉及硅氧碳薄膜。制备装置设有支撑系统、纺膜系统、滚压成型系统和加热系统；支撑系统为纺膜系统和滚压成型系统提供支架和底座；纺膜系统设有顶杆、喷膜料筒和喷模板；滚压成型系统设有横向加宽器、纵向加宽器和卷绕器；加热系统设有出膜板、加热体、保温体、炉壁、玻璃窗、耐热手套、蝴蝶夹、把手、热电偶和控温器。以聚碳硅烷为先驱体，在惰性气体氛围中，先进行脱泡和熔融处理，再将得到的熔融聚碳硅烷从出膜口引入挤压成型装置，在惰性气氛保护及较高温度的环境中，经过多次滚筒滚压，获得具有较大宽度的聚碳硅烷原膜，原膜经氧化交联和高温裂解烧结，即得加宽型自支撑硅氧碳薄膜。
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公开(公告)号：CN104130277B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410380602.4
申请日：2014-08-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 固态超支化芳基共轭的含铝聚碳硅烷及其制备方法与应用，涉及一种有机发光材料。先合成聚碳硅烷，再合成含铝聚碳硅烷，最后合成固态超支化芳基共轭的含铝聚碳硅烷。所述固态超支化芳基共轭的含铝聚碳硅烷可在制备有机发光材料中应用。以聚二甲基硅氧烷为原料，通过在反应釜内反应获得聚碳硅烷，再进行聚碳硅烷小分子脱泡，然后将少量乙酰丙酮铝和脱泡后的聚碳硅烷混合进行反应，得到含铝聚碳硅烷，再加入少量芳基(Pn)有机物(如苯乙烯、2-乙烯基萘、9-乙烯基蒽等)进一步反应，最后得到固态超支化芳基共轭的含铝聚碳硅烷。
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公开(公告)号：CN101962534B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201010253114.9
申请日：2010-08-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种有机发光材料及其制备方法，涉及一种有机硅聚合物。提供一种有机发光材料及其制备方法。有机发光材料的原料组成为金属有机物和聚碳硅烷。将聚二甲基硅氧烷置于反应釜内，在氩气保护下升温，充入氩气，待反应釜内温度自然降到室温后，再加入正己烷将产物溶解，过滤，真空除去正己烷，得聚碳硅烷，研磨后浸泡于乙醇中，不溶物用乙醇淋洗后真空干燥；将聚碳硅烷粉末和金属有机物粉末倒入三颈瓶，在氩气保护气氛下，升温至150～160℃，保温1～1.5h，再升温到260～270℃保温1～1.5h，反应结束待产物冷却后，用干燥的正己烷溶解，产物经抽滤除去不溶物，最后经减压蒸馏得到粉末状固体有机发光材料。
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公开(公告)号：CN100564255C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200810070533.1
申请日：2008-01-25
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B31/36
Abstract: 一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法，涉及一种碳化硅(SiC)薄膜。提供一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法。设有上密封盖、顶杆、喷膜料桶、喷膜板、垫片和下密封盖，上密封盖位于顶杆顶部，上密封盖固设于喷膜料桶上，顶杆设在喷膜料桶内，喷膜板固定在喷膜料桶底部，下密封盖设于喷膜板下方，垫片位于喷膜板与下密封盖之间，喷膜板设有喷膜盘、左夹板、右夹板和4个调节螺丝，左、右夹板并排设置，左、右夹板通过调节螺丝固设在喷膜盘上，喷膜板上还设有喷膜口。对聚碳硅烷进行脱泡处理，再将连续聚碳硅烷自由原膜进行交联处理，交联处理后进行烧结。
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公开(公告)号：CN101219788A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810070533.1
申请日：2008-01-25
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B31/36
Abstract: 一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法，涉及一种碳化硅(SiC)薄膜。提供一种碳化硅薄膜成型装置与碳化硅薄膜的制备方法。设有上密封盖、顶杆、喷膜料桶、喷膜板、垫片和下密封盖，上密封盖位于顶杆顶部，上密封盖固设于喷膜料桶上，顶杆设在喷膜料桶内，喷膜板固定在喷膜料桶底部，下密封盖设于喷膜板下方，垫片位于喷膜板与下密封盖之间，喷膜板设有喷膜盘、左夹板、右夹板和4个调节螺丝，左、右夹板并排设置，左、右夹板通过调节螺丝固设在喷膜盘上，喷膜板上还设有喷膜口。对聚碳硅烷进行脱泡处理，再将连续聚碳硅烷自由原膜进行交联处理，交联处理后进行烧结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111848172A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010722118.0
