公开(公告)号：CN210110310U

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201920986866.2

申请日：2019-06-28

Applicant: 南开大学

Inventor： 代永平 ,  刘艳艳 ,  钱拴

IPC: G09G3/36 ,  H01L27/12

Abstract: 一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路，主要由第1-NMOS管与第1-MIM电容器串联形成开关电容结构，第1-PMOS管与第3-PMOS管串联形成共漏放大器结构，且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联，且该共漏放大器的输出与第3-NMOS管形成电学串联；同样，第2-NMOS管与第2-MIM电容器串联形成开关电容结构，第2-PMOS管与第4-PMOS管串联形成共漏放大器结构，且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联，且该共漏放大器的输出与第4-NMOS管形成电学串联。其效果是，提供了一种由8个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的像素单元电路，做到完全与常规5V～8V的MOS半导体芯片生产工序相匹配，另外，在单元电路中配置两个MIM电容器有利于存储一对差分模拟电平信号。

公开(公告)号：CN210110311U

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201920987075.1

申请日：2019-06-28

Applicant: 南开大学

Inventor： 代永平 ,  刘艳艳 ,  钱拴

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种由10个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的硅基有源寻址矩阵像素单元电路，由第1-NMOS管和第1-MIM电容器、第1-PMOS管和第3-PMOS管、第3-NMOS管和第5-PMOS管并同第2-NMOS管和第2-MIM电容器、第2-PMOS管和第4-PMOS管、第4-NMOS管和第6-PMOS管构成，并分别形成开关电容结构、CMOS传输门结构、共漏放大器结构，且该共漏放大器的输入与开关电容形成电学串联，且该共漏放大器的输出与CMOS传输门形成电学串联。其效果是，提供了一种由10个MOS晶体管和2个MIM电容器构成的像素单元电路，做到完全与常规5V～8V的MOS半导体芯片生产工序相匹配，且能提高像素单元电路输出到镜面电极的电压摆幅，另外，在单元电路中配置两个MIM电容器有利于存储一对差分模拟电平信号。