公开(公告)号：CN102651278A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210163953.0

申请日：2012-05-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 党智敏 ,  白晓飞 ,  查俊伟

IPC: H01G4/06 ,  H01G4/08 ,  H01G4/18

CPC classification number: H01G4/1218 ,  H01G4/30

Abstract: 一种“三明治”结构的以聚合物基电介质复合材料为基体的埋入式电容制备方法属于微电子领域。现有埋入式电容无法兼顾加工工艺与介电性能，且制备工艺复杂。本发明所提供的埋入式电容由叠加在上下电极与电介质层组成；上下两层电极为单面镀锌电解铜箔；中间电介质层为聚合物与无机陶瓷粒子复合材料，其中聚合物体积分数为60%-90%，无机陶瓷粒子的体积分数为10%-40%。本发明通过以聚合物为基体，以无机陶瓷粒子为分散相，采用旋转涂层技术制备复合材料电介质层后，采用层压工艺将上下电极与中间复合材料电介质层压合在一起，得到“三明治”结构的埋入式电容。本发明提供的埋入式电容具有介电常数高，介电损耗低，温度稳定性和频率稳定性优，制备工艺简单等优点。

公开(公告)号：CN102651278B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201210163953.0

申请日：2012-05-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 党智敏 ,  白晓飞 ,  查俊伟

IPC: H01G4/06 ,  H01G4/08 ,  H01G4/18

CPC classification number: H01G4/1218 ,  H01G4/30

Abstract: 一种“三明治”结构的以聚合物基电介质复合材料为基体的埋入式电容制备方法属于微电子领域。现有埋入式电容无法兼顾加工工艺与介电性能，且制备工艺复杂。本发明所提供的埋入式电容由叠加在上下电极与电介质层组成；上下两层电极为单面镀锌电解铜箔；中间电介质层为聚合物与无机陶瓷粒子复合材料，其中聚合物体积分数为60%-90%，无机陶瓷粒子的体积分数为10%-40%。本发明通过以聚合物为基体，以无机陶瓷粒子为分散相，采用旋转涂层技术制备复合材料电介质层后，采用层压工艺将上下电极与中间复合材料电介质层压合在一起，得到“三明治”结构的埋入式电容。本发明提供的埋入式电容具有介电常数高，介电损耗低，温度稳定性和频率稳定性优，制备工艺简单等优点。