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公开(公告)号:CN110379924A
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201910501006.X
申请日:2019-06-11
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明实施例提供一种钙钛矿红外光电晶体管及其制备方法,包括:基础衬底;源漏金属电极沉积于基础衬底上表面;金属氧化物半导体薄膜和源漏金属电极在同一平面上;电荷传输界面层将图形化的有机无机杂化红外探测钙钛矿材料层与源漏金属电极、金属氧化物半导体薄膜分隔开;图形化的有机无机杂化红外探测钙钛矿材料层完全覆盖于电荷传输界面层上、位于金属氧化物半导体薄膜正上方,并且投影面积等于金属氧化物半导体薄膜;钝化层将所述电荷传输界面层、图形化的有机无机杂化红外探测钙钛矿材料层全部覆盖,投影面积等于基础衬底;疏水层薄膜覆盖除金属氧化物半导体薄膜外的所有钙钛矿红外光晶体导管器件部分。
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公开(公告)号:CN110364625A
公开(公告)日:2019-10-22
申请号:CN201910525986.7
申请日:2019-06-18
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明实施例提供一种用于弱光探测的钙钛矿量子点光电晶体管,其特征在于,包括:上表面水平的基础衬底;栅电极位于基础衬底上;栅介电层和基础衬底全包围栅电极,且投影面积等于基础衬底;金属氧化物半导体薄膜位于栅介电层上;源漏金属电极位于栅介电层和金属氧化物半导体薄膜上;电荷传输界面层位于源漏金属电极中间;钙钛矿量子点材料层位于电荷传输界面层正上方且完全覆盖电荷传输界面层;金属氧化物半导体薄膜、电荷传输界面层薄膜、钙钛矿量子点材料层投影面积等于栅电极。
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公开(公告)号:CN109411833A
公开(公告)日:2019-03-01
申请号:CN201811259589.1
申请日:2018-10-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01M10/36
Abstract: 本发明提供了一种固态电解质及其制备方法,该固态电解质包括:瓜尔豆胶和掺入所述瓜尔豆胶中的电解质;所述电解质包括锌盐。本发明实施例使用的瓜尔豆胶固态电解质具有高的离子电导率,有利于提高电池的比容量和倍率性能。这种固态电解质具有良好的柔性,有利于固态电池在弯曲下保持原有的容量。该固态电解质可以抑制负极锌枝晶的生长,有利于提高电池循环性能。本发明使用的瓜尔豆胶为食品添加剂,对人体无毒无害。这种瓜尔豆胶固态电解质制备方法简单,原材料便宜,有利于降低制造成本。本申请还提供了一种固态锌离子电池,该电池包括上述瓜尔豆胶固态电解质,在便携式可折叠的柔性电子与能源器件方面具有良好的应用发展前景。
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公开(公告)号:CN108258334A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201810054847.6
申请日:2018-01-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请提供了一种复合柔性电极及其制备方法,该电极包括:柔性集流体;复合在所述柔性集流体上的片状二氧化锰和石墨烯。本发明主要以片状二氧化锰为活性物质,并用石墨烯作为导电剂,可以提高电极的导电性,同时增加电解液和电极的接触面积,降低离子的扩散距离,因此有利于提高电池的比容量和倍率性能。本发明还提供了一种柔性锌离子电池及其制备方法,该电池包括上述电极,在便携式可折叠的柔性电子与能源器件方面具有良好的应用发展前景。本发明实施例用真空抽滤法制备得到片状二氧化锰和石墨烯复合电极,不需要添加粘结剂,有利于提高活性物质在整个电极中的质量比例,从而提高电极的能量密度。本发明制备方法简单,利于降低制造成本。
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公开(公告)号:CN108023019A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201711372080.3
申请日:2017-12-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明实施例提供了一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法,属于光探测领域。所述光电晶体管器件包括基础衬底,位于基础衬底上的漏源金属电极,金属氧化物半导体薄膜,所述金属氧化物半导体薄膜上覆盖有电荷传输界面层,所述电荷传输界面层上方有图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层,所述电荷传输界面层至少将图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层与源漏金属电极、金属氧化物薄膜分隔开,基础衬底上方设有一层钝化层,所述钝化层将器件全部覆盖。所述钙钛矿光电晶体管为底栅底接触结构,具有暗电流低、响应速度快、宽光谱响应的特性,与硅基光电探测器相比具有成本低廉,制备能耗低的特点,器件制备工艺与目前硅基工艺平台具有良好的兼容性。
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公开(公告)号:CN105161625B
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201510613524.2