申请日：2020-07-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷材料制备。将先驱体PVG粉末置于石墨纸舟中在惰性气氛保护下高温裂解，将MoSi2和裂解后的SiC(rGO)p陶瓷颗粒、先驱体PVG粉末混合形成MoSi2/SiC(rGO)p/PVG混合物，然后在酒精介质中进行球磨混合均匀后置于烘箱中烘干；装入模具中模压成型，脱模后得素坯，放入惰性气氛管式炉内进行高温烧结，随炉冷却后即得到黑色的二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷，简称3D-SiC(rGO,MoSi2x)纳米复合块体陶瓷，其中x为二硅化钼占整个素坯的质量分数。具有较高的热导率和电导率，良好成型性与成分均匀性；工艺简单经济。
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公开(公告)号：CN110922191A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911327806.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法，涉及陶瓷材料制备。将PCS粉末、VTES与卡斯特催化剂溶解于二甲苯中得二甲苯溶液，将GO粉末分散于水中得水溶液；将二甲苯溶液和水溶液混合，水浴加热并用磁力搅拌器搅拌，反应后静置，取上层液体旋蒸后研磨，得先驱体PVG粉末，模压成型后得SiC(rGO)素坯，将素坯置于气氛管式炉内氩气气氛下高温烧结，随炉冷却后即得黑色3D-SiC(rGO)陶瓷，然后浸没于分子量较小的液态聚碳硅烷先驱体中，浸渍后取出晾干，于氩气气氛中高温裂解，重复多次后即得浸渍3D-SiC(rGO)陶瓷，在不同温度下于空气中高温氧化，即得愈合3D-SiC(rGO)陶瓷。
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公开(公告)号：CN106696444B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201710009248.8
申请日：2017-01-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种陶瓷基板连续化丝网印刷机及其印刷方法，涉及丝网印刷。陶瓷基板连续化丝网印刷机包括薄膜送膜系统、印刷系统、热处理系统、基板收膜系统；所述薄膜送膜系统、印刷系统、热处理系统、基板收膜系统依次排列并放置于地面，薄膜送膜系统的传动机构连接印刷系统和热处理系统，印刷系统和热处理系统之间设有定位机构，碳化硅陶瓷薄膜从薄膜送膜系统送出并通过定位机构后传送进入印刷系统和热处理系统，再经定位机构由基板收膜系统卷取成品基板。可以短时间内使碳化硅陶瓷薄膜表面均匀涂布印料，并对印刷好的印料进行热处理固化，从而将碳化硅陶瓷薄膜制成带有电路图案的碳化硅陶瓷基板。
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公开(公告)号：CN106696444A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710009248.8
申请日：2017-01-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种陶瓷基板连续化丝网印刷机及其印刷方法，涉及丝网印刷。陶瓷基板连续化丝网印刷机包括薄膜送膜系统、印刷系统、热处理系统、基板收膜系统；所述薄膜送膜系统、印刷系统、热处理系统、基板收膜系统依次排列并放置于地面，薄膜送膜系统的传动机构连接印刷系统和热处理系统，印刷系统和热处理系统之间设有定位机构，碳化硅陶瓷薄膜从薄膜送膜系统送出并通过定位机构后传送进入印刷系统和热处理系统，再经定位机构由基板收膜系统卷取成品基板。可以短时间内使碳化硅陶瓷薄膜表面均匀涂布印料，并对印刷好的印料进行热处理固化，从而将碳化硅陶瓷薄膜制成带有电路图案的碳化硅陶瓷基板。
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公开(公告)号：CN104130772B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410380562.3
申请日：2014-08-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种主链芳基共轭有机发光材料及其制备方法，涉及有机发光材料。将镁粉加入有机溶剂中，在惰性气体保护下，磁子搅拌下升温激活，然后加入溴代芳香类单体，用冰水将反应系统温度降至室温，在惰性气体保护下，磁子搅拌反应，得到格氏溶液；将二氯甲基硅烷单体加入格氏溶液中，在惰性气体保护下反应，加入醇类有机溶剂搅拌，过滤，在滤液中加入正己烷，分液，将正己烷溶液负压下旋蒸，真空干燥，得到单体；将所得单体与催化剂混合，在惰性气体保护下升温反应，然后冷却至室温，得到淡黄色固体，即主链芳基共轭有机发光材料。提高了抗氧化交联、抗紫外老化和热稳定性能，表现出较强的发光性能。
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