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公开(公告)号：CN105098082B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510485940.9
申请日：2015-08-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明实施例提供一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，所述方法包括：在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型有机导电层；采用超声喷涂方法在p型有机导电层上沉积一层有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层；在CH3NH3PbI3层上沉积n型有机导电层；在n型有机导电层上沉积金属电极层。上述技术方案具有如下有益效果：利用超声喷涂方法制备，可以提高原料使用率，降低生产成本，实现大面积生产。
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公开(公告)号：CN105161625A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510613524.2
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/0001 , H01L51/42
Abstract: 本发明实施例提供一种氧化亚铜异质结太阳能电池的制备方法，所述方法包括：采用超声喷涂方法在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型层；所述的ITO导电玻璃层的方块电阻是20-30Ω，透过率在80％-90％，所述的p型层为氧化亚铜，层厚为30-50nm；采用超声喷涂方法沉积一层有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层作为n型层；在所述的n型层上沉积金属电极层。上述技术方案具有如下有益效果：利用超声喷涂方法制备，可以提高原料使用率，降低生产成本，实现大面积工业生产。
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公开(公告)号：CN105098082A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510485940.9
申请日：2015-08-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L51/0002
Abstract: 本发明实施例提供一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，所述方法包括：在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型有机导电层；采用超声喷涂方法在p型有机导电层上沉积一层有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层；在CH3NH3PbI3层上沉积n型有机导电层；在n型有机导电层上沉积金属电极层。上述技术方案具有如下有益效果：利用超声喷涂方法制备，可以提高原料使用率，降低生产成本，实现大面积生产。
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公开(公告)号：CN119447093A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310949151.0
申请日：2023-07-28
Applicant: 华为技术有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L23/532 , H01L21/768 , C23C16/50 , C23C16/18
Abstract: 本申请提供了一种薄膜材料及其制备方法与互连结构、芯片。该薄膜材料包括钽元素、碳元素和氮元素，且薄膜材料中不含卤素，其中，钽元素在薄膜材料中的原子百分比大于70％，碳元素在薄膜材料中的原子百分比为0.1～7％，氮元素在薄膜材料中的原子百分比为0.1～4％。该薄膜材料可用作芯片互连层和阻挡层的黏附材料，以提高互连层和阻挡层之间的粘附性和阻挡性。
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公开(公告)号：CN105161625B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510613524.2
申请日：2015-09-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明实施例提供一种氧化亚铜异质结太阳能电池的制备方法，所述方法包括：采用超声喷涂方法在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型层；所述的ITO导电玻璃层的方块电阻是20‑30Ω，透过率在80％‑90％，所述的p型层为氧化亚铜，层厚为30‑50nm；采用超声喷涂方法沉积一层有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层作为n型层；在所述的n型层上沉积金属电极层。上述技术方案具有如下有益效果：利用超声喷涂方法制备，可以提高原料使用率，降低生产成本，实现大面积工业生产。
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