申请日:2015-09-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明实施例提供一种氧化亚铜异质结太阳能电池的制备方法,所述方法包括:采用超声喷涂方法在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型层;所述的ITO导电玻璃层的方块电阻是20‑30Ω,透过率在80%‑90%,所述的p型层为氧化亚铜,层厚为30‑50nm;采用超声喷涂方法沉积一层有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层作为n型层;在所述的n型层上沉积金属电极层。上述技术方案具有如下有益效果:利用超声喷涂方法制备,可以提高原料使用率,降低生产成本,实现大面积工业生产。
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公开(公告)号:CN102646745B
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201210095940.4
申请日:2012-04-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01G9/20
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本申请公开了一种光伏器件以及包含该光伏器件的太阳能电池。该光伏器件包括透明电极区、窗口区、吸收区三个区,该三个区的入光面和背面,共六个面中的至少一面具有与纳米线或纳微球点接触形成的低维复合界面结构。本申请提供的光伏器件制备的太阳能电池,利用仿生的低维复合界面结构提高光伏器件对阳光的采集,并将纳米线和/或纳微球作为表面等离子激元,进一步增强陷光效应。同时,通过可控的点接触形成可控的掺杂,提供了一个既能减少空穴和电子复合机会,又利于传输空穴或电子的势场,提高了电子空穴的分离效率和运输能力,实现了高效的光伏效应;并且通过掺杂界面的调控,调节能带工程,提高光伏电流和/或电压,提高了光伏转换能力。
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公开(公告)号:CN102646745A
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201210095940.4
申请日:2012-04-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/06 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01G9/20
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本申请公开了一种光伏器件以及包含该光伏器件的太阳能电池。该光伏器件包括透明电极区、窗口区、吸收区三个区,该三个区的入光面和背面,共六个面中的至少一面具有与纳米线或纳微球点接触形成的低维复合界面结构。本申请提供的光伏器件制备的太阳能电池,利用仿生的低维复合界面结构提高光伏器件对阳光的采集,并将纳米线和/或纳微球作为表面等离子激元,进一步增强陷光效应。同时,通过可控的点接触形成可控的掺杂,提供了一个既能减少空穴和电子复合机会,又利于传输空穴或电子的势场,提高了电子空穴的分离效率和运输能力,实现了高效的光伏效应;并且通过掺杂界面的调控,调节能带工程,提高光伏电流和/或电压,提高了光伏转换能力。
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公开(公告)号:CN207818623U
公开(公告)日:2018-09-04
申请号:CN201721777177.8
申请日:2017-12-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本实用新型实施例提供了一种钙钛矿光电晶体管,属于光探测领域。所述光电晶体管器件包括基础衬底,位于基础衬底上的漏源金属电极,金属氧化物半导体薄膜,所述金属氧化物半导体薄膜上覆盖有电荷传输界面层,所述电荷传输界面层上方有图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层,所述电荷传输界面层至少将图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层与源漏金属电极、金属氧化物薄膜分隔开,基础衬底上方设有一层钝化层,所述钝化层将器件全部覆盖。所述钙钛矿光电晶体管为底栅底接触结构,具有暗电流低、响应速度快、宽光谱响应的特性,与硅基光电探测器相比具有成本低廉,制备能耗低的特点,器件制备工艺与目前硅基工艺平台具有良好的兼容性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN207474484U
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201721160703.6
申请日:2017-09-07
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/073
Abstract: 本实用新型实施例提供一种碲化镉太阳能电池,所述碲化镉太阳能电池包括:掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃;硫化镉CdS薄膜,沉积在掺氟的二氧化锡FTO导电玻璃上;碲化镉CdTe薄膜,沉积在硫化镉CdS薄膜上;碳纳米管薄膜,沉积在碲化镉CdTe薄膜上;金属电极,沉积在碳纳米管薄膜上。上述技术方案具有如下有益效果:使碳纳米管层具备很好的热稳定性,从而电池不会像铜Cu掺杂做背电极那样出现效率减退,延长使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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