-
公开(公告)号：CN110511212B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN201910869344.9
申请日：2019-09-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D401/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明公开了一种双极性D‑A型主体材料，是具有包含咔唑单元和吡啶类单元的双极性化合物，该系列化合物兼具有良好的热稳定性和溶解性、成膜性以及平衡的双极性载流子传输性能。同时，该制备方法简单、合成线路短、产率高、原材料易得、环境友好，在高性能溶液法制备器件方面具有巨大的应用前景。将本发明的双极性D‑A型主体材料应用于OLED器件中，器件的性能得到显著提高。
-
公开(公告)号：CN109734750A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910139374.4
申请日：2019-02-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种用于有机电致发光器件的铂配合物及其制备方法。在基础配体上修饰不同的位阻基团，包括羰基、螺结构、咔唑基团，再与合成的Pt(DMSO)Cl2配位，生成铂金属配合物，其结构通式由下式表示。铂配合物兼具较高的热稳定性、高品质的光辐射特性以及良好的溶解性，可通过溶液法制备电致发光器件，降低器件的制作成本。铂配合物的制备方法简单，反应条件温和，分离纯化容易，产率高。作为客体材料制备的发光器件启亮电压为2.8V，发光亮度最高为15408.6cd/m2，电流效率最大为16.0cd/A，电致发光光谱色纯度较好，呈现单一的发射峰，没有杂峰。
-
公开(公告)号：CN108440430A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810478149.9
申请日：2018-05-18
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D251/24 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及一种基于1,3,5-三嗪结构和芴单元的衍生物及其应用，利用Pd(dba)2催化的C-H偶联反应将1,3,5-三嗪衍生物与芴基衍生物通过sp3杂化的碳原子固定在单分子内，制得双极性主体材料，该合成方法简单原料易得，便于产业化发展。所述双极性主体材料具备平衡的载流子传输能力，高三重态能级，宽能隙，高量子效率。该双极性主体材料在薄膜状态下，由于1,3,5-三嗪平面间π-π作用而形成激基缔合物荧光光谱红移。所述主体材料在常见的有机溶剂中具有良好的溶解性，可应用于溶液加工的电致发光器件的制备。作为主体材料应用于电致发光器件中有利于提高器件效率，降低驱动电压和效率滚降，延长器件使用寿命。
-
公开(公告)号：CN105679939A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610145849.7
申请日：2016-03-15
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0071 , H01L51/0036 , H01L51/0512
Abstract: 本发明属于有机电子器件技术领域，提供一种基于掺杂噻吩异靛的有机薄膜场效应晶体管，所述有机薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极、活性层和绝缘层，栅电极与源电极、漏电极之间通过绝缘层绝缘，源电极与漏电极相互不接触并以活性层为导电通道，其特征在于，采用有机聚合物掺杂的有机半导体材料作为有机薄膜器件晶体管的活性层；所述作为掺杂的聚合物为聚噻吩衍生物，所述有机半导体材料是一种含有噻吩异靛结构的有机小分子材料。本发明有效改善了有机薄膜晶体管的可控性，提高了器件性能，且工艺简单，成本降低，适于大规模生产。所述有机小分子材料具有如下结构通式：
-
公开(公告)号：CN105399662A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510531216.5
申请日：2015-08-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D213/38 , C07D401/14 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: C07D213/38 , C07D401/14 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0067 , H01L51/0072
Abstract: 本发明公开了一种吡啶联二芴类衍生物蓝光主体材料的制备方法，包括如下步骤：步骤一：2,6-吡啶二甲酰氯与溴苯在AlCl3存在下室温搅拌8小时后升温到90℃后，继续搅拌2小时，得到1,3-二(4-溴苯甲酰基)吡啶；步骤二：2-溴联苯与BuLi在-78℃搅拌半小时，之后加入1,3-二(4-溴苯甲酰基)吡啶，室温下继续搅拌8-12小时，除溶剂后加入醋酸、酸性条件下回流8小时，得到1,3-二(9-对溴苯基芴)吡啶，步骤三：以1,3-二(9-对溴苯基芴)吡啶为分子构建核，分别与二苯胺、萘基苯胺、三苯胺、叔丁基咔唑反应，在钯(Pd)催化剂作用下反应，得到相应的目标产物。本发明合成路线比较简单；原料多为商业化的廉价产品，合成成本低；且合成方法具有普适性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105136764A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510583490.7
