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公开(公告)号：CN102208434A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110102863.6
申请日：2011-04-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L27/32
Abstract: 一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，由像素单元集合而成，像素单元包括扫描线、数据线、公共电源供给线、阴极线、选址TFT、控制TFT、存储电容和像素OLED，公共电源供给线由网状公共电源供给线和环状公共电源供给线构成，两个相邻像素单元之间的公共电源供给线由公共电极交叉岛连接并形成网状结构，与环状公共电源供给线相接的像素单元的公共电源供给线通过接触孔与其连接。本发明的优点：在相同显示面积和亮度时，网状电极的电极总功率耗散为梳状电极的16.1％；在相同显示面积和亮度时，网状电极其电极最大直流电压降为梳状电极的27.3％，这对解决大面积AMOLED基板电极总功率耗散和电极直流电压降提供了有效的方法。
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公开(公告)号：CN101183512B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200710060377.6
申请日：2007-12-19
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/36
Abstract: 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的LCD列驱动模式，显示屏周边集成电路包括有3m个TFT开关自左向右构成n组，同一像素的三个子像素所连的TFT在同一组，将每组含有的3m/n个TFT的栅极相连，对外有n条控制线与控制电路相连；控制电路部分有译码器、模拟多路选通器、模拟灰度级电压产生电路、电压反转电路、电位选择器。本发明的控制电路通过电位选择器在多个灰度级电压中进行选择，将适当的电压传输到显示屏基板，集成在数据线上的开关依次打开，模拟多路选通器依次将数据写入像素电容，从而完成逐点写入的过程，将前级传输过来的数据写入LCD像素单元，从而取代了数据驱动芯片的功能，为分辨率不高的LCD显示屏提供了一种更为经济实用的数据驱动方式，节约了成本。
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公开(公告)号：CN101724901A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910244845.4
申请日：2009-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法，将衬底上沉积包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得的多层薄膜，在450℃～550℃下氢等离子氛围中退火，较短时间即可获得完全晶化了的多晶硅薄膜。该发明不仅将传统的退火晶化工艺、氢等离子体晶化与钝化工艺合二为一，并且降低了铝诱导晶化的退火时间，减少了热预算，可以较显著地降低成本；本发明通过氢等离子体氛围铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜材料，可用于制备多晶硅薄膜太阳电池、平板显示器件中的低温多晶硅薄膜晶体管等器件，具有工艺简化、热预算少、成本低等特点，是一种适用于大规模工业生产的多晶硅薄膜材料的晶化方法。
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公开(公告)号：CN101404142A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810152752.4
申请日：2008-10-31
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/32 , H01L27/32 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种电流镜型TFT－OLED显示像素单元电路，包括有：四个多晶硅TFT管T1、T2、T3、T4、一个有机发光二极管OLED、一个电容Cs，该T3、T4管完全对称，由T3、T4构成一个电流镜，T1、T2作为开关管，行扫描信号加在这两个管的栅极，以控制数据电流的通断，电容Cs以电压形式存储显示数据，其两端的电压加载到T4的栅极上，以驱动OLED发光，所述多晶硅TFT管T1、T2、T3、T4均为P沟道器件。本发明还提供了高质量镜像TFT管的横向晶化或激光晶化制备方法。本发明可以提高组成镜像流的TFT管的器件特性的一致性与精确性，可以提高OLED屏的图像响应速度、图像灰度级和画面显示质量。
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公开(公告)号：CN101179013A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710150842.5
申请日：2007-12-10
