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公开(公告)号：CN110484998B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910617314.9
申请日：2019-07-09
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明提供了一种超长氧化硅包覆氮化硅纳米线的制备方法，属于一维纳米材料的制备技术领域。一种超长氧化硅包覆氮化硅纳米线的制备方法，将一定粒径的硅粉在无任何金属及金属盐催化剂的条件下，通过氨气预处理后将氮化气氛转换为氮氨混合气，氮化反应后在氮化堆积体表面生成大量疏松状超长氮化硅纳米线，纳米线表面覆有一定厚度的非晶氧化硅层。本发明无需金属及金属盐催化剂即可一步获得大量氧化硅包覆氮化硅纳米线，提高了产品纯度，简化了制备工艺。
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公开(公告)号：CN111170746A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010038702.4
申请日：2020-01-14
Applicant: 南昌大学
IPC: C04B35/597 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种空气气氛下制备氮氧化硅粉体的方法。该法以硅粉为原料，通过将不同粒径和厚度的硅粉堆积体，在常压高温条件下进行氮氧化合成，再除去上层微烧结态及少量边部产物后，得到氮氧化硅粉体成品。本发明相对现有技术，不但使得氮氧化反应生成的氧化硅、氮化硅等杂相易与氮氧化硅分离，从而大幅度提高产品纯度，而且收得率也非常高，再者利用常压空气作为氮、氧源，节约成本，使得该制备方法，工艺简单，易于操作，成本低廉，适合于工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN110790245A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911197640.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 南昌大学
IPC: C01B21/082 , C04B35/597 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种热爆合成-重力分选制备氧氮化硅纳米粉体的方法。该方法以硅粉和二氧化硅为原料进行配比混合，通过热爆合成，得到以氧氮化硅相为主，含有少量残留二氧化硅和氮化硅副产物相的合成产物。最后再利用氧氮化硅颗粒与杂相颗粒之间的粒度差，通过重力分选的方式获得氧氮化硅纳米粉体。本发明也是对CN104891459A“一种常压热爆合成制备氮氧化硅粉体的方法”发明专利的技术改进。相较于CN104891459A发明专利在原料的粒径、配比，热爆合成和重力选择的时间都有所优化，因而可制备获得纳米级氧氮化硅粉体，其纯度高、粒径分布均匀、产品收得率大于90％。
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公开(公告)号：CN110459621A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910680382.X
申请日：2019-07-26
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳电池技术领域，具体公开了一种取代低温银浆制备太阳电池电极栅线的焊膏及其制备方法。该焊膏以质量份数计包括：低熔点合金粉体165-185份、有机粘接剂4-8份、助焊剂1-4份；所述的合金粉体，以质量百分比计包括锡45-65％、铋3-25％、铅0-40％、铟0-25％。本发明采用能够与ITO透明导电膜表面接触和附着良好的低温焊料，所获得的焊膏能取代低温银浆的栅线材料，其导电率显著高于相同温度条件下烘烤的银浆栅线。本发明以丝网印刷方法在电池表面印制栅线电极，以钎焊方法实现栅线在电池表面的熔融凝固附着，在基本不改变生产线设备和工艺的条件下取代银浆。
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公开(公告)号：CN110436934A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910617455.0
申请日：2019-07-09
Applicant: 南昌大学
IPC: C04B35/591 , C04B35/626 , D01F9/08
