公开(公告)号：CN105318822B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201410313150.8

申请日：2014-07-02

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 党智敏 ,  梁涛 ,  查俊伟

IPC: G01B7/16

Abstract: 本发明一种基于超长碲微米线的柔性应变传感器，包括传感主体材料，封装材料，电极和柔性聚合物基体。本发明专利采用的主体材料是单根超长的碲微米线，不同于以往的半导体材料，主要是在很小的电压下，有应变存在时电流响应性高，适于检测，而且采用柔性基体，可以实现很大的应变范围。可用于材料基体损伤时的检测，不同方向的压应力应变检测。

公开(公告)号：CN105385033A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510930915.7

申请日：2015-12-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 党智敏 ,  闫轰达 ,  查俊伟

IPC: C08L23/12 ,  C08L53/02 ,  C08K9/04 ,  C08K3/04 ,  H01B3/44

CPC classification number: C08L23/12 ,  C08L2203/202 ,  H01B3/441 ,  C08L53/025 ,  C08K9/04 ,  C08K3/04

Abstract: 一种可回收的聚丙烯/SEBS/氧化石墨烯电缆料的制备方法，属于电缆绝缘材料加工技术领域。其特征在于使用一种改性的氧化石墨烯添加到用SEBS改性的聚丙烯材料中。首先是将SEBS溶于二甲基甲酰胺溶剂中，将改性的氧化石墨烯和SEBS两者形成的均匀悬浮液混合在一起，制备出一种复合材料。最后将复合材料和聚丙烯熔融共混制备出一种性能优异的可回收的聚丙烯/SEBS/氧化石墨烯电缆料。SEBS的引入使得聚丙烯的力学性能得到有效的改善，添加0.12wt％氧化石墨烯的聚丙烯电缆料抑制空间电荷的能力得到明显的提升，而且直流击穿场强要高于纯的聚丙烯材料。

公开(公告)号：CN103980600A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410251465.4

申请日：2014-06-09

Applicant: 北京科技大学 ,  国网智能电网研究院

Inventor： 党智敏 ,  巫运辉 ,  张翀 ,  查俊伟 ,  王思蛟 ,  林祥 ,  于凡

IPC: C08L23/06 ,  C08K3/22 ,  C08K3/34 ,  C08K3/36 ,  H01B3/30

CPC classification number: C08K3/22 ,  C08K3/36 ,  C08K2003/222 ,  C08K2003/2227 ,  C08K2201/003 ,  C08K2201/011 ,  C08K2201/013 ,  C08L2203/202 ,  C08L2207/066 ,  H01B3/441 ,  C08L23/06 ,  C08L23/12

Abstract: 一种超净纳米改性聚烯烃高压直流电缆料的制备方法，属于电缆绝缘材料加工技术领域。其特征在于使用一种低沸点、易挥发的液体作为纳米粒子载体，将纳米粒子均匀粘附在聚烯烃颗粒表面，同时载体在纳米粒子均匀粘附于聚烯烃颗粒表面的过程中挥发，最后将表面均匀粘附纳米粒子的聚烯烃颗粒通过双螺杆挤出、造粒。通过该方法制备的超净纳米改性聚烯烃高压直流电缆料的绝缘性能优异。添加1wt％MgO纳米粒子的LDPE的直流击穿场强比纯LDPE提高接近一倍,纯LDPE的直流击穿场强为275.3kV/mm,添加1wt％MgO的LDPE的击穿场强为455.6kV/mm。添加1wt％MgO的LDPE抑制空间电荷能力得到明显提高。

公开(公告)号：CN102651278A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210163953.0

申请日：2012-05-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 党智敏 ,  白晓飞 ,  查俊伟

IPC: H01G4/06 ,  H01G4/08 ,  H01G4/18

CPC classification number: H01G4/1218 ,  H01G4/30

Abstract: 一种“三明治”结构的以聚合物基电介质复合材料为基体的埋入式电容制备方法属于微电子领域。现有埋入式电容无法兼顾加工工艺与介电性能，且制备工艺复杂。本发明所提供的埋入式电容由叠加在上下电极与电介质层组成；上下两层电极为单面镀锌电解铜箔；中间电介质层为聚合物与无机陶瓷粒子复合材料，其中聚合物体积分数为60%-90%，无机陶瓷粒子的体积分数为10%-40%。本发明通过以聚合物为基体，以无机陶瓷粒子为分散相，采用旋转涂层技术制备复合材料电介质层后，采用层压工艺将上下电极与中间复合材料电介质层压合在一起，得到“三明治”结构的埋入式电容。本发明提供的埋入式电容具有介电常数高，介电损耗低，温度稳定性和频率稳定性优，制备工艺简单等优点。

公开(公告)号：CN102643470A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210143131.6

申请日：2012-05-10

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 党智敏 ,  方也 ,  查俊伟

IPC: C08L23/06 ,  C08L23/12 ,  C08L23/08 ,  H01B1/24 ,  C08K13/04 ,  C08K7/00 ,  C08K3/04 ,  C08K7/06 ,  C08K5/14 ,  B29B7/28 ,  B29B7/72 ,  B29C35/02

