公开(公告)号：CN101807669A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010134970.2

申请日：2010-03-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  李昀 ,  邱旦峰 ,  曹立强 ,  潘力嘉 ,  濮林

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明涉及有机存储器，基于自组装材料，具有非挥发存储效应。所述有机存储器包括上、下电极和置于上、下电极之间的功能层，所述功能层包括相互隔离的上、下有机半导体层和上、下有机半导体层中间的烷基三氯硅烷自组装分子层，所述烷基三氯硅烷自组装分子层与上、下有机半导体层相接触。作为优选方案，所述烷基三氯硅烷中烷基的碳原子数为3-12，更优选为6-12，最优选为辛烷基三氯硅烷。由于烷基三氯硅烷自组装分子层与有机半导体层界面处的陷阱电荷，能够起到对自组装材料层的势垒性质的调控，从而使得电荷穿越过这一势垒层的几率改变，最终得到具有电学存储效应的器件。

公开(公告)号：CN100591801C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200710133452.7

申请日：2007-09-30

Applicant: 南京大学 ,  苏州大学

Inventor： 施毅 ,  左则文 ,  辛煜 ,  濮林 ,  王军转 ,  张荣 ,  韩平 ,  谢自立 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明将导入原料气的二至四支喷管密封固定在真空沉积腔上方导入沉积腔，反应气体或与载气由气源导入喷管，喷管的喷口出口处附近设置一金属热丝，在喷管外壁设有由可产生等离子体的电源驱动的电感线圈，沉积腔内设生长薄膜的衬底平台，沉积腔的下部或下侧部设有抽真空出口管。本发明制备薄膜材料装置具有成膜质量高、沉积速率快、生长温度低，气体利用率高等优点。

公开(公告)号：CN100511714C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200710131530.X

申请日：2007-09-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  闾锦 ,  陈裕斌 ,  左正 ,  濮林 ,  张荣 ,  韩平 ,  顾书林 ,  郑有炓

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/49 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

Abstract: 基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶粒；应用渐变锗硅异质纳米结构的复合势垒作为浮栅存储单元。本发明使用硅烷SiH4或乙硅烷Si2H6采用低压化学气相沉积方法LPCVD淀积纳米量级的非晶硅薄膜，然后使用锗烷GeH4采用低压化学气相沉积技术自组织生长得到锗纳米晶粒；取出样品采用选择刻蚀除去锗浸润层，通过高温退火促进锗硅间的互扩散，然后采用化学选择腐蚀剂得到锗硅异质纳米结构。

公开(公告)号：CN101376715A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810156273.X

申请日：2008-09-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 潘力佳 ,  李文博 ,  施毅 ,  濮林

IPC: C08J5/18 ,  C08L79/02 ,  C08G73/02 ,  C08K3/04

Abstract: 大面积柔性自支撑聚苯胺纳米结构薄膜的制备方法，(1)将1微米～10厘米长纤维MnO2模板和1微米～10厘米长纤维聚苯胺按100∶0.5～5∶95的重量比例混合，分散在水中通过过滤法、直接干燥法或者干法制成原料纸张/薄膜；(2)原料纸张/薄膜原位化学反应转换为聚苯胺纸张，将原料纸张浸入溶解有质子酸和聚苯胺单体的溶剂中反应10分钟～72小时；pH值0～6.8之间；(3)MnO2模版本身参与反应，并可在反应完成后自发的除去；(4)合成聚苯胺产物的形貌准确的复制了MnO2模版的微纳结构，制备成大面积的聚苯胺纳米结构纸张/薄膜。

公开(公告)号：CN1747130A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510041526.5

申请日：2005-08-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 施毅 ,  鄢波 ,  濮林 ,  张匡吉 ,  韩平 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法，在硅晶片、二氧化硅、氮化硅，玻璃或石英基片构成的绝缘衬底上；采用化学气相沉积(CVD)自组织方法生长多层Ge量子点/a－Si膜，所述的化学气相沉积包括在约450－550℃温度下以SiH4为气源沉积a－Si、以GeH4为气源沉积Ge量子点，掺杂方式可以是在所述的a－Si外延沉积中，以B2H6、PH3为气源进行原位p、n型掺杂；或者是在化学气相沉积(CVD)制备多层Ge量子点/a－Si膜后对该异质结构的外延层进行硼离子或磷离子注入掺杂；然后刻蚀出金属淀积窗口，金属淀积；最后利用金属诱导结晶机制在低温范围下退火，形成大面积完整晶态Si基Ge量子点多层膜结构材料。