Abstract: 本发明提供了一种高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线的制备方法，属于非氧化物陶瓷材料的制备技术领域。本发明将一定粒径的硅粉在无任何稀释剂、金属及金属盐催化剂的条件下，通过氨气预处理后将氮化气氛转换为氮氢氩混合气，在慢速升温、分段保温、逐步降低辅助氩气的条件下反应生成高α相氮化硅堆积体软块，其上覆有大量超长氮化硅纳米线，将超长氮化硅纳米线剥离后，将疏松堆积体软块通过细化处理可获得高α相氮化硅粉体。本发明可以在无任何添加剂的情况下，通过硅粉氮化直接同步制备高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN101491888B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200910114992.X
申请日：2009-03-05
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明涉及一种太阳能光伏领域的硅片线锯工艺产生的砂浆中的硅与碳化硅的粉体分离技术，特别是采用泡沫浮选方法分离硅与碳化硅。该分离硅粉体与碳化硅粉体的泡沫浮选方法的步骤如下：向从硅片线锯工艺产生的砂浆中加入处理剂，按重量配比为砂浆100-1000份：处理剂100-1000份；将砂浆与处理剂搅拌均匀，沉降分为三层，分别收集上层的碳化硅和下层的硅粉；中间为液体层。处理剂包括溶剂和表面改性剂按比例混合而成，混合比例为重量百分比99-70％的溶剂，1-30％的表面改性剂。采用本发明收集的硅粉中残存的碳化硅少于0.5％体积百分比，砂浆中剩余的硅少于10％体积百分比。
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公开(公告)号：CN100343360C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200510069827.9
申请日：2005-04-27
Applicant: 南昌大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 一种单斜型铝酸钆基荧光粉体及其制备方法，荧光粉体的化学表达式为Gd4(1-x)A12O9:REx或Gd4A12(1-x)O9:REx，式中RE为Eu、Pr、Ce、Tb等稀土元素，RE可以是稀土元素的一种或多种，X为掺杂克分子量，0.01＜x＜0.1，其制备方法是按化学计量比将硝酸铝、稀土氧化物用浓硝酸溶解于容器中，按柠檬酸与金属离子摩尔比为1～2倍的量，向混合溶液中加入适量柠檬酸，调节溶液pH值至3～7，在70～80℃搅拌加热至透明状凝胶，400～500℃预烧，再经过950～1350℃温度锻烧1.5小时以上，本发明制备的荧光粉体色纯度高、发光强度大、粒径分布均匀(范围为40～100nm)、工艺过程简单易行，原料便宜且易得。
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公开(公告)号：CN1686841A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN200510071546.7
申请日：2005-05-24
Applicant: 南昌大学
Abstract: 一种利用钽铌矿冶炼萃取残液制取氟铝酸钠的工艺，其特征是用氨中和萃取残液至pH＝7～8，沉淀分离仲钨酸铵和杂质；在母液中加硫酸调pH至5～6，并按化学反应计量比加入硫酸铝、硫酸钠，过滤、洗涤和烘干得氟铝酸钠，再在母液中加入NaOH或Ca(OH)2调节pH＝9～10，蒸发结晶生成硫酸铵，将沉淀分离出的仲钨酸铵加水通氨溶解，过滤，分离杂质，然后蒸发结晶，烘干、熔烧，制得三氧化钨，本发明所采用的钽铌萃取残液回收工艺，工艺简单，易于操作，不但可以有效地回收氟铝酸钠，而且可得硫酸铵、三氧化钨副产品，提高钽铌萃取残液的处理效率和净化复用率，减少废水总体的排放量，增加资源利用率，提高钽铌冶金的经济效益。
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公开(公告)号：CN1670125A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510069827.9
申请日：2005-04-27
Applicant: 南昌大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 一种单斜型铝酸钆基荧光粉体及其制备方法，荧光粉体的化学表达式为Gd4(1－x)A12O9∶REx或Gd4A12(1－x)O9∶REx，式中RE为Eu、Pr、Ce、Tb等稀土元素，RE可以是稀土元素的一种或多种，X为掺杂克分子量，0.01＜x＜0.1，其制备方法是按化学计量比将硝酸铝、稀土氧化物用浓硝酸溶解于容器中，按柠檬酸与金属离子摩尔比为1～2倍的量，向混合溶液中加入适量柠檬酸，调节溶液pH值至3～7，在70～80℃搅拌加热至透明状凝胶，400～500℃预烧，再经过950～1350℃温度锻烧1.5小时以上，本发明制备的荧光粉体色纯度高、发光强度大、粒径分布均匀(范围为40～100nm)、工艺过程简单易行，原料便宜且易得。
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