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公开(公告)号：CN104362512A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410539108.8
申请日：2014-10-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及光通信技术中发光光源技术领域，尤其涉及一种采用铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐无机化合物纳米线材料制备低阈值硅基纳米激光器的方法。该制备包括：原料制备；放入煅烧炉，并通入气体；煅烧生长纳米线；制备纳米线酒精溶液，并得到硅基纳米激光器。本文提供一种采用单晶铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐化合物纳米线作为波导材料，制备硅基纳米激光器的方法。采用本发明提供的制备方法制备的硅基纳米激光器具有较高波导增益，以及较低的泵浦阈值。
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公开(公告)号：CN104238009A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410466836.0
申请日：2014-09-12
Applicant: 北京大学
Inventor： 周治平
Abstract: 本发明涉及集成光电子技术领域，具体涉及一种利用模式耦合的非互易性实现光隔离的方法及光隔离器。应用本发明所述方法制成的光隔离器，还进一步的适用于太赫兹频段，具有非常广泛的用途。本发明提出一种小尺寸、低损耗、无附加能耗、易于加工、成本低廉的无源光隔离器，可以与激光器、放大器、调制器等器件或系统组合使用，也可以增大版图设计的自由度。本发明利用回音壁模式能够稳定沿外壁传输的特点做到：利用回音壁模式实现正向传输时导通，利用非回音壁模式实现反向传输时不导通。本发明进一步适用于光子集成、光电混合集成及光通信技术领域，相比现有技术，本发明更进一步的符合大规模集成的性能要求。
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公开(公告)号：CN101813834B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200910129404.X
申请日：2009-03-18
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明涉及一种双MOS结构硅基电光调制器，该结构由上到下分别为：顶层硅波导层、顶层绝缘栅层、中间层硅波导层、底层绝缘栅层、底层硅波导层、埋氧SiO2层、Si衬底。其中，顶层硅波导层以及底层硅波导层均为N型掺杂硅层，中间层硅波导层为P型掺杂硅层，该P型掺杂硅层中间设置有分光层，将其分为同样厚度的两层，分光层将入射光束分开成两束相同的光传播，该结构还包括设置在N型掺杂硅层的接地电极，以及设置在P型掺杂硅层的金属电极，缘栅层均为SiO2材料制成。本发明的双MOS结构硅基电光调制器调制速度快、效率高、器件尺寸小，可采用不同栅材料、不同尺寸，选择不同的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN101950786A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010281011.3
申请日：2010-09-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/02
Abstract: 本发明公开了一种硅基发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：S1：制备铒硅氧溶胶；S2：在p型掺杂的硅基体上涂敷所述铒硅氧溶胶，制备铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜作为本征层；S3：在p型掺杂的硅基体上沉积一层磷掺杂的硅材料制作n型电极，形成硅基发光二极管。本发明通过制备铒硅酸盐无机化合物与富硅氧化硅混合物薄膜作为硅基发光二极管的本征层，将铒硅酸盐无机化合物中铒离子浓度提高1-2个数量级，富硅氧化硅中纳米硅和铒离子之间的高效能量传递效率可以实现电致发光，从而实现发光二极管获得强的通信波段1.53μm的电致发光。
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公开(公告)号：CN101556356A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910082010.3
申请日：2009-04-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种光栅耦合器，由上至下依次包括上包层、光栅层、波导层和下包层，所述光栅层采用二元闪耀光栅，所述二元闪耀光栅为一维二元闪耀光栅或二维二元闪耀光栅。本发明所提供的二元闪耀光栅耦合器可以获得高的耦合效率，实现完全垂直耦合，而且制备容易；通过调节光栅参数，实现入射光按照不同偏振态或者波长分别耦合进不同的波导中，为偏振分束和波分复用等提供有效途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115755440A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211327259.8
