公开(公告)号：CN108878266A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810715485.0

申请日：2018-07-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  冯玉霞 ,  张智宏 ,  刘开辉 ,  张洁 ,  许福军 ,  王新强 ,  唐宁

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：将单晶石墨烯转移至多晶或非晶衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长氮化镓单晶薄膜。本发明利用可转移的单晶石墨烯为氮化物生长提供所需的六方模板，大大拓宽氮化物可集成的衬底材料，可应用于GaN基大功率器件和柔性器件。

公开(公告)号：CN101871098B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910082891.9

申请日：2009-04-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  苗振林 ,  宋杰 ,  王新强 ,  唐宁 ,  杨志坚 ,  张国义

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明涉及一种生长高晶体质量高阻GaN外延层的方法。本发明通过在蓝宝石衬底上预沉积低温AlN并退火处理(简称为“AlN预处理”)，降低GaN中氧杂质的浓度，减少需要被补偿的背景电子浓度，因此仅需在GaN外延层中引入较少的刃型位错来补偿即可获得高阻GaN外延层。采用该方法制备的高阻GaN外延层材料的电阻率常温下远大于107Ω.cm，3μm×3μm区域表面粗糙度(RMS)达0.2-0.3nm，表面平整；其X射线衍射ω扫描(102)摇摆曲线半高宽可控制到约600arc sec，较常规刃型位错补偿高阻GaN中位错密度低40-50％；该高阻GaN生长工艺重复性极好，符合工业应用要求。本发明方法简单易行，且对MOCVD系统不会造成任何污染。

公开(公告)号：CN101871098A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200910082891.9

申请日：2009-04-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  苗振林 ,  宋杰 ,  王新强 ,  唐宁 ,  杨志坚 ,  张国义

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明涉及一种生长高晶体质量高阻GaN外延层的方法。本发明通过在蓝宝石衬底上预沉积低温AlN并退火处理(简称为“AlN预处理”)，降低GaN中氧杂质的浓度，减少需要被补偿的背景电子浓度，因此仅需在GaN外延层中引入较少的刃型位错来补偿即可获得高阻GaN外延层。采用该方法制备的高阻GaN外延层材料的电阻率常温下远大于107Ω.cm，3μm x3μm区域表面粗糙度(RMS)达0.2-0.3nm，表面平整；其X射线衍射ω扫描(102)摇摆曲线半高宽可控制到约600arc sec，较常规刃型位错补偿高阻GaN中位错密度低40-50％；该高阻GaN生长工艺重复性极好，符合工业应用要求。本发明方法简单易行，且对MOCVD系统不会造成任何污染。

公开(公告)号：CN220367204U

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202322002037.5

申请日：2023-07-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 付雷 ,  沈波 ,  罗向东 ,  唐宁

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/64

Abstract: 本实用新型公开了一种用于测量深紫外光致发光谱的显微光路耦合系统，包括：由两个或更多个紫外透镜组成的光束缩束模组，设置在激光光路上，用于将深紫外激光光束变细；一个深紫外窄条状45°反射镜，位于显微光路旁侧，利用其边缘将激光反射进入显微光路；一个反射式物镜，将窄条状45°反射镜反射过来的激光汇聚到样品上，并收集样品的荧光信号，送入收集光路进行探测。本实用新型可用于深紫外光致发光光谱的显微光路耦合，实现短至200nm的深紫外光致发光谱的显微测量，并最大限度地降低样品荧光信号的损失，比起非显微的深紫外光致发光测量系统，有着激发功率密度更高、荧光信号收集效率更高、空间分辨能力更高的优点。

公开(公告)号：CN220380989U

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202321992321.5

申请日：2023-07-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 付雷 ,  沈波 ,  罗向东 ,  唐宁

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/63

Abstract: 本实用新型公开了一种用于光致发光谱显微光路模块的推拉切换结构，包括用于定位半透半反镜的定块，用于带动半透半反镜镜架的动块，以及推拉机构；其中，动块为磁性体，一端与半透半反镜镜架连接，另一端连接推拉机构；定块为一个活塞装置，包括腔体及可在腔体内往复运动的活塞本体，在腔体面向动块的外壁面设有强磁铁；活塞本体为非磁性体，在活塞本体面向动块的一面设有弱磁铁；在腔体面向动块的前端面开有窗口，弱磁铁可伸出窗口外，而在腔体的后端面开有空气孔。该推拉切换结构可以极大地降低推拉过程中的震动，有利于光路精度的长期保持，同时可降低推拉切换结构对外部空间的占用，使整个光致发光谱系统更加紧凑和便利。