一种微盘拉曼激光器及其制作方法

    公开(公告)号:CN108923245B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201810847942.1

    申请日:2018-07-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明实施例公开了一种微盘拉曼激光器及其制作方法。其中,微盘拉曼激光器包括:在基板上涂布光刻胶;其中,所述基板包括半导体基底,所述半导体基底上形成有氧化物半导体层;将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜,对所述光刻胶进行光刻和显影,获取光刻胶圆盘;以所述光刻胶圆盘作为掩膜,对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀,获取氧化物半导体微盘;对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗;以所述氧化物半导体微盘作为掩模,刻蚀所述半导体基底,形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱。本发明实施例提供的技术方案,可解决现有微腔拉曼激光器刻蚀精度不高,重复性差的问题。

    一种微环芯腔及其制备方法和用途

    公开(公告)号:CN111176051A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN202010118694.4

    申请日:2020-02-26

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种微环芯腔及其制备方法和用途,所述微环芯腔的直径为400-3000μm,所述微环芯腔的环芯直径为20-40μm,本发明通过调控微环芯腔的尺寸,有效减少光学模式在一个FSR内的模式数目,从而减少了光学模式间的相互作用;且所述微环芯腔具有高光学品质因子和优良色散曲线;使得光学孤子的产生成为可能;本发明所述微环芯腔的制备方法采用分步激光回流,其所需的激光回流的功率低,对设备要求低。

    一种光隔离器光路系统
    33.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106338797B

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201611024126.8

    申请日:2016-11-17

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及光隔离器技术领域,尤其涉及一种光隔离器光路系统,本发明利用光参量放大的相位匹配条件来实现光的非互易性传输,即利用正向传输信号光满足相位匹配条件,而反向传输的信号光无法满足相位匹配。由于二氧化硅的反演对称性,使得微腔中光参量放大是由四波混频通过三阶非线性效应来实现的,在这一过程中,两个简并的泵浦光子分裂为一个信号光子和一个闲频光子,该过程必须满足能量守恒和动量守恒。正是由于上述的动量守恒也就是我们常说的相位匹配条件,才实现了光的互易性传输,而当正向传输的信号光满足相位匹配条件时,向相反方向传输的光的波矢相反,根本无法满足动量守恒,正是基于该效应,本发明实现了光隔离。

    一种芯片集成的2微米波长微型激光器

    公开(公告)号:CN104466657A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410625717.5

    申请日:2014-11-07

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种芯片集成的2微米波长微型激光器,包括稀土掺杂氧化硅微环芯腔和微纳光纤,其中微纳光纤处于所述氧化硅微环芯腔的一侧,所述氧化硅微环芯腔通过如下方法制备得到:(1)通过溶胶凝胶法在硅片表面制备稀土掺杂的氧化硅薄膜;(2)在所述氧化硅薄膜表面上用光刻、刻蚀工艺制备出氧化硅微盘腔;(3)利用二氧化碳激光器对所述氧化硅微盘腔进行加热回流处理得到氧化硅微环芯腔。本发明的利用溶胶凝胶稀土掺杂方法制备得到的2微米波长微型激光器具有芯片集成、微型化、稳定、阈值低等特性,通过二氧化碳激光回流的功率及时间,可优化腔内的能量模式体积,得到品质更优的激光器。

    基于有源-无源光学微腔耦合系统的片上可调谐光隔离器

    公开(公告)号:CN104133270A

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201410342044.2

    申请日:2014-07-18

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于有源-无源光学微腔耦合系统的片上可调谐光隔离器,包括有源光学微腔(1)、无源光学微腔(2)、第一光纤(3)和第二光纤(4),第一光纤(3)和有源光学微腔(1)耦合,有源光学微腔(1)和无源光学微腔(2)耦合,第二光纤(4)与无源光学微腔(2)耦合。本发明的光隔离器具有灵敏度高、可调范围广、制备简单和易集成的特性。

    芯片上的球形光学微腔及其制备方法

    公开(公告)号:CN102874741A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN201210397823.3

    申请日:2012-10-18

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种芯片上的球形光学微腔,所述球形光学微腔由锥形硅支撑。与现有技术相比,本发明的芯片上的球形光学微腔尺寸可控、易于集成和保存。本发明还公开了芯片上的球形光学微腔的制备方法,制备方法简单,制得的芯片上的球形光学微腔尺寸可控、品质因子高、易于集成和保存。