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 自缓释金属诱导晶化多晶硅薄膜材料的制备方法及应用。采用镍硅混合物靶，在氩氧混合气体中溅射形成低镍含量的氧化镍和氧化硅混合薄膜作金属诱导横向晶化诱导源。由于镍以氧化物状态存在，并以较低含量混合在氧化硅中，因此，除靠近非晶硅和金属诱导层界面处的镍可较快地扩散到硅膜之中，后面的镍则以非常缓慢的速度释放到硅膜中。表面镍原子数量与混合物薄膜的厚度无关，因此，即使其厚度不均匀及批次间厚度出现变化，晶核和诱导前锋的形成状态却是基本相同的。在随后的横向晶化过程中，缓释的镍不断补充晶化前锋所需的镍。使用该技术可在保持适当的晶化速率前提下，有效地减少了多晶硅中镍的残余量，提高了多晶硅材料和器件的均匀性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1438714A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03105077.8
申请日：2003-03-06
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种薄膜光光上转换图象显示装置，本发明将Si基薄膜光电池及有机薄膜发光二极管(OLED)直接耦合构成一种新型光光转换装置。将光电传感器Si基薄膜光电池和以顶部为高透过率透明电极的顶发射OLED反向串接构成复合装置，由Si基薄膜光电池将输入光信号转换成的光生电流直接耦合到OLED发出另一波长的可见光，不同的Si基薄膜光电池可实现不同波段的光响应。本发明可用于光探测、寻像器、夜视、光图象转换的信息处理、光子学平行信号处理等领域。
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公开(公告)号：CN118888544A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410918957.8
申请日：2024-07-10
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿PV/LED光‑光转换集成器件及其制备方法，涉及光‑光转换器件技术领域。该光‑光转换集成器件包括：集成设置在ITO衬底上的太阳电池吸光部分和发光部分，太阳电池吸光部分采用钙钛矿太阳电池，发光部分为LED，钙钛矿太阳电池与所述LED在ITO衬底上由内部ITO连接集成，可形成单像素或大面积像素阵列的钙钛矿PV/LED光‑光转换集成器件。本发明制备的光‑光转换集成器件将光吸收与发射进行光电集成，达到自供能图像显示的目的，根据不同的光源形式，可实现从简单静态图像到复杂动态视频的显示功能，同时具有低成本、低功耗、大面积柔性能力的特点，为图像显示面向高速、低功耗与智能化的发展道路提供新的技术支撑。
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公开(公告)号：CN116963566A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310366318.0
申请日：2023-04-07
Applicant: 南开大学
IPC: H10K71/20 , H10K50/115 , H10K50/17 , H10K50/813 , H10K50/822
Abstract: 本发明公开了一种图案化量子点薄膜发光器件的制备方法，在玻璃衬底上喷墨打印发光器件的金属叉指电极，然后喷墨打印载流子注入层，通过超声喷涂沉积图案化量子点薄膜，得到图案化发光的CsPbBr3无机钙钛矿量子点发光器件。本发明制备的发光器件可通过改变发光层量子点薄膜的形状实现不同图案的发光器件，并且结构创新、工艺简单，适用于柔性、曲面衬底，具有商业化的潜力。
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公开(公告)号：CN113644167A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202111079745.8
申请日：2021-09-15
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种用于隧穿氧钝化接触（TOPCon）晶硅太阳电池的激光退火制备多晶硅基合金方法，其具体制备过程为：沉积非晶硅基合金薄膜；利用激光扫描非晶硅基合金薄膜，使之退火形成多晶硅基合金薄膜薄膜；将上述样品放在退火炉里，并通入一定的含氢气体，在较高温度下保持一段时间进行补氢；在一次补氢后的样品沉积一定厚度Al2O3层；最后将上述样品再次放在退火炉中，在一定气氛中、一定温度下保持一段时间，进行二次补氢。本发明采用高能量密度的激光退火实现非晶硅基合金薄膜的快速晶化形成多晶硅合金薄膜，相对传统的热退火能够显著缩短退火时间，有利于提高生产效率，节约生产成本。
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公开(公告)号：CN104766893B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201510184202.0
申请日：2015-04-17
Applicant: 南开大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/12
Abstract: 一种薄膜晶体管，由衬底、栅电极、栅绝缘层、有源沟道层和源漏电极叠加组成，其中有源沟道层为有机/无机复合钙钛矿薄膜，各层薄膜的厚度为：栅电极1μm、栅绝缘层200‑400nm、有源沟道层200‑300nm、源漏电极1μm。本发明的优点是：该薄膜晶体管将有机/无机复合钙钛矿材料用于薄膜晶体管的有源沟道层，结合了无机半导体的高迁移率和有机半导体的柔韧、便宜，低温易制备等优点，既具有比有机薄膜晶体管更高的驱动能力，同时又兼具简单、低成本及易于在柔性衬底上的大面积制备的能力；其制备方法简单易行，有利于工业化应用。
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