-
公开(公告)号：CN117544276A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311338100.0
申请日：2023-10-16
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04L1/00
Abstract: 本公开提供了一种基于滑动窗口的语义通信编码传输方法、装置及设备，包括：获取第一信源图像，利用滑动窗口编码器对所述第一信源图像进行编码处理，得到第一信源图像的第一语义层次表征向量；获取目标信道的信噪比，根据信噪比利用所述信道调制网络对所述第一语义层次表征向量进行编码处理，得到第一信道调制隐式表征向量；获取目标速率，根据所述目标速率通过速率调制网络对所述第一信道调制隐式表征向量的传输速率进行调节，得到第一信道输入向量；对第一信道输入向量进行功率归一化处理，得到第一功率归一化信道输入向量，将第一功率归一化信道输入向量输入至所述目标信道。本公开实现了对信源语义信息的全局感知，提高语义信息的传输准确率。
-
公开(公告)号：CN113285349A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110566858.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种微环激光器阵列及其制作方法，所述微环激光器阵列包括：绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括：相对设置的第一层硅材料和第二层硅材料，以及位于两层硅材料之间的第一二氧化硅层；设置在所述绝缘体上硅上的多个激光输出单元；所述激光输出单元包括：微环腔激光器以及波导；所述微环腔激光器具有用于出射激光的有源区；所述微环腔激光器的尺寸不同，以出射不同波长的激光；所述绝缘体上硅具有多个露出第一表面的器件区；所述器件区不交叠，用于设置所述微环腔激光器，所述微环腔激光器与所述器件区一一对应；所述第二层硅材料包括多个相互独立的所述波导。本方案通过径向耦合锥形硅波导结构，可以实现激光的定向输出。
-
公开(公告)号：CN112531068A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011410152.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232
Abstract: 本发明涉及一种集成微透镜结构的雪崩光电二极管，包括：集成微透镜结构的衬底层和多台面的雪崩光电二极管；所述衬底层的第一表面刻蚀为微透镜结构，所述衬底层的第二表面刻蚀有P型接触层，所述P型接触层表面设有P型电极；所述多台面的雪崩光电二极管位于所述衬底层上方，从下至上依次分布吸收层、P型场控制层、倍增层、N型场控制层、边缘场缓冲层、N型接触层和N型电极。该雪崩光电二极管具有光利用率高，带宽高，灵敏度高、传输距离长的优点。
-
公开(公告)号：CN106480498B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610888922.X
申请日：2016-10-12
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。本发明在单晶硅衬底上制作种子层、位错阻挡层和激光器材料。所述的种子层包括GaAs低温成核层和GaAs高温缓冲层；位错阻挡层包括纳米尺寸图形掩膜和GaAs侧向外延层；激光器材料包括n型欧姆接触层、n型限制层、下波导层、量子点有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。本发明通过图形衬底对穿透位错的阻挡作用，能有效地降低GaAs外延层的位错密度，提高GaAs外延层的晶体质量，进而提高量子点激光器性能和质量。本发明能够大面积、高重复性、均匀地完成材料生长和制备，更加符合产业化的需求。
-
公开(公告)号：CN105088181B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201410221660.2
申请日：2014-05-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温缓冲层上制作应变超晶格结构；在所述应变超晶格结构上制作n型欧姆接触层；在所述n型欧姆接触层上制作n型限制层；在所述n型限制层上制作下波导层；在所述下波导层上制作多层量子点有源区；在所述多层量子点有源区上制作上波导层；在所述上波导层上制作p型限制层；在所述p型限制层上制作p型欧姆接触层。本发明能够大面积、均匀快速、高重复性地完成材料生长和制备，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105589130A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410641817.7
申请日：2014-11-13
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种功分器、波分器和偏振分束器及其设计方法，该方法包括：获取二维光栅块的周期和占空比；通过调整所述二维光栅块的周期和占空比，对入射波进行不同形式的分配。该方法通过光波偏转原理、一维条形光栅汇聚原理及二维阵列光栅块汇聚原理，实现了对入射波的功率进行任意比分配、对不同波长的入射波按照波长的不同进行空间上的分离、或，对TE和TM混合入射波进行空间上偏振态的分离，该方法计算简单，实现方便，成本较低。
-
公开(公告)号：CN105088181A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410221660.2
申请日：2014-05-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温缓冲层上制作应变超晶格结构；在所述应变超晶格结构上制作n型欧姆接触层；在所述n型欧姆接触层上制作n型限制层；在所述n型限制层上制作下波导层；在所述下波导层上制作多层量子点有源区；在所述多层量子点有源区上制作上波导层；在所述上波导层上制作p型限制层；在所述p型限制层上制作p型欧姆接触层。本发明能够大面积、均匀快速、高重复性地完成材料生长和制备，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
-
公开(公告)号：CN104576326A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310492218.9
申请日：2013-10-18
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02546 , H01L21/02612
Abstract: 本发明提供一种硅基III-V族砷化镓半导体材料制备方法和系统，包括：在清洁的单晶硅衬底表面制备二氧化硅膜；在所述二氧化硅膜上，采用纳米压印技术得到二氧化硅纳米图形层，所述二氧化硅纳米图形层包括裸露单晶硅衬底表面的生长窗口区，以及二氧化硅图形区，生长窗口区和二氧化硅图形区交错分布；在所述生长窗口区上，沉积接近或等于所述二氧化硅图形区的台面高度的砷化镓缓冲层；在所述砷化镓缓冲层和所述二氧化硅图形区上外延生长III-V族半导体材料。本发明采用纳米压印的技术制作二氧化硅纳米图形层，作为半导体材料生长的图形衬底，打破了之前的材料尺寸限制问题，更加有利于工业化的材料生长制备，有效地降低了材料制作成本，具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109459817A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811453417.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B6/136
Abstract: 本发明实施例提供了一种单片硅基光电集成芯片的制备方法，通过在SOI衬底上刻蚀图形窗口来生长激光器结构，通过在SOI衬底中的硅波导层上生长探测器结构，激光器和探测器通过刻蚀出的硅波导结构连接，从而实现了片上激光器、探测器以及硅波导结构的集成。本发明实施例中提供的单片硅基光电集成芯片的制备方法，通过直接刻蚀图形窗口来生长激光器结构，具有高重复性和可靠性，能够大规模的制备，大大降低了成本，具有很好的应用前景，弥补了目前无法通过直接选区外延的方式实现可实用的片上光电集成的空白，特别是弥补了激光器与其他器件的片上集成问题。
-
公开(公告)号：CN106784028A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611249948.6
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0232 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02 , H01L27/146 , H01L31/02325
Abstract: 本发明提供一种光电探测器阵列，包括具有光束分束功能的亚波长光栅，以及位于亚波长光栅上方的光电探测器组；所述亚波长光栅与光电探测器组间设有键合介质层。在处理大功率、高速、高动态范围的入射光信号时，其包含的高性能亚波长分束光栅将该光信号分为多束功率较小、动态范围较小的光信号并分别由光电探测器阵列中的各分布式光电探测器进行光电转换，各光电探测器产生的电信号在大电极处叠加从而还原原注入信号。本方案克服了单个光电探测器无法处理过大功率及过大动态范围的光信号的弊端，也克服了传统光电探测器阵列耦合方式及制备工艺复杂的缺点，相较于前两者具有工艺简单易于制备、饱和功率大、动态范围大、响应度高的特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
43
records
(took 0.029 seconds)