    一种基于片上氧化硅微腔的可见光光频梳产生装置及方法

    公开(公告)号:CN120044732A

    公开(公告)日:2025-05-27

    申请号:CN202510487665.8

    申请日:2025-04-18

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明实施例公开了一种基于片上氧化硅微腔的可见光光频梳产生装置及方法。装置包括泵浦光源、光纤偏振控制器、光纤及光学微腔,光纤通过锥状结构与光学微腔耦合;泵浦光源提供泵浦光,泵浦光通过锥状结构耦合入光学微腔;调节泵浦光的波长、偏振态及锥状结构和光学微腔的耦合状态,以产生可见光波段的光学频率梳。本发明实施例提供的可见光光频梳产生装置具有以下优点:色散工程简单,只需调整几何结构可以天然形成反常色散,无需引入模式交叠以及高阶波导模式等复杂的色散工程,结构敏感度小,对制备工艺容差友好,可重复实现;氧化硅材料在可见光窗口透明,并且具有较低的吸收损耗,能够实现高品质因子微盘腔的制备,产生光频梳的功耗低。

    一种光学频率梳产生系统及产生方法

    公开(公告)号:CN113946065B

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202010680178.0

    申请日:2020-07-15

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明实施例公开了一种光学频率梳产生系统及产生方法。光学频率梳产生系统包括泵浦源、耦合结构和光力微腔;泵浦源用于提供泵浦光;耦合结构用于将泵浦光耦合入光力微腔;光力微腔包括光学模式和力学模式;泵浦光在光力微腔中激发光学模式;光学模式与力学模式耦合,产生动力学反作用;动力学反作用驱动力学模式,产生光学边带,输出光学频率梳;泵浦光与光力微腔处于大蓝失谐状态,耦合结构与光力微腔处于过耦合状态,大蓝失谐状态为泵浦光频率与光学模式共振频率之差大于力学模式共振频率的十倍,过耦合状态为光学模式损耗速率与力学模式共振频率处于同一量级。本发明的技术方案,可产生用于芯片集成的高性能、宽带宽、低重频光学频率梳。

    一种三次谐波产生系统及方法

    公开(公告)号:CN113839303B

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202111217255.X

    申请日:2021-10-19

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明实施例公开了一种三次谐波产生系统及方法。包括波长可调光源、偏振控制器、光纤以及光学微腔;波长可调光源提供泵浦光,泵浦光耦合入光纤;光纤从偏振控制器的输出端延伸至光学微腔,延伸至光学微腔的光纤通过锥状结构与光学微腔耦合;光学微腔包括衬底和支撑柱和微盘腔;泵浦光通过锥状结构耦合入光学微腔;偏振控制器调节光纤中泵浦光的偏振态;调节泵浦光的波长、功率、偏振态以及锥状结构与光学微腔的距离,使泵浦光在光学微腔中传输时满足三次谐波的相位匹配条件,产生三次谐波。本发明实施例的技术方案,通过干法刻蚀获取高品质因子光学微盘后,利用连续光直接泵浦光学微盘以产生三次谐波,简化了产生三次谐波的复杂过程。

    一种片上集成波导的微盘腔及其制备方法

    公开(公告)号:CN112925059B

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202110357339.7

    申请日:2021-04-01

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种片上集成波导的微盘腔及其制备方法。该微盘腔包括:氧化硅片;氧化硅片包括硅基衬底和氧化硅半导体层;氧化硅半导体层包括功能区和非功能区;功能区包括波导结构、微盘结构及位于微盘结构内的第一开口;非功能区包括第二开口;微盘结构与第一开口构成微盘腔;第一扩展腔和第二扩展腔;第一扩展腔由第一开口沿垂直于硅基衬底所在平面的方向延伸至硅基衬底内;第二扩展腔由第二开口沿垂直于硅基衬底所在平面的方向延伸至硅基衬底内;第一扩展腔与第二扩展腔连通;波导结构和微盘结构在硅基衬底的垂直投影位于第一扩展腔和第二扩展腔组成的连通结构内。本发明实施例降低了光在波导结构中的传输损耗以及提高了微盘腔的品质因子。

Patent Agency Ranking