公开(公告)号：CN102936006A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210410794.X

申请日：2012-10-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  王宇清 ,  严辉 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  王波 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: C01B21/06 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法，属于无机化合物半导体材料领域。本发明步骤：（1）GaN粉体通过掺胶、研磨，压片，经过煅烧后，烧制成GaN靶；（2）将清洗烘干后的硅片在SBC-12小型离子溅射仪沉积30s-60s,得到表面有厚度为10nm-30nm金膜的衬底；（3）利用等离子体辅助热丝化学气象沉积法：在气压为1500Pa-2500Pa,衬底温度800℃-1000℃，偏压电流100mA-180m，通入氮气流速为10-50厘米3/分钟，通入氢气流速为10-50厘米3/分钟，沉积时间为5min～30min。本发明得到实心、线形氮化镓纳米线，产物形貌平直整齐、排列有序、均匀、成线性，光学、化学、物理性能稳定，制备流程短，产物生长快，直径达40-150nm，单根线平均长度为10-15μm。

公开(公告)号：CN102748987A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210240682.4

申请日：2012-07-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  王伟 ,  裴明德 ,  朱晓岗 ,  汪浩

IPC: F28F13/18

Abstract: 一种提高排水性能的换热器翅片，属于换热器翅片技术领域。翅片的表面由两种不同润湿性能的表面按照一定的图案组合而成，构成许多的大接触角表面的间隔，第一种表面是超亲水表面，其接触角的范围是0°到15°；第二种表面则是大接触角的表面，接触角范围是30°到180°，本发明大大降低了翅片下沿的毛细效应，减小了悬挂水桥的附着高度，甚至避免下沿水桥的形成，从而有效降低翅片的存水量。

公开(公告)号：CN102719251A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210193653.7

申请日：2012-06-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  李开宇 ,  曲铭浩 ,  严辉 ,  张铭 ,  王波 ,  宋雪梅 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: C09K11/81

Abstract: 本发明属于固体发光材料领域，具体涉及一种下转换发光增强复合粉体材料及其制备方法。其化学组成表示式为：（Y1-x-yPrxYby）PO4/zTiO2，其中x的摩尔分数为1~20%，y的摩尔分数为1~30%，z的摩尔分数为0~50%。组成原料为：Y2O3、P2O5、Pr2O3、Yb2O3和TiO2，其中Pr2O3摩尔分数为1~20%，Yb2O3摩尔分数为1~30%，TiO2摩尔分数为0~50%。本发明的下转换发光增强复合粉体材料具有强的近红外光发射，特别是加入TiO2后可以使材料的发光强度进一步增强并使近红外光区800~1100nm处的发射光谱宽化，发射主峰位置与硅的禁带宽度完美相匹配，可有效提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率，是潜在的晶体硅太阳能电池用下转换发光增强复合粉体材料。

公开(公告)号：CN102693893A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210133070.5

申请日：2012-04-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  徐利春 ,  张铭 ,  王如志 ,  宋雪梅 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  刘晶冰 ,  汪浩 ,  严辉

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/503

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32155

Abstract: 一种利用调频的方式改善高频放电等离子体均匀性的方法，属于高频放电等离子体技术领域。在等离子体放电室中，一对平行电极，采用高频电源馈入到电极上，电磁场频率范围为13.56MHz～160MHz，充入放电气体，形成等离子体，馈入的高频电磁场的频率是经过自动调谐控制的，在等离子体放电过程中其频率始终持续不断地循环变化着，频率变化的范围是包含在13.56MHz～160MHz之内的一部分，或是13.56MHz～160MHz的整个范围，使等离子体放电空间中平行于电极的面上等离子体密度相对较高的位置发生循环变化。在一个以上的频率变化循环周期的时间段上，在平行电极间的平均等离子体密度是均匀的。

公开(公告)号：CN102071399A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010570946.3

申请日：2011-02-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  李廷先 ,  王光明 ,  严辉 ,  宋雪梅 ,  王如志 ,  侯育冬 ,  朱满康 ,  汪浩 ,  王波 ,  李扩社

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/06 ,  H01F10/12

Abstract: 本发明公开了全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜及其制备方法，属于薄膜技术领域。该全钙钛矿结构La2/3Sr1/3MnO3/BaTiO3多铁性磁电复合薄膜，沉积于LaAlO3(001)单晶衬底表面，从下至上依次为La2/3Sr1/3MnO3薄膜、BaTiO3铁电薄膜；La2/3Sr1/3MnO3铁磁薄膜厚度为400-800nm，BaTiO3铁电薄膜厚度为400nm。制备方法：利用脉冲激光在LaAlO3的单晶基片上沉积La2/3Sr1/3MnO3薄膜和BaTiO3薄膜，然后在850℃退火。本发明有效地提高La2/3Sr1/3MnO3和BaTiO3的铁磁和铁电性能以及复合薄膜的磁电效应。

公开(公告)号：CN100530492C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510084230.1

