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公开(公告)号：CN201829174U
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201020549315.9
申请日：2010-09-30
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种通用型VGA格式视频转换接口电路，本实用新型属于视频转换接口电路应用领域，具体地说涉及一种通用型VGA格式视频转换接口电路。包括：DC-DC电源芯片组、有源晶振芯片、VGA格式视频解码芯片、FPGA芯片、A组动态可读写存储器芯片、B组动态可读写存储器芯片。本实用新型的具有如下优势：(1)低了生产成本；(2)集成电路芯片数量的减少以及PCB板层数的减少，降低了控制驱动电路的重量和空间体积；(3)既能做到系统集成度高又能满足显示的完整性和稳定性要求，降低了整机功耗；(4)由于采用了以FPGA为核心作数字信号处理模块，这样就可以根据近眼液晶显示器的分辨率不同，通过适当修改FPGA的代码来适应其分辨率，从而增强了本实用新型的通用性。
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公开(公告)号：CN2762261Y
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200420056557.9
申请日：2004-12-08
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/20
Abstract: 本实用新型涉及一种平板显示器的结构和控制，特别是具有PWM波形发生器和可配置寄存器，可用于LCD、FED、PDP等各种显示器的控制，属于平板显示技术领域。目前平板显示器的外围控制电路都是采用可编程逻辑器件或专用电路ASIC来设计，虽然显示器的扫描控制原理相同，但不能通用，不能标准化。本实用新型的控制器包括数字变频器、I2C接口控制器、PWM波形发生器等7大部分，将它们集成在一起，采用可配置寄存器输出不同显示分辨率、不同场频率和不同数据写入方式的各种显示控制信号和时钟信号；采用PWM波形发生器产生脉宽调制驱动信号来满足FED、PDP等需要的高电压激励信号；通过列扫描控制器产生满足液晶显示的反转控制信号。可优化显示系统电路，降低成本，实现标准化。
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公开(公告)号：CN2634585Y
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN03239875.1
申请日：2003-03-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 本实用新型涉及硅上液晶显示，尤其是一种硅上液晶场序彩色显示控制器，属于液晶显示技术领域。由于硅上液晶(LCoS)技术和场序彩色显示技术的发展，目前采用通用电路和可编程逻辑器件组成的液晶显示接口控制技术，不能满足微型显示的要求，特别是对于近眼显示，控制器外加存储器的设计方案是影响系统微型化的关键问题。因此我们提出内置存储器的设计方法，采用全定制设计方法，将存储器和场序显示控制器集成在一起，该显示控制器可以处理红绿蓝各8位的数字视频输入信号，可以驱动SVGA分辨率的场序彩色模式的LCoS芯片。实现了的近眼显示系统的微型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN2622805Y
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN03239874.3
申请日：2003-03-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 本实用新型涉及液晶显示处理，尤其是一种硅上液晶子场数据动态暂存场序彩色数据处理器，属于液晶显示技术领域。目前外围的显示控制器仍旧采用通用电路和可编程逻辑器件来设计，不能满足系统微型化的要求，因此设计专用的高性能场序彩色显示控制器是当前微显技术发展的关键。本实用新型对数据进行动态暂存的方式来设计LCoS场序彩色数据转换器电路，采用15组8位的移位寄存器组成动态的数据暂存电路，解决了LCoS场时序彩色微型显示系统的微型化，采用移位寄存器的数据动态暂存变换方法，节省硬件设计资源，优化芯片版图面积，降低系统功耗，具有很好的实用意义。
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公开(公告)号：CN210110311U
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201920987075.1
申请日：2019-06-28
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/36 , G02F1/1362
Abstract: 一种由10个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路，由第1-NMOS管和第1-MIM电容器、第1-PMOS管和第3-PMOS管、第3-NMOS管和第5-PMOS管并同第2-NMOS管和第2-MIM电容器、第2-PMOS管和第4-PMOS管、第4-NMOS管和第6-PMOS管构成，并分别形成开关电容结构、CMOS传输门结构、共漏放大器结构，且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联，且该共漏放大器的输出与CMOS传输门形成电学串联。其效果是，提供了一种由10个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的像素单元电路，做到完全与常规5V～8V的MOS半导体芯片生产工序相匹配，且能提高像素单元电路输出到镜面电极的电压摆幅，另外，在单元电路中配置两个MIM电容器有利于存储一对差分模拟电平信号。
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公开(公告)号：CN203324621U
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201320358469.3
申请日：2013-06-21
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/1368
Abstract: 一种由CMOS传输门和平板电容器构成的像素电路，属于硅基液晶显示器像素单元电路领域。该电路，主要由1个CMOS传输门（27）和1个平板电容器（33）通过串联组成；其中，CMOS传输门（27）由1个NMOS晶体管和1个PMOS晶体管通过并联组成。本实用新型充分利用了NMOS管和PMOS管互补的电学特性，可以得到1种开态电阻能够保持较低值的输入信号控制开关，这种控制开关具备CMOS传输门的结构特征及其电学信号传输完整性的优势。
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公开(公告)号：CN200963129Y
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200620027369.2
申请日：2006-09-20
Abstract: 本实用新型涉及一种胃液胆汁反流监测仪，特别是具有光纤探测的胃液胆汁反流监测的数据采集、数据处理和系统控制技术，可以用于消化道胃液胆汁浓度、胆汁反流时间、胆汁反流强度的测量和记录，对于胆汁反流相关疾病的治疗具有辅助作用，属于医疗和电子仪器技术领域。本实用新型的胃液胆汁反流监测仪包括光发射器、光接收器、光纤、探头、模数转换电路、系统控制器、存储器、显示器、通讯控制器、键盘等主要部分，构成了一个系统装置，可以定量的精确测定人体内48小时的胆汁反流情况，对食管反流类疾病的治疗具有重要的辅助作用，可以为医生提供可靠的诊断依据。
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公开(公告)号：CN2802729Y
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200420029969.3
申请日：2004-10-19
Applicant: 南开大学
Abstract: 本实用新型涉及一种存储电容器，特别是用于集成电路中LCOS芯片像素单元的存储电容器，属于信息科学技术学科的微电子应用技术领域。它是NMOS型结构，包括二氧化硅绝缘层、P型硅衬底层、A点、B点、单层多晶硅，第1层多晶硅、栅氧化层，n型反型层、n+接触区等，省去了1层多晶硅；对每个单元像素中需要配置高密度存贮电容，利用栅氧化层具备较高单位电容值的优势，采用并接NMOS源漏电极到地，从而形成高密度存贮电容，如此可以采用标准单层多晶硅CMOS器件工艺实现LCOS芯片生产，这样不但可减少至少两块光刻掩膜版，而且也能减少多个步骤的制作过程，对增加产量及减少成本，具有明显的经济效益。
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