申请日：2022-10-26
Applicant: 北京大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明提供一种硅基调制器行波电极终端阻抗匹配系统及硅基调制器，属于硅基光电子技术领域，硅基调制器行波电极终端阻抗匹配系统包括：行波电极信号线、谐振电路、电阻和行波电极接地线；行波电极信号线的第一端与行波电极相连，谐振电路与电阻串联后的第一端与行波电极信号线的第二端相连，谐振电路与电阻串联后的第二端与行波电极接地线的第一端相连，行波电极接地线的第二端与行波电极相连；行波电极信号线用于将行波电极上传输的高频信号传输至谐振电路，谐振电路用于将高频信号中的交流分量与电阻进行阻抗匹配，谐振电路与电阻达到阻抗匹配状态，避免了信号反射，谐振电路阻断直流分量的传输，降低了硅基调制器的整体功耗。
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公开(公告)号：CN111610651A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010663363.9
申请日：2020-07-10
Applicant: 北京爱杰光电科技有限公司 , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于应力硅的硅基电光调制器及其制作方法，包括：阴极，所述阴极沿横向依次设置第一重掺杂区、第一中等掺杂区及第一轻掺杂区，其中所述第一轻掺杂区包括一体成形且互相垂直的平板区一及凸条区一；阳极，所述阳极沿横向依次设置第二重掺杂区、第二中等掺杂区及第二轻掺杂区，其中所述第二轻掺杂区包括一体成形且相互垂直的平板区二及凸条区二，所述第一轻掺杂区的所述凸条区一与所述第二轻掺杂区的所述凸条区二电性连接；压应力薄膜区，所述压应力薄膜区与所述平板区一接触；张应力薄膜区，所述张应力薄膜区与所述平板区二接触；本发明利用薄膜应力改变硅晶体中硅原子晶格常数，提高其中电子或空穴的迁移率，降低环路电阻。
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公开(公告)号：CN107092056B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710439760.6
申请日：2017-06-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种波分复用/解复用器及其制作方法，波分复用/解复用器包括第一光传播端、多模干涉区和两个第二光传播端，所述多模干涉区的水平方向上的一端与所述第一光传播端连通，所述多模干涉区的水平方向上的另一端分别与两个第二光传播端连通；多模干涉区中设有光栅，且光栅沿光载波信号在多模干涉区中传播方向设置。本发明有效减小了器件整体尺寸，同时降低了应用该波分复用/解复用器进行波分复用或解复用处理时的损耗、提高了工作带宽，进而使得该波分复用/解复用器易于集成，在集成光电子领域具有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN104238009B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201410466836.0
申请日：2014-09-12
Applicant: 北京大学
Inventor： 周治平
Abstract: 本发明涉及集成光电子技术领域，具体涉及一种利用模式耦合的非互易性实现光隔离的方法及光隔离器。应用本发明所述方法制成的光隔离器，还进一步的适用于太赫兹频段，具有非常广泛的用途。本发明提出一种小尺寸、低损耗、无附加能耗、易于加工、成本低廉的无源光隔离器，可以与激光器、放大器、调制器等器件或系统组合使用，也可以增大版图设计的自由度。本发明利用回音壁模式能够稳定沿外壁传输的特点做到：利用回音壁模式实现正向传输时导通，利用非回音壁模式实现反向传输时不导通。本发明进一步适用于光子集成、光电混合集成及光通信技术领域，相比现有技术，本发明更进一步的符合大规模集成的性能要求。
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公开(公告)号：CN106094107A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610702762.5
申请日：2016-08-22
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明公开一种偏振分束器，包括：第一输入端口1或第二输入端口2，耦合区5以及第一输出端口3和第二输出端口4；其中，第一输入端口1或第二输入端口2与耦合区5的输入端口连接，第一输出端口3和第二输出端口4与耦合区5的输出端口连接；耦合区5由两个相邻的光波导组成，两个光波导均处于对方波导模式倏逝场范围内；耦合区5中，通过预设数量的光栅结构连接这两个波导，并向这两个波导外侧延伸预设长度，以使横电波TE的耦合长度是横磁波TM耦合长度的一半。本发明的偏振分束器，利用光栅对波导模式等效折射率的调控作用，使得TE的奇对称模和偶对称模之间的等效折射率差是TM的两倍，即TE的耦合长度是TM的一半，从而实现偏振分束。
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