申请日：2005-07-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  严辉 ,  王波 ,  朱满康 ,  侯育东 ,  宋雪梅 ,  汪浩

IPC: H01J9/02

Abstract: 本发明涉及一种电子发射阴极结构的制备，适用于平面显示器件或电子源阴极材阴极。本发明步骤：选定金属或n掺杂半导体，作为电子供给层；选择多层膜构成组分，选择原则为：组分材料的电子亲和势应存在差异；设计多层膜，层数至少两层，且相邻膜层为不同组分，除基底外的多层膜总厚度为6～20nm，而每层厚度大于1nm，小于或等于10nm；确定每层膜层厚度：多层膜总厚度不变，每层膜厚度为1～10nm情况下，改变其膜厚度，得到多种不同厚度比例的多层膜结构；计算上述不同的多层膜结构的场发射电流，选取最大的多层膜结构确定每层膜的实际厚度；按确定每层膜实际厚度在基底上沉积一组多层膜结构。本发明无需开发新材料或完善材料本身特性即可提高场发射特性。

公开(公告)号：CN101459194A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200910076299.8

申请日：2009-01-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  王宪谋 ,  严辉 ,  宋雪梅 ,  王波 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  王如志 ,  汪浩

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/04 ,  H01L21/363 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54

Abstract: 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p－n结及其制备方法明属于材料制造领域。目前还没有镧锰氧化物与氧化锡复合的p－n结。本发明所提供的p－n结包括有单晶衬底、沉积在单晶衬底上的厚度为100－300nm的SnO2层和沉积在SnO2层上的厚度为100－300nm的LSMO层。本发明通过采用磁控溅射法依次在沉底上沉积SnO2层和LSMO层，制得钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p－n结。本发明所提供的p－n结具有优异的整流特性，且成本低廉，适合工业化生产。

公开(公告)号：CN100460561C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610114663.1

申请日：2006-11-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王波 ,  黄跃 ,  宋雪梅 ,  严辉 ,  汪浩 ,  朱满康 ,  王如志 ,  候育冬 ,  张铭

IPC: C23C28/00 ,  C23C8/36

Abstract: 二氧化钛薄膜材料的超亲水驱油表面制备方法属于功能材料领域。现有技术用光照二氧化钛薄膜实现了超亲水性，但许多石油化工仪器设备中并不具备光照条件，且需进一步降低表面与油的接触角。本发明步骤：衬底上沉积一层0.1-10微米二氧化钛薄膜；再放入气相化学表面处理室中，抽真空后充入氢气，气压在1～50000Pa；温度在室温到800℃的范围，还原处理10～120分钟。在气压0.5～2000Pa的范围，充入醇类物质使之以气态存在；在基底附近施加射频电磁场使气体发生辉光放电，产生低温等离子体，射频功率为20～500W，基底温度为室温～800℃，羟基化时间10～120分钟。该薄膜与蒸馏水静接触角为4.1°，与高速泵油的静接触角为28.4°，镀于测量原油流速的传感器探头表面，明显改善了表面附着石蜡的情况。

公开(公告)号：CN101355031A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810119693.0

申请日：2008-09-05

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  赵学平 ,  董国波 ,  李杨超 ,  严辉 ,  王波 ,  宋雪梅 ,  王如志 ,  侯育东 ,  汪浩

IPC: H01L21/285 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/08

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种p型透明氧化物半导体CuCrO2薄膜材料的制备方法。该方法是将纯度均为99.9％的Cu2O粉体和Cr2O3粉体按Cu与Cr的原子比为1∶1配料，然后球磨混合，烘干后在1150℃煅烧12h，生成纯相的CuCrO2粉体，采用热压法将CuCrO2粉体压制成陶瓷靶材；利用磁控溅射方法，以石英片为衬底，衬底温度为400～600℃，以纯度为99.999％的Ar和N2O的混合气体作溅射气体，工作气压为0.8～1.2Pa，N2O分压为0～20％，溅射功率为80～120W，沉积时间为90min；最后将沉积好的薄膜置于管式炉中进行退火，采用纯度为99.999％的N2作保护气氛，退火温度为800～1000℃，退火时间为3～5h，退火后获得纯相CuCrO2薄膜，其厚度为200～400nm。本发明方法可以大面积沉积薄膜，生产成本低，且适用于工业化生产。

公开(公告)号：CN101264449A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810106142.0

申请日：2008-05-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 汪浩 ,  吴晓 ,  李坤威 ,  严辉 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  王如志 ,  王波 ,  宋雪梅 ,  张铭

IPC: B01J23/80 ,  B01J21/06

Abstract: TiO2/ZnFe2O4磁性复合光催化剂的制备方法属于纳米光催化剂材料制备技术领域。本发明采用磁性材料ZnFe2O4作载体，不需要添加任何有机物质或中间层，通过溶胶凝胶的方法，组装成复合纳米颗粒的磁性光催化剂，既可以保持较好的悬浮性而且具有较高的光催化活性，又可利用磁分离技术方便迅速的回收磁性光催化剂，达到多次再生利用的目的。