一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法

    公开(公告)号:CN110922191A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911327806.0

    申请日:2019-12-20

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法,涉及陶瓷材料制备。将PCS粉末、VTES与卡斯特催化剂溶解于二甲苯中得二甲苯溶液,将GO粉末分散于水中得水溶液;将二甲苯溶液和水溶液混合,水浴加热并用磁力搅拌器搅拌,反应后静置,取上层液体旋蒸后研磨,得先驱体PVG粉末,模压成型后得SiC(rGO)素坯,将素坯置于气氛管式炉内氩气气氛下高温烧结,随炉冷却后即得黑色3D-SiC(rGO)陶瓷,然后浸没于分子量较小的液态聚碳硅烷先驱体中,浸渍后取出晾干,于氩气气氛中高温裂解,重复多次后即得浸渍3D-SiC(rGO)陶瓷,在不同温度下于空气中高温氧化,即得愈合3D-SiC(rGO)陶瓷。

    一种聚碳硅烷不熔化预处理及其裂解转化三维陶瓷方法

    公开(公告)号:CN111454061B

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202010266375.8

    申请日:2020-04-07

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种聚碳硅烷不熔化预处理及其裂解转化三维陶瓷方法,涉及陶瓷材料制备。先合成三维碳化硅聚合物先驱体,在惰性气氛保护下高温裂解制备SiC(Al,rGO)p陶瓷颗粒,与先驱体粉末球磨混匀后烘干,压片成型后再次高温烧结得到3D‑SiC(Al,rGO)陶瓷,最后对陶瓷的表面形貌修饰。所述三维陶瓷材料含有Si、C、O、Al四种元素,Al以原子状态均匀分布于SiOxCy无定形相中,β‑SiC纳米晶镶嵌于复合rGO的SiOxCy/Cfree无定形相中,存在SiO2微晶。扩展先驱体的交联度与分子量以形成三维网络结构,减少裂解时小分子气体的蒸发,提高陶瓷断裂韧性与耐高温稳定性,满足高温等恶劣环境应用领域。

    一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法

    公开(公告)号:CN110922191B

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN201911327806.0

    申请日:2019-12-20

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法,涉及陶瓷材料制备。将PCS粉末、VTES与卡斯特催化剂溶解于二甲苯中得二甲苯溶液,将GO粉末分散于水中得水溶液;将二甲苯溶液和水溶液混合,水浴加热并用磁力搅拌器搅拌,反应后静置,取上层液体旋蒸后研磨,得先驱体PVG粉末,模压成型后得SiC(rGO)素坯,将素坯置于气氛管式炉内氩气气氛下高温烧结,随炉冷却后即得黑色3D‑SiC(rGO)陶瓷,然后浸没于分子量较小的液态聚碳硅烷先驱体中,浸渍后取出晾干,于氩气气氛中高温裂解,重复多次后即得浸渍3D‑SiC(rGO)陶瓷,在不同温度下于空气中高温氧化,即得愈合3D‑SiC(rGO)陶瓷。

    一种聚碳硅烷不熔化预处理及其裂解转化三维陶瓷方法

    公开(公告)号:CN111454061A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN202010266375.8

    申请日:2020-04-07

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种聚碳硅烷不熔化预处理及其裂解转化三维陶瓷方法,涉及陶瓷材料制备。先合成三维碳化硅聚合物先驱体,在惰性气氛保护下高温裂解制备SiC(Al,rGO)p陶瓷颗粒,与先驱体粉末球磨混匀后烘干,压片成型后再次高温烧结得到3D-SiC(Al,rGO)陶瓷,最后对陶瓷的表面形貌修饰。所述三维陶瓷材料含有Si、C、O、Al四种元素,Al以原子状态均匀分布于SiOxCy无定形相中,β-SiC纳米晶镶嵌于复合rGO的SiOxCy/Cfree无定形相中,存在SiO2微晶。扩展先驱体的交联度与分子量以形成三维网络结构,减少裂解时小分子气体的蒸发,提高陶瓷断裂韧性与耐高温稳定性,满足高温等恶劣环境应用领域。

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