Abstract: 本发明属于导电屏蔽材料领域，涉及变温下体积电阻率稳定的聚合物导电复合材料及制备方法，本发明所提供的复合材料由双组份的导电填料与聚合物基体组成；聚合物占质量分数为50-70%；复合材料中所使用的主要导电填料为CB占质量分数为20-50%；第二组分导电填料选自一维线性或二维片状导电填料；第二组分导电填料的添加量质量分数为1-10%。本发明通过以聚合物为基体，以导电粒子为分散相，结合溶液法制备高浓度预混物，采用熔融共混的工艺将第二组分导电填料与廉价的CB结合使用，得到聚合物基导电复合材料。本发明提供的复合材料具有体积电阻率随温度变化稳定、制备工艺简单等优点。

公开(公告)号：CN108707265B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201810623862.8

申请日：2018-06-15

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 查俊伟 ,  温旭 ,  党智敏

IPC: C08L23/00 ,  C08L79/04 ,  C08K9/06 ,  C08K3/04 ,  C08K7/14 ,  C08J5/04 ,  C08J5/00

Abstract: 本发明提供了一种纤维增强的聚烯烃‑炭黑复合材料及其制备方法，该复合材料包括聚烯烃基体、改性炭黑和纤维，所述改性炭黑和纤维分散在所述聚烯烃基体中；所述改性炭黑为氨基硅烷偶联剂接枝改性炭黑。本发明采用所述改性炭黑，便于纤维更为均匀地分散在聚烯烃基体中；并且分散在聚烯烃基体中的纤维容易与聚烯烃基体的分子链缠绕在一起，不易发生迁移，而且还能阻挡炭黑粒子的迁移，从而有效提高聚烯烃‑纤维复合材料的PTC循环性能和重现性。

公开(公告)号：CN114456380A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210103509.3

申请日：2022-01-27

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 查俊伟 ,  万宝全

IPC: C08G73/10 ,  C08L79/08 ,  C08K5/07 ,  C08J5/18 ,  C08J3/24

Abstract: 本发明提供一种自修复且可回收聚酰亚胺绝缘薄膜及其制备方法和应用，属于绝缘薄膜技术领域；包括：S1.将氨基单体、4,4'‑(4,4'‑异丙基二苯氧基)双(邻苯二甲酸酐)进行第一聚合反应，得到氨基封端共聚型聚酰胺酸溶液；氨基单体包括1,4‑双(4‑氨基‑2‑三氟甲基苯氧基)苯和/或9,9‑双(3‑氟‑4‑氨基苯基)芴；S2.将共聚型聚酰胺酸溶液与有机溶剂进行共沸除水处理，得到聚酰亚胺粉末；S3.将其与三醛基交联剂进行第二聚合反应；S4.将其在250‑300℃下进行热交联反应。本发明薄膜能进行多次回收和修复，兼具低介电常数、良好的机械性能、高热稳定性、高绝缘特性以及优异的绝缘性能恢复能力。

公开(公告)号：CN114133570A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111357927.7

申请日：2021-11-16

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 查俊伟 ,  高婧涵

IPC: C08G77/388 ,  C08G77/385 ,  C09K11/06

Abstract: 本发明公开了一种自修复聚硅氧烷弹性体，所述聚硅氧烷弹性体以氨丙基双封端聚二甲基硅氧烷(NH2‑PDMS‑NH2)、二异氰酸酯和由柠檬酸转化的柠檬酰氯为原料进行反应制得。本发明以两种不同的二异氰酸酯与氨丙基双封端的聚二甲基硅氧烷在室温下进行反应，异氰酸酯基与氨基生成氨基甲酸酯。氨基甲酸酯之间形成氢键，生成物理交联。然后控制反应条件，使制备得到的柠檬酰氯的两个酰氯基团与氨基反应生成酰胺键。酰胺键的生成以及氢键的作用使弹性体在特定波长下的荧光特性。本发明适用于高分子智能材料领域。

公开(公告)号：CN114044901A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111525633.0

申请日：2021-12-14

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 查俊伟 ,  刘雪洁 ,  郑明胜

IPC: C08G73/10 ,  H01G4/18

Abstract: 本发明属于电容器储能材料技术领域，尤其涉及一种聚酰亚胺材料及其制备方法和应用。本发明提供的聚酰亚胺材料，具有式Ⅰ所示结构；由于分子结构中具有特定结构的W、Y、X和Z基团且同时具有强极性基团‑COOH和‑CONH，能够实现介电常数的提高；并且在高温下实现了高的放电能量密度和充放电效率。

公开(公告)号：CN113480450A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110692818.4

申请日：2021-06-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 查俊伟 ,  田娅娅 ,  郑明胜

IPC: C07C255/58 ,  C07C253/30 ,  C08G73/10 ,  C08J5/18 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明提供了一种含氰基结构的芳香二胺单体及其制备方法、聚酰亚胺、聚酰亚胺薄膜及其制备方法和应用，属于聚酰亚胺材料领域。本发明通过在芳香二胺上引入氰基，从而引入到聚合物主链，氰基具有的相对较大的偶极矩使其易于形成氢键或分子间作用力，从而能够使聚合物极性增大，显著提升主链间的分子间作用力，提高了由其制备的聚酰亚胺材料的介电常数，并具备良好的热稳定性及机械性能，通过调整所述芳香二胺单体苯环上氰基的位点，打破由其制备的聚酰亚胺的链的规整性并形成非共平面结构，显著提高了由其制备的聚酰亚胺加工性能，利用所述芳香二胺单体，可制备得到102Hz频率时介电常数最高为5.5、玻璃化转变温度达到400℃的聚酰亚胺薄膜。