申请日：2015-09-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种四芳基乙烯类荧光纳米纤维对爆炸物的检测方法，其步骤如下：步骤一：配制P(VDF-HFP)溶液和TPE-2ptol的氯仿溶液，然后将两者混合配制TPE-2ptol/P(VDF-HFP)溶液；步骤二：对TPE-2ptol/P(VDF-HFP)溶液进行静电纺丝，制备TPE-2ptol/P(VDF-HFP)纳米纤维膜；步骤三：向TPE-2ptol/P(VDF-HFP)纳米纤维膜中逐渐滴加不同浓度PA溶液进行检测；步骤四：用Stern-Volmer方程用于解释不同PA的猝灭情况，得出Stern-Volmer常数，即荧光纳米纤维薄膜对PA的猝灭常数。步骤五：相同条件下，向TPE-2ptol/P(VDF-HFP)纳米纤维膜中滴加PA和常见干扰物溶液，研究该纳米纤维薄膜对PA的选择性。本发明操作简便、成本低廉、灵敏度高，还具有安全无毒、对环境无污染、可实现多次重复性检测以及经济适用等独特优点。
-
公开(公告)号：CN104409661A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410626264.8
申请日：2014-11-07
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0077 , H01L51/0084 , H01L51/52 , H01L2251/56
Abstract: 本发明公开了一种互补色磷光白光OLED器件及其制备方法，由下到上分别为ITO玻璃基底层、空穴传输层、发光层、电子传输层，金属阴极层；ITO玻璃基底层是以ITO导电玻璃作为器件的衬底和阳极，PEDOT:PSS作为空穴注入层和电极修饰层进一步形成空穴传输层，TPBI为器件的电子传输层，钙和银构成金属阴极层，其特征在于发光层由主体材料DTPAFB和OXD-7，客体材料FIrpic、Ir(bt)2(acac)构成。本发明所提供的互补色磷光白光OLED器件CRI高达71，为目前三苯胺衍生物小分子为主体材料的互补色白光OLED器件CRI的最高水平，大大缩短了该类器件同理想白光照明光源之间的差距。
-
公开(公告)号：CN104155275A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410396350.4
申请日：2014-08-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了四芳基乙烯类荧光纳米纤维对爆炸物的重复性检测方法，其步骤如下：步骤一：配制PVDF溶液和TPE的氯仿溶液，然后混合配制TPE-PVDF溶液；步骤二：对TPE-PVDF溶液进行静电纺丝，制备TPE-PVDF纳米纤维膜；步骤三：向TPE-PVDF纳米纤维膜中滴加PA溶液进行检测；步骤四：将步骤三检测后的TPE-PVDF纳米纤维膜先用去离子水冲洗，再将其置于去离子水中搅拌24小时后可再用于PA溶液的检测。本发明操作简便、成本低廉、灵敏度高，还具有安全无毒、对环境无污染、可实现多次重复性检测以及经济适用等独特优点。
-
公开(公告)号：CN117945981A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410098617.5
申请日：2024-01-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D209/88 , H10K50/15 , H10K85/60
Abstract: 本发明属于有机光电领域，公开了一类基于苯乙烯杂化的咔唑类衍生物及其制备方法及利用其制备电致发光器件的空穴传输层的应用，所述基于苯乙烯杂化的咔唑类衍生物可通过热交联的方法制备成具有优异抗溶剂侵蚀能力的功能薄膜，同时兼具优异的空穴传输能力和较高的三线态能级，可用于有机电致发光器件的空穴传输层，除此之外，所述基于苯乙烯杂化的咔唑类衍生物还具有较低的交联温度，可以通过便捷的热退火工艺进行交联成膜，便于溶液法工艺制备多层发光器件，制备的多层发光器件具有优异的发光特性，在太阳能电池和柔性发光器件等方面都具有较好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN116399918A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310510114.X
申请日：2023-05-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及聚合物电子学领域，具体地说，是一种半导体二极管器件不同薄膜位置处缺陷态密度测试方法，包括如下步骤：实验制作聚合物二极管器件；用原子力显微镜分析样品；采用Chi660e电化学工作站测量样品的阻抗；通过阻抗数据，绘制C‑F图，并对C‑F图进行二次项拟合，获得拟合系数，将拟合数据代入方程，求得此半导体器件的深能级缺陷态。本发明可以通过此方法在电化学工作站测量一种聚合物半导体器件的深能级缺陷态，对于研究不同材料构成的聚合物二极管器件的缺陷态分析有很大的指导意义，研究对象包括但不限于聚合物半导体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.022 seconds)
